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最新专利技术
  • 封装结构及其形成方法
    封装结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510194233.8
    描述了封装结构及其形成方法。在一些实施例中，该结构包括：通孔、与通孔相邻设置的第一半导体管芯、设置在通孔的侧表面和第一半导体管芯的侧表面上的应力释放层以及设置在应力释放层上并且在通孔和第一半导体管芯之间的模制材料。通孔、半导体管芯和模制材料...
    2026-01-29
  • 半导体装置及制备方法以及电气系统
    半导体装置及制备方法以及电气系统_深圳赛意法微电子有限公司_202410712120.8
    本公开涉及半导体装置、制备方法以及电气系统。公开了一种半导体装置，包括：半导体衬底，包括至少一个功率半导体器件；在半导体衬底上的绝缘膜片，具有穿通绝缘膜片的至少一个第一开口，至少一个第一开口使得半导体衬底的相应的第一部分露出；导电的至少一个...
    2026-01-29
  • 一种集成电路的高阻尼防振基座
    一种集成电路的高阻尼防振基座_江苏瑞鑫集成电路设备有限公司_202511251412.7
    本发明属于集成电路设备技术领域，且公开了一种集成电路的高阻尼防振基座，包括下基座，将集成电路设备放置在上基座的内部，被夹持组件中的四个第一柔性方环进行对中夹持定位，之后使用集成电路设备，集成电路设备运行过程中，受到震动时，使上基座产生震动现...
    2026-01-29
  • 半导体晶片结构及半导体器件
    半导体晶片结构及半导体器件_联咏科技股份有限公司_202510737085.X
    本发明公开一种半导体晶片结构及半导体器件。所述半导体晶片结构包括半导体晶片及多个沟槽组。半导体晶片具有多个管芯区域及设置在管芯区域之间用于分离多个管芯区域的多个切割道。多个沟槽组设置在多个管芯区域及多个切割道之间。多个管芯区域中的每一个由多...
    2026-01-29
  • 一种陶瓷覆铜基板自动分裂系统及其工艺
    一种陶瓷覆铜基板自动分裂系统及其工艺_金兰功率半导体(无锡)有限公司_202511607320.8
    本发明提供一种陶瓷覆铜基板自动分裂系统及其工艺，涉及半导体封装技术领域，自动分裂系统包括上料模组，上料模组设置至少一个转运料盒和气缸开关，转运料盒一侧壁设置气缸组件和转运传感器，控制器通过接收转运传感器的信号，驱动转运机器人从转运料盒取出陶...
    2026-01-29
  • 一种半导体器件的制作方法
    一种半导体器件的制作方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511613306.9
    本发明提供了一种半导体器件的制作方法，应用于半导体技术领域。本发明包括：提供具有第一导电类型掺杂离子的基底，形成深沟槽位于基底内，形成具有第二导电类型掺杂离子的掺杂区位于深沟槽下方的部分基底内，形成金属硅化物层位于深沟槽的底部；从而可通过将...
    2026-01-29
  • 微纳金属沟槽制备方法
    微纳金属沟槽制备方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511195886.4
    本发明公开了一种微纳金属沟槽制备方法，包括以下步骤：步骤一，沉积形成金属沟槽的底层薄膜；步骤二，基于无机光刻胶利用光刻工艺定义出第一层特征尺寸的金属沟槽；利用无机光刻胶经过曝光后会发生相变的性质，形成特征的图形结构，其中无机光刻胶发生相变的...
    2026-01-29
  • 一种晶圆级封装结构及制作方法
    一种晶圆级封装结构及制作方法_日月新先进技术研究(昆山)有限公司_202511150338.X
    本发明公开了一种晶圆级封装结构及制作方法，包括步骤一：晶圆来料：准备待加工晶圆；步骤二：单面涂布工艺：在所述晶圆上方涂布光阻层，形成光阻层一；步骤三：半色调掩膜光刻工艺：使用光罩对在光阻层一进行曝光，所述光罩包括A区、B区和C区；所述B区的...
    2026-01-29
  • 基板处理方法和基板处理装置
    基板处理方法和基板处理装置_东京毅力科创株式会社_202510687066.0
    本公开提供一种基板处理方法和基板处理装置。在基板处理方法的工序(A)中，提供具有第一面和第二面的基板。在工序(B)中，形成介电膜。在工序(C)中，在介电膜上形成包含一种以上的金属元素且不包含结晶质膜的金属氧化膜的第一硬掩模。在工序(F)中，...
    2026-01-29
  • 形成开口的方法
    形成开口的方法_力晶积成电子制造股份有限公司_202410793006.2
    本发明公开一种形成开口的方法。形成开口的方法包括以下步骤：提供基底，基底上已形成有接垫；在基底上依序形成第一缓冲层与第一钝化层；对第一缓冲层与第一钝化层进行蚀刻制作工艺，以形成第一开口并暴露出部分接垫；将填充材料沉积在第一钝化层上及第一开口...
    2026-01-29
  • 一种半导体结构的制作方法、半导体结构及图像传感器
    一种半导体结构的制作方法、半导体结构及图像传感器_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511574687.4
    本发明公开了一种半导体结构的制作方法、半导体结构及图像传感器，属于半导体技术领域，所述半导体结构的制作方法包括以下步骤：提供一衬底；并蚀刻所述衬底，在所述衬底上形成多个凹部，且相邻所述凹部之间的衬底形成凸部；在所述凸部侧壁上形成阻挡层；同步...
    2026-01-29
  • SOI晶圆结构的制备方法及SOI晶圆结构
    SOI晶圆结构的制备方法及SOI晶圆结构_广州增芯科技有限公司_202511340090.3
    本发明提供了一种SOI晶圆结构的制备方法及SOI晶圆结构，该方法通过在第一晶圆的第一衬底表面依次堆叠形成第一SiGe层、多孔硅层、第二SiGe层和顶硅层，其中，多孔硅层由单晶硅层通过多孔化工艺得到，并在第二晶圆的表面形成氧化层后将氧化层键合...
    2026-01-29
  • SOI晶圆结构的制备方法及SOI晶圆结构
    SOI晶圆结构的制备方法及SOI晶圆结构_广州增芯科技有限公司_202511340075.9
    本发明提供了一种SOI晶圆结构的制备方法及SOI晶圆结构，该方法通过在第一晶圆的表面依次形成SiGe层和单晶硅层，并在第二晶圆的表面形成氧化层后将氧化层键合至单晶硅层上，然后将SiGe层及第一晶圆剥离去除，从而将第一晶圆上的单晶硅层转移到第...
    2026-01-29
  • 一种基于SOI衬底的深槽介质隔离结及其制造方法
    一种基于SOI衬底的深槽介质隔离结及其制造方法_西安微电子技术研究所_202511210769.0
    本发明公开了一种基于SOI衬底的深槽介质隔离结构及其制造方法，属于半导体集成电路制造领域，所述方法包括以下步骤：S1，在SOI衬底上依次生长缓冲氧化层和第一层硬掩膜LPSiN；S2，在所述第一层硬掩膜LPSiN上生长第二层硬掩膜PETEOS...
    2026-01-29
  • 沟槽及其制作方法
    沟槽及其制作方法_杭州富芯半导体有限公司_202511195553.1
    本发明提供一种沟槽及其制作方法，所述方法包括：提供衬底，在衬底上形成掩膜层；对掩膜层进行刻蚀形成图形化的掩膜层，图形化的掩膜层暴露部分衬底；去除暴露出的衬底上的自然形成的氧化层，同时在图形化的掩膜层的侧壁形成聚合物层；以图形化的掩膜层与聚合...
    2026-01-29
  • 一种晶圆多料盘同步夹持搬运机构
    一种晶圆多料盘同步夹持搬运机构_捷螺智能设备(苏州)有限公司_202511631574.3
    本发明公开了一种晶圆多料盘同步夹持搬运机构，包括：横梁，其底部开设有呈T型的导向槽；滑动单元，其配置有多组并滑动设置于所述导向槽中，每组所述滑动单元包括两个呈T型的滑块，且两个所述滑块之间通过一个线性驱动器连接；快速连接机构，其包括基座、伸...
    2026-01-29
  • 一种电子元器件生产用封装装置
    一种电子元器件生产用封装装置_江苏瑞博光电科技有限公司_202511352642.2
    本发明公开了一种电子元器件生产用封装装置，属于电子元器件技术封装领域，该种电子元器件生产用封装装置，包括推板上料组件，所述推板上料组件一侧固定连接有送料组件，所述送料组件顶端安装有分料组件，所述分料组件一侧与推板上料组件固定连接，所述送料组...
    2026-01-29
  • 一种用于晶圆或芯片的卡盘组件及晶圆测试设备
    一种用于晶圆或芯片的卡盘组件及晶圆测试设备_苏州联讯仪器股份有限公司_202511259582.X
    本发明提供了一种用于晶圆或芯片的卡盘组件及晶圆测试设备，涉及晶圆测试技术领域。本发明中卡盘的第一调平组件与转接板和控温组件连接，第一调平组件与控温组件的中间区域对应布置。第二调平组件与转接板连接，且与控温组件的外缘区域对应布置，在卡盘处于目...
    2026-01-29
  • 一种晶圆升降装置及其晶圆加工设备
    一种晶圆升降装置及其晶圆加工设备_上海广川科技有限公司_202511255906.2
    本发明提供了一种晶圆升降装置及其晶圆加工设备，其中该装置包括：升降单元、承载单元、封接组件，封接组件包括：套筒、引导模块、动轴模组，动轴模组包括：动轴件、转接件、波纹管、法兰件，波纹管两端分别与动轴件、法兰件连接，动轴件的底座经转接件与升降...
    2026-01-29
  • 半导体剥离装置及半导体剥离方法
    半导体剥离装置及半导体剥离方法_上海超硅半导体股份有限公司_202511251279.5
    本发明涉及一种半导体剥离装置及半导体剥离方法。所述半导体剥离装置包括：承载结构，用于承载待剥离的晶圆，所述晶圆包括离子注入层以及位于所述离子注入层相对两侧的第一硅层和第二硅层；手抓组件，沿第一水平方向位于所述承载结构的外部，所述手抓组件包括...
    2026-01-29
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