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最新专利技术
  • 形成集成电路的方法
    形成集成电路的方法_艾普诺瓦泰克公司_202511023299.7
    本公开涉及形成集成电路的方法。具体地，提供了一种用于形成包括硅基器件和基于氮化镓的器件的集成电路的方法，所述方法包括：提供覆盖有氮化镓层结构的硅衬底；从所述氮化镓层结构中刻蚀出氮化镓结构；在所述硅衬底中形成硅基器件；在所述氮化镓结构中形成基...
    2025-11-30
  • 一种半导体器件的制备方法及半导体器件
    一种半导体器件的制备方法及半导体器件_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511511971.7
    本申请提供一种半导体器件的制备方法及半导体器件，涉及半导体器件技术领域，可以降低共享接触孔内的断路风险。方法包括：提供半导体初始结构，包括绝缘层以及间隔设置的栅极初始结构，绝缘层包括第一绝缘结构和第二绝缘结构，第一绝缘结构位于栅极初始结构的...
    2025-11-30
  • 用于BCD工艺的半导体结构及其制造方法
    用于BCD工艺的半导体结构及其制造方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511140758.X
    本发明提供了一种用于BCD工艺的半导体结构及其制造方法，所述制造方法包括：提供衬底，在所述衬底表面形成图形化的掩模层，所述图形化的掩模层的开口暴露所述衬底表面的N型掺杂区；执行P型离子注入，在所述N型掺杂区形成若干P型重掺杂区，以在所述衬底...
    2025-11-30
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410614932.9
    一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底、位于衬底上的鳍部以及位于鳍部上的栅极结构；在鳍部上、栅极结构侧壁以及栅极结构上形成初始第一侧墙；在形成初始第一侧墙后，对栅极结构两侧的鳍部进行刻蚀，形成源漏开口和位于栅极结构侧壁的第一侧墙；在...
    2025-11-30
  • 一种带有MOS可控型晶闸管结构的IGBT器件及其制备方法
    一种带有MOS可控型晶闸管结构的IGBT器件及其制备方法_嘉兴斯达微电子有限公司_202511147373.6
    本发明涉及功率器件技术领域，具体涉及一种带有MOS可控型晶闸管结构的IGBT器件及其制备方法，包括：集电层、缓冲层、漂移区、第一阱区和第二阱区共同组成PNPN型晶闸管结构，PNPN型晶闸管结构通过正面基区中的MOS结构进行导通。针对现有技术...
    2025-11-30
  • 高密度堆叠电容器和方法
    高密度堆叠电容器和方法_格芯(美国)集成电路科技有限公司_202510332941.3
    本公开涉及高密度堆叠电容器和关联形成方法。高密度堆叠电容器包括：第一和第二端子；和位于端子之间的并联连接的电容器的堆叠。堆叠包括第一电容器(例如平面晶体管型电容器)，其包括：横向地定位在连接到第一端子的源极区/漏极区之间的沟道区；和位于沟道...
    2025-11-30
  • 半导体器件及其制备方法、电子设备
    半导体器件及其制备方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410605965.7
    一种半导体器件及其制备方法、电子设备。所述半导体器件包括基底以及位于所述基底上的至少一个晶体管；所述至少一个晶体管包括第一极、第二极、沟道层和栅电极，所述栅电极的至少部分沿着垂直于所述基底所在平面的方向延伸，所述沟道层环绕所述栅电极的至少部...
    2025-11-30
  • 一种半导体器件的制备方法及半导体器件
    一种半导体器件的制备方法及半导体器件_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511512858.0
    本申请提供一种半导体器件的制备方法及半导体器件，涉及半导体器件技术领域，可以降低共享接触孔内的断路风险。方法包括：提供半导体初始结构，包括半导体衬底、第一绝缘层及间隔设置的栅极结构，第一绝缘层包括第一绝缘结构、第二绝缘结构和第三绝缘结构，第...
    2025-11-30
  • 一种基于静电纺丝的可剥离柔性Ga(3x+2y)/3NxOy薄膜及其制备方法
    一种基于静电纺丝的可剥离柔性Ga(3x+2y)/3NxOy薄膜及其制备方法_大连理工大学_202511479577.X
    本发明属于半导体薄膜材料与器件制备技术领域，涉及一种基于静电纺丝的可剥离柔性Ga(3x+2y)/3NxOy薄膜及其制备方法。该方法以金属为基片，在金属基片的一侧表面上依次制备扩散阻挡层、Ga2O3静电纺丝层、富Ga层、液态Ga层、Ga(3m...
    2025-11-30
  • 一种横向SiC-JFET器件及其制备方法
    一种横向SiC-JFET器件及其制备方法_上海合谱微电子技术有限公司_202511055191.6
    本申请提供了一种横向SiC‑JFET器件及其制备方法。器件包括：衬底；第一掺杂类型的外延层，形成在衬底之上；自外延层的上表面向下形成的第一掺杂类型的栅极；第一掺杂类型的栅极连接层，形成在栅极之上，且栅极的外侧边缘位于栅极连接层的外侧边缘内；...
    2025-11-30
  • 具有自对准多级场板的SiC VDMOSFET动态特性增强结构及其制备工艺
    具有自对准多级场板的SiC VDMOSFET动态特性增强结构及其制备工艺_杭州谱析光晶半导体科技有限公司_202511539583.X
    本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了具有自对准多级场板的SiC VDMOSFET动态特性增强结构及其制备工艺，包括若干个相互并列的MOS元胞，单个所述MOS元胞包括有漏极、半导体外延层、栅极、栅氧场板以及源极，所述半导体外延层包括N衬底...
    2025-11-30
  • 一种屏蔽栅场效应晶体管及制作方法
    一种屏蔽栅场效应晶体管及制作方法_捷捷微电(南通)科技有限公司_202511283780.X
    本申请提供了一种屏蔽栅场效应晶体管及其制作方法，涉及半导体技术领域。该屏蔽栅场效应晶体管包括控制栅与屏蔽栅，控制栅包括多个主体栅极与多个互连栅极，相邻两个主体栅极之间交错排布，且相邻两个主体栅极的端部位置通过互连栅极相连，并形成方形结构；屏...
    2025-11-30
  • 金属氧化物半导体场效应管及其制备方法
    金属氧化物半导体场效应管及其制备方法_天狼芯半导体(杭州)有限公司_202511143648.9
    本申请涉及一种金属氧化物半导体场效应管及其制备方法。金属氧化物半导体场效应管包括衬底、第一导电类型的漂移区、第二导电类型的阱区、栅极结构和第一导电类型的隧穿结结构。隧穿结结构位于漂移区内，隧穿结结构包括第一隧穿层和第二隧穿层。第一隧穿层具有...
    2025-11-30
  • LDMOSFET器件及制造方法、芯片
    LDMOSFET器件及制造方法、芯片_北京智芯微电子科技有限公司_202510952050.8
    本发明涉及半导体技术领域，提供一种LDMOSFET器件及制造方法、芯片。所述器件包括：衬底、体区、漂移区、源区、漏区、场氧化层和栅极结构，栅极结构包括第一多晶硅层、第二多晶硅层以及ONO介质层；第一多晶硅层嵌入体区内，第二多晶硅层嵌入漂移区...
    2025-11-30
  • LDMOSFET器件及制造方法、芯片
    LDMOSFET器件及制造方法、芯片_北京智芯微电子科技有限公司_202510952047.6
    本发明涉及半导体技术领域，提供一种LDMOSFET器件及制造方法、芯片。所述器件包括：衬底、体区、漂移区、第一浅槽隔离区、源区、漏区和栅极结构，体区和漂移区形成于衬底，第一浅槽隔离区形成于漂移区内，源区形成于体区的表面，漏区形成于漂移区的表...
    2025-11-30
  • LDMOSFET器件及制造方法、芯片
    LDMOSFET器件及制造方法、芯片_北京智芯微电子科技有限公司_202510952046.1
    本发明涉及半导体技术领域，提供一种LDMOSFET器件及制造方法、芯片。所述器件包括：衬底、体区、漂移区、隔离区、源区、漏区和栅极结构，栅极结构包括第一多晶硅层、第二多晶硅层以及ONO介质层；第一多晶硅层位于体区和漂移区的上方，ONO介质层...
    2025-11-30
  • 一种GaN基HEMT器件及其制备方法
    一种GaN基HEMT器件及其制备方法_华南师范大学_202511143174.8
    本发明提供了一种GaN基HEMT器件及其制备方法，属于HEMT器件技术领域。本发明提供的GaN基HEMT器件包括自下而上依次设置的衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层和金属电极；所述金属电极包括互不接触的源极、栅极和漏极；所述源极和漏极分别...
    2025-11-30
  • 一种常关型GaN HEMT器件及制备方法
    一种常关型GaN HEMT器件及制备方法_山东浪潮华光光电子股份有限公司_202510980931.0
    本申请提供的一种常关型GaN HEMT器件及制备方法涉及半导体技术领域。该常关型GaN HEMT器件及制备方法通过在栅极金属和AlGaN势垒层之间引入BaTiO3/SiNx复合介质层调控阈值电压，同时在漏极金属侧设置三维电荷耦合结构优化电场...
    2025-11-30
  • GaN HEMT器件及其制备方法
    GaN HEMT器件及其制备方法_深圳大学_202510912806.6
    本申请提供了一种GaN HEMT器件及其制备方法。GaN HEMT器件包括GaN半绝缘衬底、GaN外延层、AlGaN势垒层、漏极金属、栅极金属以及源极金属，GaN半绝缘衬底采用离子辐照氮化镓单晶衬底的方法制备而成，GaN半绝缘衬底、GaN外...
    2025-11-30
  • 一种LDMOS器件的制备方法及LDMOS器件
    一种LDMOS器件的制备方法及LDMOS器件_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511501182.5
    本申请公开了一种LDMOS器件的制备方法及LDMOS器件，LDMOS器件的制备方法包括：提供半导体层，所述半导体层包括用于形成体区的第一区域和用于形成漂移区的第二区域，从靠近第一区域到远离第一区域的方向，第二区域依次包括第一子区域、第二子区...
    2025-11-30
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