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最新专利技术
  • 一种显示面板及显示装置
    一种显示面板及显示装置_天马新型显示技术研究院(厦门)有限公司_202511072415.4
    本公开提供一种显示面板及显示装置， 涉及显示技术领域， 包括阵列层、键合层和发光元件；显示面板包括显示区和至少部分围绕显示区的非显示区， 键合层包括位于显示区的多个连接部以及位于非显示区的多个辅助部， 发光元件通过连接部与阵列层电连接， 至...
    2025-11-21
  • 显示面板及其制作方法、显示装置
    显示面板及其制作方法、显示装置_天马新型显示技术研究院(厦门)有限公司_202510837300.3
    本发明提供一种显示面板及其制作方法、显示装置， 涉及显示技术领域， 用于使显示面板兼顾实现高亮度和低反射率。显示面板包括：阵列基板， 包括衬底和阵列层；位于阵列基板一侧的多个发光元件， 发光元件包括远离衬底一侧的出光表面；位于阵列基板一侧的...
    2025-11-21
  • 显示面板、显示面板的制备方法和显示装置
    显示面板、显示面板的制备方法和显示装置_成都辰显光电有限公司_202410408744.0
    本申请属于显示技术领域， 尤其涉及显示面板、显示面板的制备方法和显示装置。本申请公开的显示面板包括基板、阵列层和接触电极， 阵列层设置于基板上， 阵列层内设有多个间隔设置的发光单元， 发光单元的出光面朝向基板；接触电极位于发光单元背离基板的...
    2025-11-21
  • 显示装置
    显示装置_海信视像科技股份有限公司_202410370371.2
    本申请提供实施例提供一种显示装置， 属于显示技术领域， 旨在解决相关技术中发光元件的发光亮度低， 显示装置的显示效果差的技术问题。该显示装置包括基板、阻光件和发光元件；阻光件设置于基板上；阻光件设置有容纳槽， 在容纳槽槽底至容纳槽槽口的方向...
    2025-11-21
  • 一种显示面板及电子设备
    一种显示面板及电子设备_天马新型显示技术研究院(厦门)有限公司_202510896684.6
    本申请提供了一种显示面板及电子设备， 涉及显示技术领域。显示面板包括：透光基板， 透光基板包括相背设置的出光表面和线路表面；位于线路表面上的触控线路层；位于触控线路层背离透光基板一侧的信号线路层；位于信号线路层背离透光基板一侧的发光结构， ...
    2025-11-21
  • 微型LED模组封装结构、制备方法以及显示装置
    微型LED模组封装结构、制备方法以及显示装置_青岛歌尔视显科技有限公司_202510867091.7
    本发明公开了一种微型LED模组封装结构、制备方法以及显示装置， 涉及微显示技术领域， 其中该微型LED模组封装结构包括基板、驱动芯片、LED芯片以及保护壳；基板包括贴片区和焊线区；驱动芯片贴装于贴片区， 并通过引线与焊线区电连接；LED芯片...
    2025-11-21
  • 一种微LED发光显示面板及其形成方法
    一种微LED发光显示面板及其形成方法_罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司_202511301701.3
    本发明公开了一种微LED发光显示面板及其形成方法， 在本发明的微LED发光显示面板的形成方法， 通过设置第二封装层接触所述微LED发光芯片的所述第一半导体层的下表面和侧表面， 第二封装层的树脂材料的固化率为70‑80%；以及设置第三封装层接...
    2025-11-21
  • 一种激光加工制备三色钙钛矿Micro-LED色转换层的方法
    一种激光加工制备三色钙钛矿Micro-LED色转换层的方法_南京理工大学_202510910416.5
    本发明公开了一种激光加工制备三色钙钛矿Micro‑LED色转换层的方法， 使用激光对色转换层结构中的LiF无机保护薄膜和Al金属隔色薄膜进行处理， 通过调整激光加工参数， 实现不同分辨率的微缩阵列加工。之后在金属隔色薄膜上旋涂形成钙钛矿薄膜...
    2025-11-21
  • 并联通信的幻彩光电二极管制造方法、幻彩光电二极管及光电显示屏
    并联通信的幻彩光电二极管制造方法、幻彩光电二极管及光电显示屏_深圳市华笙光电子有限公司_202410410018.2
    本发明公开了一种并联通信的幻彩光电二极管制造方法、幻彩光电二极管及光电显示屏， 其中， 该方法包括：提供一体式支架， 一体式支架包括多个支架单体；每个支架单体上包括基座和设在基座上多个引脚， 基座具有封装腔；在每个封装腔内固定安装可见光发光...
    2025-11-21
  • 一种基于高效散热的LED灯珠结构
    一种基于高效散热的LED灯珠结构_深圳市星光宝半导体有限公司_202510966077.2
    本发明提供一种基于高效散热的灯珠结构， 属于灯珠技术领域， 该基于高效散热的灯珠结构包括：基座；安装槽， 安装槽开设于基座的上端；散热架， 散热架固定连接于安装槽的下内壁；芯片主体， 芯片主体固定连接于安装槽的上端；胶体， 胶体固定连接于基...
    2025-11-21
  • LED灯珠及其制备方法、LED光源
    LED灯珠及其制备方法、LED光源_鸿利智汇集团股份有限公司_202511017959.0
    本申请提供了一种LED灯珠及其制备方法、LED光源， 该LED灯珠包括基板；至少一个LED芯片， 位于所述基板上；第一围堰， 位于每个所述LED芯片上；遮光层， 位于所述基板以及所述LED芯片位于所述第一围堰之外的区域上， 所述遮光层与所述...
    2025-11-21
  • Micro-LED器件
    Micro-LED器件_苏州大学_202511242186.6
    本申请涉及半导体领域， 具体地说， 是涉及一种Micro‑LED器件， 其通过将台面结构的侧壁设置为与衬底之间夹角小于90°的倾斜侧壁， 以便于介质膜沉积， 进而在侧壁表面形成由不同材料组成的多层光学增透层， 实现侧壁出光增透， 最终提高M...
    2025-11-21
  • 一种提高出光效率的图形化衬底及其制备方法
    一种提高出光效率的图形化衬底及其制备方法_福建中晶科技有限公司_202510912927.0
    本发明公开了一种提高出光效率的图形化衬底及制备方法， 该图形化衬底包括衬底层以及在衬底层表面形成的凸起部；各凸起部的顶部中心点与衬底层的垂直距离为凸起部的高度， 所述凸起部在衬底层按照高度由中心到边缘逐步增加的方式排列形成阵列， 图形化衬底...
    2025-11-21
  • 一种深紫外纳米微孔多重结构外延衬底及其制备方法
    一种深紫外纳米微孔多重结构外延衬底及其制备方法_徐州美兴光电科技有限公司_202510930614.8
    本发明公开了一种深紫纳米微孔多重结构外延衬底及其制备方法。深紫纳米微孔多重结构外延衬底， 包括微孔复合蓝宝石衬底， 微孔复合蓝宝石衬底上设置有微孔， 微孔的底部设置有凸起结构。该制备方法， 包括在蓝宝石衬底上通过匀胶机旋涂一层纳米压印胶， ...
    2025-11-21
  • 一种提高发光效率的外延结构及其制备方法
    一种提高发光效率的外延结构及其制备方法_厦门乾照光电股份有限公司_202510909843.1
    本发明公开一种提高发光效率的外延结构及其制备方法， 外延结构包括由下至上依次层叠设置的衬底、N型半导体层、第一电流扩展层、有源层、第二电流扩展层、P型半导体层；所述第一电流扩展层为InGaN‑GaN‑AlGaN复合层， 其中的InGaN/G...
    2025-11-21
  • 一种基于AlGaN或AlN增强极化效应的InGaN红光LED器件及其制备方法
    一种基于AlGaN或AlN增强极化效应的InGaN红光LED器件及其制备方法_清华大学_202410385158.9
    本发明提供了一种基于AlGaN或AlN增强极化效应的InGaN红光LED器件及其制备方法。该InGaN红光LED器件包括：衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、n型掺杂GaN层、超晶格层和/或低温GaN层、量子阱有源区以及p型区， 其中， 量子阱有...
    2025-11-21
  • 一种LED外延结构及其制备方法
    一种LED外延结构及其制备方法_江西乾照光电有限公司_202511292427.8
    本发明提供一种LED外延结构及其制备方法， 采用MOCVD方法沉积生长外延结构， 外延结构包括衬底， 以及在衬底上以第一方向依次设置的N型半导体层、量子点有源层、P型半导体层；其中， 所述量子点有源层包括沿第一方向依次设置的InN蓝光量子点...
    2025-11-21
  • 发光二极管外延片及发光二极管
    发光二极管外延片及发光二极管_江西兆驰半导体有限公司_202511277602.6
    本发明公开了一种发光二极管外延片及发光二极管， 涉及光电器件领域。外延片包括第一多量子阱层、第二多量子阱层、第一应力释放层、第三多量子阱层和P型半导体层；第一多量子阱层包括InxGa1‑xN层、第一GaN层、AlaGa1‑aN层和第二GaN...
    2025-11-21
  • 一种基于阱阱耦合结构的低蓝移InGaN红光LED器件及其制备方法
    一种基于阱阱耦合结构的低蓝移InGaN红光LED器件及其制备方法_清华大学_202410385152.1
    本发明提供了一种基于阱阱耦合结构的低蓝移InGaN红光LED器件及其制备方法。该LED器件自下至上包括：衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、n型掺杂GaN层、超晶格层和/或低温GaN层、宽浅量子阱和隧穿势垒复合层、InGaN窄深量子阱和红光势垒复...
    2025-11-21
  • 一种发光二极管芯片及其制备方法
    一种发光二极管芯片及其制备方法_罗化芯显示科技开发(江苏)有限公司_202511301705.1
    本发明公开了一种发光二极管芯片及其制备方法， 在本发明的发光二极管芯片的制备方法中， 通过设置第N量子阱层的厚度大于第一量子阱层的厚度， 对所述第N量子阱层进行图案化处理， 以形成多个第一凹槽， 在多个所述第一凹槽中填充无机散射颗粒， 且通...
    2025-11-21
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