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最新专利技术
  • 背接触太阳电池及其制备方法、光伏组件
    背接触太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202411707589.9
    本公开提供了一种背接触太阳电池及其制备方法、光伏组件。该背接触太阳电池包括硅衬底、第一掺杂层、第二掺杂层和导通辅助体；第一掺杂层和第二掺杂层的掺杂类型不同，第一掺杂层和第二掺杂层间隔设置于硅衬底上，第一掺杂层和第二掺杂层之间具有位于硅衬底上...
    2025-12-01
  • 太阳电池及其制备方法、光伏组件
    太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202411388847.1
    本发明公开一种太阳电池及其制备方法、光伏组件，该太阳电池包括半导体衬底；设置于半导体衬底表面的P型导电膜层和N型导电膜层；第一电极和第二电极；在半导体衬底的表面中，与P型导电膜层接触的区域设置有第一纹理结构，与N型导电膜层接触的区域设置有第...
    2025-12-01
  • 一种太阳电池及其制备方法、光伏组件
    一种太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202411388610.3
    本申请涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种太阳电池及其制备方法、光伏组件。该太阳电池包括硅衬底、第一介质层以及第一掺杂多晶硅层。硅衬底具有相背设置的两个表面且至少一个表面上具有图形化的抛光结构以及绒面结构，在硅衬底的厚度方向上，绒面结构的平均...
    2025-12-01
  • 静电保护结构及制备方法、静电保护电路
    静电保护结构及制备方法、静电保护电路_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511534901.3
    本申请提供了一种静电保护结构及制备方法、静电保护电路。该静电保护结构包括：衬底、形成于所述衬底的具有第二掺杂类型的阱区、形成于阱区表面的栅极结构以及形成栅极结构两侧阱区中的漏极区域和源极区域；所述漏极区域至少包括具有第一掺杂类型的第一漂移区...
    2025-12-01
  • 一种单向超低压静电保护器件
    一种单向超低压静电保护器件_深圳市晶扬电子有限公司_202510880881.9
    本发明提供了一种单向超低压静电保护器件，包括TVS主器件和低电压触发单元，TVS主器件包括N型重掺杂衬底和P型外延层，所述P型外延层内设有第一P+重掺杂有源区、N+重掺杂有源区和第二P+重掺杂有源区，第一P+重掺杂有源区、N+重掺杂有源区和...
    2025-12-01
  • 显示装置
    显示装置_三星显示有限公司_202510514551.8
    为了实现能够有效利用空间的显示装置，本发明提供一种显示装置，配备有：第一半导体层，布置在基板上；第一栅极绝缘层，覆盖所述第一半导体层；第一栅极层，布置在所述第一栅极绝缘层上；第一层间绝缘层，覆盖所述第一栅极层；第二栅极层，布置在所述第一层间...
    2025-12-01
  • 一种显示面板及其制备方法、显示装置
    一种显示面板及其制备方法、显示装置_厦门天马显示科技有限公司_202511163574.5
    本发明公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置，显示面板包括衬底、电路层、发光层、焊盘限定层和转接层，焊盘限定层位于电路层远离发光层的一侧，且内嵌于衬底内；焊盘限定层包括多个限定单元，一个限定单元用于限定一个绑定点位；绑定点位位于衬底远离发...
    2025-12-01
  • 显示装置和电子装置
    显示装置和电子装置_三星显示有限公司_202510665193.0
    提供了显示装置和电子装置。该显示装置包括基板、电路层和元件层，其中，电路层包括发射像素驱动单元、数据线、第一辅助线、第二辅助线和栅初始化电压线。发射像素驱动单元包括在第二方向上彼此相邻设置的第一发射像素驱动单元和第二发射像素驱动单元。栅初始...
    2025-12-01
  • 显示装置、制造显示装置的方法和包括显示装置的电子装置
    显示装置、制造显示装置的方法和包括显示装置的电子装置_三星显示有限公司_202510463590.X
    提供了一种显示装置、一种制造显示装置的方法和一种包括显示装置的电子装置。所述显示装置包括：像素电路层，包括基体层、设置在基体层上的第一晶体管和设置在基体层上的第二晶体管，第一晶体管包括第一有源层、设置在第一有源层上的第一上栅极导电层、以及相...
    2025-12-01
  • 一种半导体结构以及制备半导体结构的方法
    一种半导体结构以及制备半导体结构的方法_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202510968093.5
    本公开提供了一种半导体结构以及制备半导体结构的方法，该方法包括：在衬底的表面上沉积富陷阱层；对富陷阱层施加超声波处理，以减小富陷阱层中的晶粒尺寸至30nm至150nm的范围。
    2025-12-01
  • 射频开关电路及形成方法
    射频开关电路及形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511158252.1
    本发明提供了一种射频开关电路及形成方法，包括：在顶层硅内均形成若干个间隔设置的第一浅沟槽隔离结构和若干间隔设置的有源区；将有源区前两级作为第一区，其余作为第二区，刻蚀第一区的第一浅沟槽隔离结构、埋氧层和部分厚度的底层硅，以形成间隔设置的第二...
    2025-12-01
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_上海积塔半导体有限公司_202511212707.3
    本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体结构包括基底以及栅极结构。其中，基底包括多个有源区以及隔离有源区的隔离结构，有源区具有本体部以及褶皱结构，在垂直于基底的方向上，褶皱结构位于本体部的一侧，在第一方向上，本体部...
    2025-12-01
  • 多堆叠半导体器件
    多堆叠半导体器件_三星电子株式会社_202510661226.4
    提供了一种多堆叠半导体器件，其包括：具有各自在第一水平方向上延伸的第一背侧线和第二背侧线的背侧布线层；在背侧布线层上并且包括下源极/漏极区的第一FET；在第一FET上并且包括上源极/漏极区的第二FET；以及具有在垂直于第一水平方向的第二水平...
    2025-12-01
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_三星电子株式会社_202510009818.8
    提供了一种半导体器件及其制造方法。示例半导体器件包括：衬底；沟道层，沟道层设置在衬底上；栅极结构，栅极结构围绕沟道层；源极/漏极图案，源极/漏极图案与沟道层的两侧连接；下布线结构，下布线结构设置在衬底下方；和绝缘图案，绝缘图案延伸穿过衬底并...
    2025-12-01
  • 一种具有综合性能加固的氮化物功率器件
    一种具有综合性能加固的氮化物功率器件_湖州闪芯微电子科技有限公司_202511200613.4
    本申请涉及半导体功率器件的技术领域，特别涉及一种具有综合性能加固的氮化物功率器件，该一种具有综合性能加固的氮化物功率器件包括主功率晶体管、以及用于精准调制所述主功率晶体管的端口电流电压以实现主功率晶体管稳健工作的调制器，所述主功率晶体管为基...
    2025-12-01
  • 半导体设备
    半导体设备_株式会社东芝_202411188278.6
    实施方式提供提高了特性的半导体设备。实施方式的半导体设备包括：第1导电层，设置在基板上；第2导电层，被供给第1电压，且设置在所述基板上；第3导电层，与输出节点对应，且在所述第1导电层与所述第2导电层之间设置在所述基板上；第1开关设备，包括被...
    2025-12-01
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410636523.9
    本申请公开了一种半导体器件及其制造方法、电子设备，该方法包括：在衬底上形成沿第一方向排列的多个分隔结构，相邻的两个分隔结构之间构成凹部；在凹部中填充半导体材料，形成预埋层；至少移除部分分隔结构和部分预埋层，形成多个鳍组合结构；多个鳍组合结构...
    2025-12-01
  • 半导体器件的制造方法及半导体工艺设备
    半导体器件的制造方法及半导体工艺设备_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511062503.6
    本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种半导体器件的制造方法及半导体工艺设备。半导体器件的制造方法包括：提供衬底，衬底具有若干叠层结构，叠层结构包括由内而外设置的半导体沟道层、栅极介电层、第一功函数层和第二功函数层；形成第一填充层，以覆...
    2025-12-01
  • 沟槽电容电极结构及沟槽电容
    沟槽电容电极结构及沟槽电容_苏州苏纳光电有限公司_202511218593.3
    本发明公开了一种沟槽电容电极结构及沟槽电容，通过环形嵌套设置的第一基元构成基元单元，并在基底第一表面上高密度排列，配合同样呈现高密度排列的互联单元，极大程度提高了沟槽电容容值密度的同时，有效增加了电极表面积并优化了电场分布，提升了器件的高频...
    2025-12-01
  • 沟槽电容电极结构及沟槽电容
    沟槽电容电极结构及沟槽电容_苏州苏纳光电有限公司_202511218587.8
    本发明公开了一种沟槽电容电极结构及沟槽电容，通过环形嵌套设置的第一基元构成具有多重旋转对称性的基元单元，并在基底第一表面上高密度排列，配合同样呈现高密度排列的、用于后期工艺中金属互联的第一互联区域的设计，极大程度提高了沟槽电容容值密度的同时...
    2025-12-01
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