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最新专利技术
  • 一种高密度半导体电制冷器件及其能量循环利用方法
    一种高密度半导体电制冷器件及其能量循环利用方法_深圳盼月亮创新技术有限公司_202610082257.9
    本发明涉及热电制冷技术领域，具体涉及一种高密度半导体电制冷器件及其能量循环利用方法，包括至少一个外部封装模组，其内部设有至少一个半导体制冷模组，至少一个温差发电模组，设置在所述外部封装模组的内部，一个电路适配模组，设置在所述外部封装模组的内...
    2026-03-26
  • 一种基于N型SnSe多晶的新型立方相热电材料及其制备方法
    一种基于N型SnSe多晶的新型立方相热电材料及其制备方法_太原科技大学_202511883510.2
    本发明公开了一种基于N型SnSe多晶的新型立方相热电材料及其制备方法，属于热电材料制备技术领域，所述热电材料为Pb、Te固溶和卤素掺杂的N型立方相SnSe多晶，化学通式为Sn0.55Se0.55‑xPb0.45Te0.45Mx，其中M为Cl...
    2026-03-26
  • 一种基于转角莫尔超晶格的热电感受器及其制备方法
    一种基于转角莫尔超晶格的热电感受器及其制备方法_南京航空航天大学_202511578688.6
    本发明公开了一种基于转角莫尔超晶格的热电感受器及其制备方法，通过调控石墨烯与TiSe2的层间扭转角(0°‑18°)优化电子‑声子耦合，结合卷积神经网络实现高精度温度检测(±0.1℃)与病理细胞分。该器件兼具高灵敏度、柔性及可集成性，适用于电...
    2026-03-26
  • 一种压电界面修饰的压电离子传感器及其制备方法和应用
    一种压电界面修饰的压电离子传感器及其制备方法和应用_苏州大学_202511875543.2
    本发明公开了一种压电界面修饰的压电离子传感器及其制备方法和应用，属于柔性压电离子传感器领域，将多壁碳纳米管分散在NMP中形成悬浮液，真空抽滤干燥得到多壁碳纳米管薄膜；将BPNA粉末溶解在DMF/乙醇溶液中通过液液扩散法得BPNA晶体；将PE...
    2026-03-26
  • 一种激光复合真空冷喷涂沉积压电陶瓷厚膜的方法
    一种激光复合真空冷喷涂沉积压电陶瓷厚膜的方法_空天信息大学(筹)_202511980740.0
    本发明涉及表面技术、先进制造技术领域，尤其涉及一种激光复合真空冷喷涂沉积压电陶瓷厚膜的方法。其方法包括如下步骤：采用真空冷喷涂将压电陶瓷粉末颗粒沉积在基体表面形成压电陶瓷厚膜前体；其中，在真空冷喷涂的过程中进行激光照射，激光照射的激光光路与...
    2026-03-26
  • 一种基于压电陶瓷的高频发生组件及其制备工艺
    一种基于压电陶瓷的高频发生组件及其制备工艺_邦瓷电子科技(盐城)有限责任公司_202511905360.0
    本发明公开了一种基于压电陶瓷的高频发生组件及其制备工艺，载体的底部依次设有绝缘隔离片、第一金属导电层、压电陶瓷片和第二金属导电层，绝缘隔离片位于载体一侧，第一金属导电层和第二金属导电层各引出一根导线，该发明中，第一金属导电层和第二金属导电层...
    2026-03-26
  • 一种基于PZT压电薄膜的晶圆MEMS气泵
    一种基于PZT压电薄膜的晶圆MEMS气泵_常州元晶摩尔微电子有限公司_202511949878.4
    本发明提供了一种基于PZT压电薄膜的晶圆MEMS气泵，涉及微机电系统(MEMS)及流体控制技术领域，包括上板、中板及下板，所述中板的顶部与上板的底部基于Au‑Sn共晶键合部位相互键合连接，所述中板与所述下板通过采用PDMS预处理的共价键合方...
    2026-03-26
  • 压电传感器及其制备方法
    压电传感器及其制备方法_上海集成电路制造创新中心有限公司_202511959119.6
    本申请涉及一种压电传感器及其制备方法。该压电传感器的制备方法，包括：提供基底；在基底上形成底电极；在底电极上形成第一金属层；在第一金属层上形成压电层；在压电层上形成第二金属层；在第二金属层上形成顶电极，得到中间结构；将中间结构在混合气体中进...
    2026-03-26
  • 提高电流变液稳定性的柔性封装体及其制备方法
    提高电流变液稳定性的柔性封装体及其制备方法_深圳北理莫斯科大学_202511929888.1
    本发明涉及电流变液封装系统技术领域，具体涉及提高电流变液稳定性的柔性封装体及其制备方法。本发明提供的柔性封装体，由两片PET/AL/PE结构的复合铝塑膜构成，四周贴有绝缘胶带热封成空腔，内灌巨电流变液；铝箔中间层兼作电极与阻水层，PET外层...
    2026-03-26
  • 一种基于压电-热电复合结构的自供能温度与压力传感器及其制备方法
    一种基于压电-热电复合结构的自供能温度与压力传感器及其制备方法_中国电子科技集团公司第十研究所_202511737555.9
    本发明公开了一种基于压电‑热电复合结构的自供能温度与压力传感器及其制备方法，属于传感器技术领域，包括：从内到外设置有内部压电核心层、外壳热电层、电极与电路系统；内部压电核心层包括柔性压电材料和内部电极，用于感知压力并产生压电信号，同时将机械...
    2026-03-26
  • 一种压电驱动器件的制造方法及压电驱动器件
    一种压电驱动器件的制造方法及压电驱动器件_深圳振华富电子有限公司_202511765842.0
    本申请提供了一种压电驱动器件的制造方法及压电驱动器件，制造步骤包括：制备压电陶瓷浆料，流延成型得到生瓷带；在生瓷带上按设定图案打孔，打孔部分为电极预留区域；在打孔后的生瓷带上印填内电极，再将生瓷带逐层叠放；通过等静压工艺将层叠的生瓷带压制形...
    2026-03-26
  • 一种高精度磁控设备制备磁隧道结的方法
    一种高精度磁控设备制备磁隧道结的方法_合肥致真精密设备有限公司_202511909645.1
    本发明公开了一种高精度磁控设备制备磁隧道结的方法，属于薄膜沉积技术领域。本发明改变了传统的全膜层结构，不采用钉扎结构，制备8层膜结构的Ta/Ru/Ta/CoFeB/MgO/CoFeB/Ta/Ru磁隧道结。减少膜层数量，工艺时间缩短，能够做出...
    2026-03-26
  • 磁存储装置
    磁存储装置_铠侠股份有限公司_202511166583.X
    实施方案提供了一种包括具有有利特性的磁阻效应元素的磁存储装置。根据一个实施方案，磁存储装置包括：第一磁性层；第一含预定元素层，其包含O并包含选自Sc、Y、Ti、Zr、Hf、Al、Si、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、H...
    2026-03-26
  • 一种巨磁阻磁传感器及其制备方法
    一种巨磁阻磁传感器及其制备方法_甘肃省科学院传感技术研究所_202511929457.5
    本发明公开了一种巨磁阻磁传感器及其制备方法，涉及磁传感器制备领域，所述巨磁阻磁传感器配置为柔性应力自适应磁传感器结构，该柔性应力自适应磁传感器结构包括自下而上依次设置的柔性基底、梯度缓冲层、自修复界面层、GMR功能层与柔性电极，柔性基底为聚...
    2026-03-26
  • 一种磁性多层膜及其制备方法和用途
    一种磁性多层膜及其制备方法和用途_中国科学院物理研究所_202610179586.5
    本发明涉及一种磁性多层膜及其制备方法和用途。该磁性多层膜包括：衬底；和依次层叠设置在所述衬底上的重金属层、铁磁层、稀土磁性合金层、稀土金属层、轻金属层和覆盖保护层；其中，所述重金属层配置为在电流作用下产生自旋流并以自旋轨道矩的形式作用于所述...
    2026-03-26
  • 基板制备方法、装置及量子芯片
    基板制备方法、装置及量子芯片_本源量子计算科技(合肥)股份有限公司_202411207240.9
    本发明公开了一种基板制备方法、装置及量子芯片，属于量子芯片制备技术领域。该基板制备方法包括，获取具有TSV通孔的初始基板；根据TSV通孔在初始基板的第一位置信息，制备具有目标通孔的目标掩膜板；利用目标通孔仅暴露TSV通孔，向TSV通孔注入填...
    2026-03-26
  • 一种银插层氧化钨忆阻器及其制备方法和应用
    一种银插层氧化钨忆阻器及其制备方法和应用_华南理工大学_202511628223.7
    本发明公开了一种银插层氧化钨忆阻器及其制备方法和应用。本发明的银插层氧化钨忆阻器的组成包括依次层叠设置的衬底、底电极层、第一氧化钨层、银层、第二氧化钨层和顶电极层。本发明的银插层氧化钨忆阻器的制备方法包括以下步骤：采用磁控溅射法在衬底的单面...
    2026-03-26
  • 一种具有双层微加热器的相变开关及其加工工艺
    一种具有双层微加热器的相变开关及其加工工艺_成都斯微奇微电子有限公司_202511864639.9
    本发明涉及相变开关领域，为解决现有相变开关难以实现高精度、高稳定性调控的问题，提供了一种具有双层微加热器的相变开关，包括顺次重叠的衬底层、底层微加热层、底层介质层、相变材料层、相变层薄膜电极、顶层介质层、顶层微加热层；底层微加热层与顶层微加...
    2026-03-26
  • 适用于不同衬底的无铅卤素钙钛矿基自整流忆阻器及其在神经形态计算中的应用
    适用于不同衬底的无铅卤素钙钛矿基自整流忆阻器及其在神经形态计算中的应用_天津理工大学_202511887887.5
    一种适用于不同衬底的无铅卤素钙钛矿基自整流忆阻器及其在神经形态计算中的应用，属于微电子存储技术领域。该器件为“衬底‑底电极‑忆阻层‑顶电极”层叠结构，核心忆阻层采用无铅钙钛矿CsBi3I10薄膜，而CsBi3I10与Ag顶电极界面处形成的A...
    2026-03-26
  • 一种氧化铪/氧化锆铁电薄膜的性能优化方法和应用
    一种氧化铪/氧化锆铁电薄膜的性能优化方法和应用_浙江大学_202511949582.2
    本发明公开了一种氧化铪/氧化锆铁电薄膜的性能优化方法和应用，包括以下步骤：依次在衬底层上沉积底电极、氧化铪/氧化锆铁电薄膜、顶电极，随后进行高温退火结晶处理，然后利用光刻以及刻蚀技术，定义出所需要的一系列待激活功能区，对功能区的铁电薄膜进行...
    2026-03-26
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