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最新专利技术
  • 半导体器件及其制备方法、存储系统
    半导体器件及其制备方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411339932.9
    本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、存储系统，涉及半导体芯片技术领域，旨在改善导电结构给外围电路的路径较远导致的信号延时问题。该半导体器件包括沿第一方向层叠设置的第一管芯和第二管芯。第一管芯包括：导电结构、第一晶体管和第一连接结构。其中...
    2026-04-08
  • 薄膜电阻及其制作方法
    薄膜电阻及其制作方法_广州增芯科技有限公司_202511992174.5
    本发明提供了一种薄膜电阻及其制作方法，薄膜电阻包括：金刚石层；碳化钛膜，位于金刚石层上；钽氮化物电阻层，位于局部的碳化钛膜表面，碳化钛膜与金刚石层形成共价键结合，并且，碳化钛膜的晶格常数与钽氮化物电阻层的晶格常数之间具有第一晶格常数差距，金...
    2026-04-08
  • 电容器结构及其形成方法
    电容器结构及其形成方法_南亚科技股份有限公司_202411593770.1
    本发明提供一种电容器结构。电容器结构包括底部电极、第一介电层及第一顶部电极。底部电极包括底部及侧部，其中侧部从底部的边缘向上延伸，侧部包括第一部分及第二部分在第一部分上，以及第一部分的第一宽度小于第二部分的第二宽度。第一介电层在底部电极上。...
    2026-04-08
  • 一种基于多级树状叉指结构的三维电容器
    一种基于多级树状叉指结构的三维电容器_无锡缶英微电子科技有限公司_202511929528.1
    本发明公开了一种基于多级树状叉指结构的三维电容器，其包括：硅衬底，其中所述硅衬底表面开设有硅槽，硅槽内表面及其邻近的硅衬底表面至少设置有第一电极层、第二电极层及将第一电极层和第二电极层隔开的介质层，第一电极层、第二电极层和介质层形成深沟槽结...
    2026-04-08
  • 齐纳二极管及其制备方法
    齐纳二极管及其制备方法_汎星半导体股份有限公司_202510926886.0
    本公开提出一种齐纳二极管及其制备方法，包括：基板、埋入层、扩散层和外延层；埋入层在基板的一个设置面上的至少一部分区域形成；外延层至少在埋入层上形成；扩散层至少在外延层上形成；其中扩散层与埋入层之间具有一定距离。
    2026-04-08
  • 一种稳压二极管
    一种稳压二极管_泉州三安半导体科技有限公司_202511704704.1
    本发明公开了一种稳压二极管，该稳压二极管包括第一导电类型衬底、第二导电类型掺杂区及第一导电类型掺杂区，第二导电类型掺杂区自第一导电类型衬底的第一表面的中间区域向第二表面的方向延伸至第一导电类型衬底的内部。第一导电类型掺杂区形成于第二导电类型...
    2026-04-08
  • 一种微小电流和电压测量器件
    一种微小电流和电压测量器件_北京师范大学_202610235735.5
    本发明提供一种微小电流和电压测量器件，属于半导体器件领域，包括集电区、基区、中心发射区、环绕中心发射区的保护环、位于中心发射区与保护环之间的高电阻区以及淬灭电阻；中心发射区和集电区可为硅材料，基区可为锗硅材料；中心发射区与基区形成发射结，保...
    2026-04-08
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202510194499.2
    提供一种半导体装置，其包含具有IGBT和二极管的RC‑IGBT，能够降低损耗。实施方式的半导体装置具备晶体管区域、二极管区域以及将晶体管区域及二极管区域包围的末端区域。晶体管区域包含第一沟槽和第一沟槽中的第一导电层。二极管区域包含第二沟槽和...
    2026-04-08
  • 改进牺牲材料的移除以使沟道延伸部最小化
    改进牺牲材料的移除以使沟道延伸部最小化_英特尔公司_202511174502.0
    本发明名称是“改进牺牲材料的移除以使沟道延伸部最小化”。在(例如，纳米带、纳米线等的)平行沟道结构之间具有电介质间隔物的集成电路(IC)装置。一种晶体管结构可具有在源主体与漏主体之间的第一沟道层和第二沟道层、在沟道层之间具有栅金属和栅电介质...
    2026-04-08
  • 一种半导体器件及其制造方法
    一种半导体器件及其制造方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411311914.X
    本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，所述制造方法包括：提供半导体结构，其中，半导体结构包括衬底、位于衬底上的鳍片、位于衬底上且与鳍片相交的伪栅结构、以及覆盖衬底和鳍片的介质层，介质层的上表面与伪栅结构的顶表面齐平；去除伪栅结构，以形成位...
    2026-04-08
  • 分段互联的浮空沟槽式功率半导体器件及其制备方法
    分段互联的浮空沟槽式功率半导体器件及其制备方法_上海毅笃功率半导体科技有限公司_202511874066.8
    本发明提供一种分段互联的浮空沟槽式功率半导体器件及其制备方法。所述方法包括在第一沟槽内填充浮空电极与绝缘介质层交替设置的多层分段浮空电极结构，相同深度的浮空电极彼此电学互联，不同深度的浮空电极彼此电学隔离。本发明通过三维沟槽结构创新与电荷调...
    2026-04-08
  • 一种控制IPO厚度的屏蔽栅沟槽型MOSFET制造方法
    一种控制IPO厚度的屏蔽栅沟槽型MOSFET制造方法_扬杰科技(无锡)有限公司_202511995306.X
    一种控制IPO厚度的屏蔽栅沟槽型MOSFET制造方法，涉及半导体技术领域。在外延片上刻蚀出沟槽后，再填光刻胶，曝光到沟槽顶部；然后湿法刻蚀侧壁氧化层到指定深度；去除光刻胶；再生长100Å~400Å的热氧化层；淀积100Å~400Å的Nitr...
    2026-04-08
  • 一种高可靠性超势垒整流器及其制作方法
    一种高可靠性超势垒整流器及其制作方法_贵州辰矽电子科技有限公司_202610222251.7
    本发明提供一种高可靠性超势垒整流器及其制作方法，涉及功率半导体技术领域；制作方法如下，生长第一氧化层，并刻蚀形成沟槽；将离子注入到沟槽中的外延层上形成场限环，并在场限环上沉积第二氧化层；通过刻蚀形成有源区；在有源区上通过掩膜沉积形成多晶硅栅...
    2026-04-08
  • 晶体管及其制备方法
    晶体管及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511594351.4
    本公开提供了一种晶体管及其制备方法，属于半导体技术领域。所述晶体管包括依次层叠的衬底、单晶态的成核层与缓冲层、非晶态的介质掩模层和GaN沟道层；所述介质掩模层中具有贯穿所述介质掩模层的多个掩模窗口，所述GaN沟道层覆盖所述介质掩模层且填充所...
    2026-04-08
  • 光响应HEMT器件及其制备方法
    光响应HEMT器件及其制备方法_上海新微半导体有限公司_202511889878.X
    本发明提供一种光响应HEMT器件及其制备方法，通过在势垒层上形成P型掺杂h‑BN阵列，形成p‑hBN/n‑AlGaN异质结，在黑暗条件下，该p‑hBN/n‑AlGaN异质结产生的内建电场使p‑hBN层下方的导带抬升，导致AlGaN/GaN异...
    2026-04-08
  • 一种高电子迁移率晶体管及制作方法
    一种高电子迁移率晶体管及制作方法_英诺赛科(珠海)科技有限公司_202511906526.0
    本申请涉及半导体器件技术领域，提供一种高电子迁移率晶体管及制作方法，其中高电子迁移率晶体管包括：基底结构；源极以及漏极设置于基底结构上；P型氮化镓层，设置于基底结构上；N型氮化镓层，设置于P型氮化镓层上，N型氮化镓层设置有位于边缘部的第一开...
    2026-04-08
  • 一种GaN HEMT全介质悬浮场板器件及其制备方法
    一种GaN HEMT全介质悬浮场板器件及其制备方法_成都航天博目电子科技有限公司_202610221767.X
    本发明公开了一种GaN HEMT全介质悬浮场板器件及其制备方法，所述器件包括：在衬底上依次外延生长的GaN缓冲层、GaN沟道层和氮化物势垒层；形成在氮化物势垒层上方的源极、漏极、栅极和钝化层；以及形成在钝化层上方的梯度孔径超表面；所述梯度孔...
    2026-04-08
  • 半导体装置
    半导体装置_世界先进积体电路股份有限公司_202411275245.5
    本申请提供一种半导体装置，包括具有第一导电类型的一基底、位于基底上且具有第一导电类型的一外延层、自外延层的顶表面延伸至外延层中的一沟槽结构和具有第二导电类型的一阱、具有第一导电类型的第一重掺杂部和具有第二导电类型的第二重掺杂部形成于阱中。沟...
    2026-04-08
  • 沟槽型MOS器件及其制造方法
    沟槽型MOS器件及其制造方法_华润微电子(重庆)有限公司_202411334588.4
    本发明涉及一种沟槽型MOS器件及其制造方法，所述器件包括：若干沟槽栅结构，每个沟槽栅结构包括位于第一沟槽中的栅极，以及位于第一沟槽中且将栅极包覆的栅介电层；源极区，位于各第一沟槽的两侧；沟槽场板结构，包括位于第二沟槽内表面的场板介电层，以及...
    2026-04-08
  • 一种提高SiC MOSFET开关速度的结构及其制备方法
    一种提高SiC MOSFET开关速度的结构及其制备方法_中国航天标准化研究所_202511711175.8
    本发明提出一种提高SiC MOSFET开关速度的结构及制备方法，三维元胞结构上选取八边形元胞结构，将八边形元胞结构与传统的条状与方形元胞结构进行对比，选取栅覆盖面积用于对比不同元胞结构的开关速度，由于器件的栅漏电荷直接取决于器件的栅极与JF...
    2026-04-08
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