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最新专利技术
  • 一种应用于HBM内存的阻抗校准电路和校准方法
    一种应用于HBM内存的阻抗校准电路和校准方法_中茵微电子(南京)有限公司_202511633801.6
    本发明公开了一种应用于HBM内存的阻抗校准电路和校准方法，涉及双倍数据速率存储器芯片技术领域。该校准方法一方面通过对PU、PD电阻进行两次极性相反的校准，消除了比较器电路的偏移电压，提高校准精确度；另一方面通过对比较器电路的输出结果进行表决...
    2026-01-30
  • 一种基于SOC驱动映射调整的DRAM失效单元修复方法
    一种基于SOC驱动映射调整的DRAM失效单元修复方法_碳芯微电子科技(深圳)有限公司_202511642982.9
    本发明涉及DRAM存储器修复技术领域，具体为一种基于SOC驱动映射调整的DRAM失效单元修复方法。本发明通过测试设备检测DRAM颗粒中失效CELL单元的物理地址，生成修复映射数据；将修复映射数据以二维码形式记录在DRAM颗粒表面并存储至非易...
    2026-01-30
  • 内存芯片缺陷处理方法以及内存芯片
    内存芯片缺陷处理方法以及内存芯片_皇虎测试科技(深圳)有限公司_202511642353.6
    本发明的实施例提供了一种内存芯片缺陷处理方法以及内存芯片，属于半导体存储器的技术领域。该内存芯片缺陷处理方法包括以下步骤：测试内存芯片中的多个裸片，获得每个裸片中存在缺陷的故障单元的物理地址；将每个故障单元的物理地址进行编码，并获得每个故障...
    2026-01-30
  • 桥接集成芯片、DRAM和SOC系统
    桥接集成芯片、DRAM和SOC系统_碳芯微电子科技(深圳)有限公司_202511197627.5
    本发明公开一种桥接集成芯片、DRAM和SOC系统，涉及DRAM修复技术领域。所述桥接集成芯片包括：控制电路，所述控制电路被配置为在上电后，对所述DRAM的存储单元进行故障检测，以确认处于故障状态的存储单元的物理地址并输出存储；eFuse存储...
    2026-01-30
  • NOR型闪存存储器及其操作方法
    NOR型闪存存储器及其操作方法_华邦电子股份有限公司_202510149337.7
    本发明提供一种适于要求高可靠性的数据的保护的NOR型闪存存储器及其操作方法。本发明的NOR型闪存存储器包括：存储单元阵列，包括多个存储单元；ECC电路，进行从存储单元阵列的启动保存区域读取的数据的错误检测、校正；将对由ECC电路进行了错误检...
    2026-01-30
  • 存储芯片的控制方法、存储控制器、存储系统和电子设备
    存储芯片的控制方法、存储控制器、存储系统和电子设备_华为技术有限公司_202410735819.6
    本申请公开的实施例属于存储技术领域，特别涉及一种存储芯片的控制方法、存储控制器、存储系统和电子设备。存储芯片包括P个存储阵列，每个存储阵列包括M行及N列，P个存储阵列中具有相同行列地址的P个存储单元为一个操作单元，每个存储阵列包括存储区及冗...
    2026-01-30
  • 存储器装置及操作存储器装置的方法
    存储器装置及操作存储器装置的方法_爱思开海力士有限公司_202510169271.8
    本公开涉及一种存储器装置及其操作方法，存储器装置可以包括联接在位线和源极线之间的单元串，该单元串包括第一选择晶体管、存储器单元和第二选择晶体管；第一选择线，联接到第一选择晶体管，并且在位线延伸的方向上彼此隔开；电压生成器，被配置为在擦除操作...
    2026-01-30
  • 二维材料闪存与硅CMOS异质芯片的电路兼容设计方法
    二维材料闪存与硅CMOS异质芯片的电路兼容设计方法_复旦大学_202511172818.6
    本发明属于半导体集成电路技术领域，具体为一种二维材料闪存与硅CMOS异质芯片的电路兼容设计方法。本发明包括二维闪存电路设计和CMOS电路设计；其中，二维闪存电路设计可有效抑制串扰，并将作用于CMOS器件的最大压降减小至二维闪存写入或擦除电压...
    2026-01-30
  • 基于二维材料闪存与硅CMOS的存内计算硬件系统
    基于二维材料闪存与硅CMOS的存内计算硬件系统_复旦大学_202511172944.1
    本发明属于半导体集成电路技术领域，具体为一种基于二维材料闪存与硅CMOS的存内计算硬件系统。本发明存内计算硬件系统采用二维闪存作为存算单元，所述存算单元具备可调节的多比特非易失存储特性；二维闪存单元阵列用于存储神经网络权重参数，并与阵列的输...
    2026-01-30
  • 一种存储器的读出电路以及操作方法
    一种存储器的读出电路以及操作方法_厦门半导体工业技术研发有限公司_202511006607.5
    本公开提供了一种存储器的读出电路以及操作方法，其中，所述存储器的读出电路包括：存储阵列，所述存储阵列包括多个存储单元；控制模块，与所述存储阵列连接，所述控制模块用于分别施加第一电压和第二电压至被选中的存储单元，以得到第一读出电流和第二读出电...
    2026-01-30
  • 相变存储器的控制方法、装置、存储系统和电子设备
    相变存储器的控制方法、装置、存储系统和电子设备_华为技术有限公司_202410740845.8
    本申请实施例公开了一种相变存储器的控制方法、装置、存储系统和电子设备，属于存储技术领域。方法包括：接收对目标相变存储单元的第一写指令；确定目标相变存储单元不满足完全晶化条件，控制读写电路向目标相变存储单元施加第一电脉冲，第一电脉冲用于对目标...
    2026-01-30
  • 一种具有PUF响应生成功能的存储电路
    一种具有PUF响应生成功能的存储电路_温州大学_202511033941.X
    本发明公开了一种具有PUF响应生成功能的存储电路，包括由两个反相器交叉耦合构成的双稳态结构以及作为存取晶体管的2个NMOS管，存储电路还包括两条延迟路径、用于控制两条延迟路径通断的2个NMOS管以及SR锁存器，两条延迟路径用于基于MOS管在...
    2026-01-30
  • 用于提供存储器装置泄放功能性的设备及方法
    用于提供存储器装置泄放功能性的设备及方法_美光科技公司_202510687489.2
    本申请的实施例涉及用于提供存储器装置泄放功能性的设备及方法。举例来说，存储器单元阵列内的一些存储器单元(例如，虚设存储器单元)可经配置为泄放装置，所述泄放装置可经选择性地激活以使所述阵列中的存储器单元耦合到的(例如，局部)感测线及/或所述存...
    2026-01-30
  • 自动刷新计数最大值检测方法、装置及存储介质
    自动刷新计数最大值检测方法、装置及存储介质_皇虎测试科技(深圳)有限公司_202511642060.8
    本申请公开了一种自动刷新计数最大值检测方法、装置及存储介质，其方法包括：获取待测试芯片的目标内存区域中第一字线WL对应的第一刷新次数；基于第一刷新次数对所述待测试芯片执行刷新操作；基于第一刷新指令对待测试芯片执行刷新操作，并在第一预设时长内...
    2026-01-30
  • 芯片刷新周期的检测方法、装置、设备及存储介质
    芯片刷新周期的检测方法、装置、设备及存储介质_皇虎测试科技(深圳)有限公司_202511642059.5
    本申请公开了一种芯片刷新周期的检测方法、装置、设备及存储介质，涉及测试技术领域，公开了芯片刷新周期的检测方法，包括：基于待测试芯片的刷新周期tRFC建议值，确定多个测试tRFC；基于各个测试tRFC分别对所述待测试芯片执行连续刷新操作，并在...
    2026-01-30
  • 具有存储栅极线的2T1FC铁电存储单元及其制备方法
    具有存储栅极线的2T1FC铁电存储单元及其制备方法_上海深明奥思半导体科技有限公司_202511065600.0
    本申请涉及非易失性存储器技术领域，尤其涉及一种具有存储栅极线的2T1FC铁电存储单元及其制备方法。所述具有存储栅极线的2T1FC铁电存储单元，包括：一个铁电电容器，一个存储晶体管，其通过所述铁电电容器极化调制实现数据的读写操作；一个控制晶体...
    2026-01-30
  • 集成组合件和半导体存储器装置
    集成组合件和半导体存储器装置_美光科技公司_202511236633.7
    本申请涉及集成组合件和半导体存储器装置。一些实施例包含具有CMOS区的集成组合件。鳍片横跨所述CMOS区延伸且位于第一间距上。电路布置与所述CMOS区相关联且包含所述鳍片中的一或多个的片段。所述电路布置沿着第一方向具有第一尺寸。第二区接近所...
    2026-01-30
  • 用于多芯片RAM的时钟传输电路系统
    用于多芯片RAM的时钟传输电路系统_美光科技公司_202510488533.7
    本申请涉及用于多芯片RAM的时钟传输电路系统。装置及方法包含第一存储器芯片，所述第一存储器芯片包含第一存储器存储体、经配置以接收命令及芯片标识符的命令输入及经配置以当所述命令与预定条件匹配时确定所述命令是否要使用第二存储器芯片上的时钟的解码...
    2026-01-30
  • 存储器装置与计算方法
    存储器装置与计算方法_旺宏电子股份有限公司_202410784759.7
    本公开提供一种存储器内计算存储器装置。该存储器装置包括：一第一权重组，根据多个输入之一而产生一第一输入权重乘积电流于一第一共同位线；一第二权重组，根据这些输入之一而产生一第二输入权重乘积电流于一第二共同位线。该第一共同位线与该第二共同位线输...
    2026-01-30
  • 一种光盘库转笼旋转直驱装置
    一种光盘库转笼旋转直驱装置_广东中鸣数据科技有限公司_202511229091.0
    本申请公开了一种光盘库转笼旋转直驱装置，属于大容量光存储设备技术领域。主要包括位于顶部的顶板和位于底部的底板，顶板和底板之间形成容置空间；光盘库组件，该光盘库组件转动安装在容置空间内，光盘库组件具有适于转动的上轴；第二齿轮，该第二齿轮安装在...
    2026-01-30
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