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最新专利技术
  • 适用手机屏蔽的滤波装置
    适用手机屏蔽的滤波装置_广州国保科技有限公司_202610200169.4
    本发明公开了一种适用手机屏蔽的滤波装置，其包括连接器、管件、第一导电件、第二导电件以及管状陶瓷电容。连接器包括金属材质的外壳及设于其内部的导电芯。管件为金属材质，其前端连接于连接器的外壳后端。第一导电件沿管件的轴向从管件内部穿过，并与管件不...
    2026-04-08
  • 电路板保护外壳拔取设备
    电路板保护外壳拔取设备_惠州市德赛西威汽车电子股份有限公司_202511919031.1
    本发明属于电路板加工技术领域，公开了一种电路板保护外壳拔取设备，用于拔取电路板上的保护壳，包括工作台、电路板定位组件和保护壳拔取组件。电路板定位组件可活动地设置于工作台，电路板定位组件被配置为约束电路板；保护壳拔取组件可活动地设置于工作台，...
    2026-04-08
  • 元件安装系统
    元件安装系统_株式会社富士_202511319971.7
    本发明提供一种元件安装系统，具备：元件安装装置，具有将至少包括收容多个元件的元件收容器在内的更换要素在排列方向上排列的元件供给部；及更换装置，对可拆装地装备于元件供给部的更换要素进行更换，更换装置具备：排列方向移动部，以能够相对于元件安装装...
    2026-04-08
  • 半导体器件及其制备方法、存储系统
    半导体器件及其制备方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411329080.5
    本申请公开了一种半导体器件及其制备方法、存储系统。半导体器件包括位线、连接层、半导体柱和栅极结构，位线沿第一方向延伸，连接层沿第二方向位于位线的一侧并沿位线的延伸方向延伸，半导体柱沿第二方向位于连接层背离位线的一侧，栅极结构沿第一方向位于半...
    2026-04-08
  • 半导体器件及其制备方法、存储器
    半导体器件及其制备方法、存储器_长江存储科技有限责任公司_202411329605.5
    本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、存储器、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决现有接触结构与其连接的半导体柱之间的界面缺陷和界面势垒问题。半导体器件包括：半导体柱和接触结构；半导体柱沿所述半导体器件的厚度方向延伸；接触结构位于所...
    2026-04-08
  • 一种集成电路、集成电路的制备方法及电子设备
    一种集成电路、集成电路的制备方法及电子设备_华为技术有限公司_202411337548.5
    本申请实施方式提供一种集成电路、集成电路的制备方法及电子设备。其中，集成电路包括设置在封装基板上的存储器，存储器包括在垂直于封装基板的方向上层叠设置的多个存储颗粒，其中，任意相邻的两个存储颗粒在封装基板上的投影存在不重叠的区域。每个存储颗粒...
    2026-04-08
  • 一种半导体器件及其制造方法、电子设备
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411337963.0
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，半导体器件包括：设置在衬底上沿垂直于衬底方向堆叠的多层存储单元阵列，以及，多个连接电极；所述存储单元阵列包括多个存储单元和平行于衬底方向延伸的信号线，每个所述连接电极连接一条信号线；连接电极包括一体式结...
    2026-04-08
  • 半导体结构的制造方法
    半导体结构的制造方法_南亚科技股份有限公司_202411467091.X
    半导体结构的制造方法，包含在基板上形成位元线结构；在基板上与位元线结构之间形成介电层；在介电层上形成包含经等离子体处理的富氧抗反射层以及设置在其上的富硅抗反射层的层堆叠；形成包含遮罩特征以及开口的图案化遮罩层在层堆叠上，开口具有小于相邻的位...
    2026-04-08
  • 先进半导体存储器的导体及接点的制造方法和半导体结构
    先进半导体存储器的导体及接点的制造方法和半导体结构_南亚科技股份有限公司_202411644490.9
    本发明提供一种先进半导体存储器的导体及接点的制造方法和半导体结构，在所述方法的工艺期间，在一基底上方提供一图案层，所述图案层包括第一方向上的次浅沟槽隔离图案和垂直于第一方向的第二方向上的次支撑梁图案，接着进行浅沟槽隔离STI刻蚀，所述浅沟槽...
    2026-04-08
  • 半导体存储装置及其形成方法
    半导体存储装置及其形成方法_华邦电子股份有限公司_202510195296.5
    本发明提供一种半导体存储装置及其形成方法。半导体存储装置包含具有主动区与围绕该主动区的隔离区的半导体基板、设置于半导体基板上的盖层、设置于半导体基板上的多个位线。每个位线都包含设置于半导体基板上的第一导电图案、设置于第一导电图案上的第二导电...
    2026-04-08
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202511327688.9
    一种半导体器件包括：单元垂直有源图案和外围垂直有源图案，处于相同的垂直高度；单元上扩展源极/漏极图案和单元接触插塞，顺序地堆叠在单元垂直有源图案上；外围上扩展源极/漏极图案和外围接触插塞，顺序地堆叠在外围垂直有源图案上；单元隔离图案，位于单...
    2026-04-08
  • 存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法
    存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法_美光科技公司_202511344100.0
    公开了存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法。存储器电路系统包括竖直交替的绝缘层级与存储器单元层级。所述存储器单元层级中的存储器单元个别地包括水平晶体管、在所述水平晶体管的电容器侧上的电容器，及在所述水平晶体管的数字线侧上的数字线的部...
    2026-04-08
  • 具有全局绝缘体上硅的存储器装置
    具有全局绝缘体上硅的存储器装置_美光科技公司_202511350693.1
    本公开涉及一种具有全局绝缘体上硅的存储器装置。多种应用可包含存储器装置，所述存储器装置具有所述存储器装置的存储器阵列的外围，其中所述外围具有构建于所述外围中的绝缘体上半导体中的一或多个装置。所述绝缘体上半导体可为绝缘体上硅。
    2026-04-08
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202511988862.4
    本发明提供一种半导体结构。半导体结构包括基板、单元电容器、通道层、字元线结构和介电层。单元电容器嵌入基板中。通道层位于单元电容器上，且通道层与单元电容器直接接触。字元线结构包围通道层，其中字元线结构的顶面低于通道层的顶面。字元线结构包括第一...
    2026-04-08
  • 半导体器件及存储器
    半导体器件及存储器_钠存科技(杭州)有限公司_202512000966.6
    本发明涉及一种半导体器件及存储器。半导体器件包括：铁电晶体管和存储电容；铁电晶体管包括源极区、漏极区、沟道区和栅极；源极区和漏极区位于衬底中；沟道区位于衬底中，且位于源极区和漏极区之间；栅极，覆盖沟道区的表面；其中，栅极包括层叠设置的隧穿层...
    2026-04-08
  • 半导体元件及其制作方法
    半导体元件及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411420286.9
    本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中制作半导体元件的方法，其主要先形成第一阱区于一基底内，然后形成一浅沟隔离于该第一阱区两侧，形成一栅极结构于该基底上，形成多个掺杂区于该栅极结构两侧，再形成多个接触插塞于该等掺杂区上。其中第一阱区深度...
    2026-04-08
  • 制造半导体装置的方法和制造电子装置的方法
    制造半导体装置的方法和制造电子装置的方法_爱思开海力士有限公司_202510365313.5
    本公开涉及一种制造半导体装置的方法和制造电子装置的方法。制造半导体装置的方法包括：形成层叠体；在所述层叠体中形成沟道孔；在所述沟道孔中形成初步沟道层；在所述初步沟道层上形成覆盖层，所述覆盖层在所述覆盖层的第一部分内具有第一厚度，并且在所述覆...
    2026-04-08
  • 半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统和电子设备
    半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统和电子设备_长江存储科技有限责任公司_202511973334.1
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统和电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决现有技术中三维存储器生产成本较高的技术问题。半导体结构包括堆叠结构、导电结构和导电插塞。堆叠结构包括核心区和非核心区。堆叠结构包括沿第一方向...
    2026-04-08
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_钠存科技(杭州)有限公司_202512004636.4
    本发明涉及一种半导体器件及其制备方法。半导体器件包括：依次层叠设置的第一电极层、阻变功能层和第二电极层；阻变功能层包括阻变材料层和氧捕获层，氧捕获层包括第一子层；第一电极层和第二电极层在阻变材料层上的投影重叠，构成电极重叠区域；其中，第一子...
    2026-04-08
  • 半导体器件及其制备方法、存储系统
    半导体器件及其制备方法、存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411339932.9
    本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、存储系统，涉及半导体芯片技术领域，旨在改善导电结构给外围电路的路径较远导致的信号延时问题。该半导体器件包括沿第一方向层叠设置的第一管芯和第二管芯。第一管芯包括：导电结构、第一晶体管和第一连接结构。其中...
    2026-04-08
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