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一种用于碳化硅单晶的双面增透膜及其制备方法
本发明涉及一种用于碳化硅单晶的双面增透膜及其制备方法。所述用于碳化硅单晶的双面增透膜的结构包括:碳化硅基底,所述碳化硅基底包括相背的第一表面和第二表面;沉积于所述第一表面的第一镀膜膜层;以及,沉积于所述第二表面的第二镀膜膜层。
一种光热调控多层薄膜及其制备方法
本发明提供了一种光热调控多层薄膜及其制备方法,属于光学薄膜技术领域,该薄膜包括自下而上依次溅射沉积在石墨基底表面的第四薄膜层、第三薄膜层、第二薄膜层和第一薄膜层;其中,所述第一薄膜层与所述第二薄膜层用于实现可见光结构色调控和力学防护,所述第...
一种薄膜型热障复合涂层及其制备方法与应用
本发明涉及表面工程与功能涂层技术领域,公开了一种薄膜型热障复合涂层及其制备方法与应用,其中,制备方法包括步骤:采用高能脉冲磁控溅射方法在基体表面沉积金属粘结层,所述金属粘结层的材料为NiCrAlY或NiCoCrAlY;采用高能脉冲磁控溅射方...
一种面心立方反铁磁γ-CoMn合金单晶薄膜及其制备方法
本发明涉及一种面心立方反铁磁γ‑CoMn合金单晶薄膜及其制备方法,属于凝聚态物理材料技术领域。所述面心立方反铁磁γ‑CoMn合金单晶薄膜包括由下至上依次设置的衬底、缓冲层和γ‑CoMn合金单晶薄膜;所述γ‑CoMn合金单晶薄膜的化学组成为γ...
一种真空镀膜设备风冷缓存回流机构
本发明是真空镀膜设备风冷缓存回流机构,其结构是风冷升降组件设置在回流移栽平台一端两侧,回流升降组件设置在另一端两侧,回流升降组件上方为导片机机架。风冷升降组件作为从工艺腔体出来的热金属舟冷却工位。回流移栽平台位于风冷升降组件和回流升降组件下...
一种光学镀膜卸镜片设备及镜片取放方法
本发明属于光学元件制造设备的技术领域,具体涉及一种光学镀膜卸镜片设备及镜片取放方法,包括机架、镀膜伞、三维运动模组、取放机构、以及摇篮机构,所述三维运动模组用于驱动取放机构在三维空间内运动,以使取放机构定位至经摇篮机构调整后的镀膜伞上的任一...
一种光学镜片加工用镀膜系统
本发明公开了一种光学镜片加工用镀膜系统,属于镀膜领域,包括镀膜设备主体,所述镀膜设备主体一侧的外表面固定安装有控制件,并且镀膜设备主体一侧外表面转动连接有密封门,所述镀膜设备主体的顶部设置有滑动机构,所述滑动机构用于对镀膜后的镜片移出方便对...
镀锅及蒸镀装置
本公开提供了一种镀锅及蒸镀装置,属于半导体制备技术领域。镀锅包括:镀锅本体、管道和多个晶圆载台,所述多个晶圆载台分布在所述镀锅本体上,所述晶圆载台包括承载板,所述承载板中具有间隔布置的多个通气孔,所述管道的一端与所述晶圆载台连接且与所述通气...
一种导光板反光层的蒸发镀膜设备
本申请公开了一种导光板反光层的蒸发镀膜设备,涉及导光板加工的技术领域,包括机体、转动架、多个定位装置、驱动装置、靶材架和蒸发装置;所述机体的内部具有镀膜空间,所述转动架转动设置于所述镀膜空间中;所述定位装置包括转动座、挡板和两个定位组件;所...
自反应放热箔制备方法和自反应放热箔应用方法
本申请保护一种自反应放热箔制备方法及自反应放热箔应用方法,自反应放热箔制备方法包括至少如下步骤:将氧化石墨烯粉末溶解到无水乙醇中,配置石墨烯分散液;将所述石墨烯分散液旋涂至基底,烘烤所述基底以得到石墨牺牲层;在所述石墨牺牲层上沉积放热箔;将...
反应式等离子体镀膜设备
本发明公开了一种反应式等离子体镀膜设备,包括:具有真空腔的镀膜室;靶座,设置于真空腔内,靶座用于承载靶材;等离子体发生器,设置于镀膜室的侧部,等离子体发生器用于向靶材发出电子束,以使靶材升华并解离成靶材离子;传送系统,用于运载衬底,传送系统...
溅镀用钛靶及其制造方法、以及含钛薄膜的制造方法
本发明提供一种溅镀用钛靶及其制造方法、以及含钛薄膜的制造方法。具体的,本发明提供一种具有平均晶体粒径为1μm以下的重结晶组织的溅镀用钛靶。另外,本发明还提供一种溅镀用钛靶的制造方法,包括以下步骤:对已切割的钛锭进行大应变加工而得到加工板的步...
一种固态电池用磷酸锂靶材及其制备方法和应用
本发明提供了一种固态电池用磷酸锂靶材及其制备方法和应用。包括背板和设于所述背板表面的靶材本体,所述靶材本体的制备原料包括LiPO4粉末、碳粉、La2O3粉末和X的氧化物,其中,X为Ti、Zr、Ta、Nb中的一种或两种。本发明靶材通过碳粉、L...
一种耐压型蓝宝石窗口低粗糙度氧化物三波段增透膜及其制备方法
本发明提供了一种耐压型蓝宝石窗口低粗糙度氧化物三波段增透膜及其制备方法。制备方法包括如下步骤:S1.蓝宝石基片预处理;S2.采用离子束溅射交替镀制低折射率膜和高折射率膜,其中低折射率靶材为掺杂氧化铝的氧化硅,氧化铝的掺杂量为靶材质量的1.1...
一种铜种子层的制备方法
本发明涉及一种铜种子层的制备方法,其中,制备方法包括自电离等离子体溅射,进行铜种子层的沉积时,氩气流量为1sccm~10sccm、直流溅射功率为10kW~20kW、射频偏压功率为150W~250W且初始温度为20℃~30℃。本发明提供的制备...
一种蓝宝石镀膜设备及工艺
本发明涉及宝石加工技术领域,且公开了一种蓝宝石镀膜设备及工艺,包括固定板,固定板顶部四角的内部均设置有自动调节机构,用于调节处于位置偏移状态的蓝宝石,本发明通过设置在载台上的限位检测机构,利用多个感应板及其内置的重量感应器,能够实时、多方位...
一种用于生产高纯度砹-211的回旋加速器复合金属靶材及其制备方法和设计方法
本发明公开了一种抑制基底活化的高纯度砹‑211生产用复合靶材及其设计方法与制备方法,属于医用放射性同位素生产技术领域。所述复合靶材包括金属基底及依次层叠于其表面的铬层、金层和铋层。本发明通过引入“铬‑金‑铋”梯度多层结构,协同解决了传统铋‑...
一种钌靶材及其制备方法
本发明涉及靶材制造技术领域,尤其涉及一种钌靶材及其制备方法。该方法包括:将钌粉进行高压冷模压成型,得到钌素坯;将钌素坯置于不锈钢或低碳钢材质的金属包套内,进行高温抽真空排气和焊封,得到装有钌素坯的金属包套;将装有钌素坯的金属包套进行两阶段的...
含有Si-Ni涂层的铝合金及其应用、铝合金表面处理方法
本发明公开了一种含有Si‑Ni涂层的铝合金及其应用、铝合金表面处理方法。所述含有Si‑Ni涂层的铝合金包括:铝合金、沉积在铝合金表面的Si涂层、沉积在Si涂层表面的Ni涂层;所述铝合金表面处理方法包括:将预处理后的铝合金置入磁控溅射腔体内,...
一种基于多物理场组合的刀具氮化物涂层制备方法
本发明公开了一种基于多物理场组合的刀具氮化物涂层制备方法,包括以下步骤:步骤一、按照重量份数准备刀具氮化物涂层材料的组成组分;步骤二、基体预处理;步骤三、多物理场协同沉积;步骤四、后处理退火;本发明通过多物理场协同作用,实现纳米YSZ、F‑...
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