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最新专利技术
  • 声表面波谐振器、滤波器、通信芯片及电子设备
    声表面波谐振器、滤波器、通信芯片及电子设备_华为技术有限公司_202411201547.8
    一种声表面波谐振器、滤波器、通信芯片及电子设备，旨在解决通信性能差的问题。该声表面波谐振器的换能器中，第一假指设置在第一汇流条背离第二汇流条的一侧，并且第一假指与第一汇流条连接。第一假指可以增大第一汇流条背离第二汇流条一侧的密度，进而阻止频...
    2026-04-13
  • 一种具有异质复合层的横向激励体声波谐振器及制造方法
    一种具有异质复合层的横向激励体声波谐振器及制造方法_东南大学_202511667483.5
    本发明公开了一种具有异质复合层的横向激励体声波谐振器及制造方法，该横向激励体声波谐振器包括从下而上依次设置的基底层、粘附层、压电层、IDT结构、异质复合层；其中，基底层的中央设有空腔；IDT结构位于压电层之上的中央位置；异质复合层的数量为一...
    2026-04-13
  • 多工器
    多工器_株式会社村田制作所_202511240857.5
    提供一种多工器，能够将频率间隙小的两个频段的信号以可分波的方式同时传输。多工器(1)具备与公共端子(100)连接的滤波器(10及20)，滤波器(10)具备：配置于第一串联臂路径的串联臂谐振子(s11～s15)；以及第一可变电容电路，其同与公...
    2026-04-13
  • 适用于井下远距离声波探测的高压脉冲激励电路及控制方法
    适用于井下远距离声波探测的高压脉冲激励电路及控制方法_中国电子科技集团公司第四十一研究所_202511800130.8
    本发明涉及声波测井技术领域，提供了一种适用于井下远距离声波探测的高压脉冲激励电路及控制方法。该高压脉冲激励电路包括，直流电源用于为谐振充电模块供电；谐振充电模块分别连接直流电源、MCU和储能电容组，用于将电压升压至所需电压信号，为储能电容组...
    2026-04-13
  • 电容式数控衰减器
    电容式数控衰减器_希微科技(上海)有限公司_202511458989.5
    本申请涉及一种电容式数控衰减器，包括依次设置的多个衰减单元，每个衰减单元包括分压电路，分压电路至少包括串联的第一电容和第二电容，衰减单元的输出端位于第一电容与第二电容的连接点处。根据本发明提供的电容式数控衰减器，通过在每个衰减单元中设置由串...
    2026-04-13
  • 一种用于宽带波束合成的时延和均衡一体化的滤波方法
    一种用于宽带波束合成的时延和均衡一体化的滤波方法_中国电子科技集团公司第三十六研究所_202511743009.6
    本发明涉及一种用于宽带波束合成的时延和均衡一体化的滤波方法，属于宽带波束合成领域，解决了现有技术中宽带波束合成时滤波造成计算资源浪费、效率低的问题。滤波方法包括：将当前阵元接收信号输入至依次连接的各个移相器，各个移相器的输出结果形成当前阵元...
    2026-04-13
  • 具有校正功能的电路与电路校正方法
    具有校正功能的电路与电路校正方法_瑞昱半导体股份有限公司_202411198134.9
    本申请涉及具有校正功能的电路与电路校正方法。具有校正功能的电路包括：全差分放大器电路、两个电压产生电路、两个多工器、比较器及数字逻辑电路。全差分放大器电路放大一对差分输入电压以产生一对差分输出电压。一电压产生电路使得第一电流流经电容元件以产...
    2026-04-13
  • 一种基于系数分段的数字多相滤波器设计方法
    一种基于系数分段的数字多相滤波器设计方法_西安电子工程研究所_202511603406.3
    本发明具体涉及一种基于系数分段的数字多相滤波器设计方法，包括：将输入原始数据转换为M路多相形式；设计P个子滤波器，将原始滤波器系数扩充为MP长度，系数长度不足MP时补0，将系数分为P段；将M路多相输入数据同时输入P个子滤波器，每个子滤波器基...
    2026-04-13
  • 一种基于系数扩展的数字多相滤波器设计方法
    一种基于系数扩展的数字多相滤波器设计方法_西安电子工程研究所_202511603407.8
    本发明具体涉及一种基于系数扩展的数字多相滤波器设计方法，包括：对输入的原始信号进行并行扩展，扩展为多个并行支路；设计子滤波器组，子滤波器组对多个并行支路进行滤波处理；对子滤波器组输出进行并行组合得到滤波器输出。过反复迭代的方式将1路原始数据...
    2026-04-13
  • 静电卡盘电压滤波方法、控制器及静电卡盘系统
    静电卡盘电压滤波方法、控制器及静电卡盘系统_深圳市华芯半导体装备技术有限公司_202610148713.5
    本申请实施例公开一种静电卡盘电压滤波方法、控制器及静电卡盘系统。方法包括：获取静电卡盘的电压采样数据，基于电压采样数据确定静电卡盘所在工况的目标工况类型，基于目标工况类型调整预设的卡尔曼滤波器，得到调整后的卡尔曼滤波器，基于调整后的卡尔曼滤...
    2026-04-13
  • 基于回路电阻实时计算的FIR滤波器设计方法
    基于回路电阻实时计算的FIR滤波器设计方法_南京固攀自动化科技有限公司_202610155649.3
    本发明涉及电力设备状态监测技术领域，公开了基于回路电阻实时计算的FIR滤波器设计方法，包括：首先建立原型系数至多相子滤波器组的映射规则，并构建限定各分支能量重心与标称群时延严格对齐的线性管控条件；随后，利用包含该管控条件的系数校正算子，对依...
    2026-04-13
  • 一种射频电源频率调谐动态跟踪方法及系统
    一种射频电源频率调谐动态跟踪方法及系统_成都德芯数字科技股份有限公司_202610155153.6
    本发明涉及射频电源领域，具体涉及一种射频电源频率调谐动态跟踪方法及系统，方法包括以下依次执行的步骤：S1：基于初始载波频率和预设调制信号的频率生成调频信号；S2：对射频电源输出的经功率放大后的射频信号进行耦合采样，并对采样后的信号进行滤波处...
    2026-04-13
  • 信号检测系统和信号处理方法
    信号检测系统和信号处理方法_华为技术有限公司_202411249437.9
    本申请提供一种信号检测系统和信号处理方法。本申请提供的信号检测系统包括第一检测装置、第二检测装置、脉冲发生装置和信号处理装置，其中第一检测装置和第二检测装置在脉冲发生装置对检测对象输出脉冲信号的过程中分别获取第一电信号和第二电信号，信号处理...
    2026-04-13
  • PWM输出温度感测装置和包括该装置的驱动器
    PWM输出温度感测装置和包括该装置的驱动器_成都芯源系统有限公司_202511254490.2
    一种装置，包括周期性指数衰减信号生成电路和脉宽调制(PWM)生成电路。周期性指数衰减信号生成电路被配置为生成周期性指数衰减信号。在周期性指数衰减信号的每个周期中，周期性指数衰减信号从第一参考电压连续地指数衰减到第二参考电压。PWM生成电路被...
    2026-04-13
  • 一种基于国产FPGA芯片的脉冲宽度调制反馈电压控制方法
    一种基于国产FPGA芯片的脉冲宽度调制反馈电压控制方法_海鹰企业集团有限责任公司_202511776164.8
    本发明属于工业芯片技术领域，特别涉及一种基于国产FPGA芯片的脉冲宽度调制反馈电压控制方法。包括：根据电压采集芯片将采集到的电压信号送入FPGA，或者将待测电压通过DAC采集芯片转换成数字信号送入FPGA；FPGA根据输入的电压值进行PWM...
    2026-04-13
  • D类音频功放脉宽调制方法
    D类音频功放脉宽调制方法_禾润电子科技(嘉兴)股份有限公司_202511782127.8
    本发明公开了D类音频功放脉宽调制方法，包括步骤S1：在D类音频功放脉宽调制电路中，当音频输出差分后的幅度处于正值时，使输出信号OUTP=1为高电平；当音频输出差分后的幅度处于负值时，使输出信号OUTP=0为低电平；步骤S2：对于数字音频输入...
    2026-04-13
  • 一种用于芯片测试载板的开关电路
    一种用于芯片测试载板的开关电路_零壹半导体技术(常州)有限公司_202511608734.2
    本发明涉及开关电路技术领域，尤其涉及一种用于芯片测试载板的开关电路，包括第一开关、第二开关、第三开关和第四开关；其中，第一开关的左端与第四开关的左端连接，第一开关的右端与第三开关的右端连接，第二开关的左端与第三开关的左端连接，第二开关与第四...
    2026-04-13
  • 基于开关阱电容的带宽改进方法及电路
    基于开关阱电容的带宽改进方法及电路_成绎半导体(苏州)有限公司_202511662667.2
    本发明公开了一种基于开关阱电容的带宽改进方法及电路，所述方法包括：获得目标CMOS中MOS管的深N阱的最高耐压值；基于最高耐压值，确定施加到对应隔离端的高压信号；其中，高压信号用于在深N阱处形成的对地PN结上产生反向偏置电压；利用高压控制模...
    2026-04-13
  • 瞬变电磁法的快速关断电路
    瞬变电磁法的快速关断电路_中南大学_202511848360.1
    本发明公开了一种瞬变电磁法的快速关断电路，包括电源续流模块、H桥续流模块、发射线圈续流模块和关断模块；电源续流模块串接在电源的输出正极，用于阻止发射线圈通过H桥电路和电源进行续流；H桥电路的输出正极通过串接的发射线圈和关断模块连接H桥电路的...
    2026-04-13
  • 保护开关
    保护开关_意法半导体国际公司_202511269614.4
    本公开涉及保护开关。更具体而言，涉及一种过压和过流保护开关，所述过压和过流保护开关包括：第一NMOS型晶体管，所述第一NMOS型晶体管适于跨其导电端子接收第一电压；第二NMOS型晶体管，所述第二NMOS型晶体管包括耦合至所述第一晶体管的源极...
    2026-04-13
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