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最新专利技术
  • 半导体结构的制作方法
    半导体结构的制作方法_荣芯半导体(淮安)有限公司_202511848053.3
    本申请提供一种半导体结构的制作方法。该制作方法包括：提供表面形成有栅极氧化层和栅电极的半导体基底；在半导体基底上形成第一侧墙材料层，第一侧墙材料层共形地覆盖半导体基底、栅电极和栅极氧化层；在第一侧墙材料层上形成第二侧墙，第二侧墙位于栅电极的...
    2026-03-19
  • 一种半导体器件阈值电压控制方法、系统、设备及介质
    一种半导体器件阈值电压控制方法、系统、设备及介质_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610130109.X
    本发明提供的一种半导体器件阈值电压控制方法、系统、设备及介质，所述控制方法包括：制作栅介质层，测量并获取所述栅介质层的第一厚度；在所述栅介质层的基础上形成栅极多晶硅层，并对所述栅极多晶硅层表面进行氧化，得到离子阻挡层，测量并获取所述多晶硅层...
    2026-03-19
  • 石墨炔作栅介质层的半导体器件及制备方法
    石墨炔作栅介质层的半导体器件及制备方法_南开大学_202411162670.3
    本发明为一种石墨炔作栅介质层的半导体器件及制备方法。结构包括Si/SiO2衬底、半导体功能层、石墨炔介电层和金属电极；衬底上设有金属电极。具有底电极的衬底上设有二维半导体功能层，功能层覆盖底电极间沟道。所述功能层上设有新型石墨炔薄膜，该薄膜...
    2026-03-19
  • 功率组件及其制造方法
    功率组件及其制造方法_王佩如_202510810396.4
    本申请涉及一种功率组件及其制造方法。本申请涉及的功率组件，包含一沟槽结构、一凸型(mesa)部、一栅极介电层、一栅极、一氧化层、以及一载子浮置层。所述沟槽结构位于一半导体层上。所述凸型(mesa)部配置于所述沟槽结构中，具有一上部电极、一中...
    2026-03-19
  • 制造半导体器件的方法
    制造半导体器件的方法_三星电子株式会社_202510850074.2
    一种制造半导体器件的方法包括：形成被配置为第一基层、包括硅锗的第一蚀刻停止层、第二基层、包括硅锗的第二蚀刻停止层和第三基层的衬底叠层。通过蚀刻所述衬底叠层中的部分区域在所述衬底叠层中形成开口。在所述开口内生长单晶硅。形成在所述衬底叠层上并被...
    2026-03-19
  • 垂直晶体管的制备方法、垂直晶体管及半导体器件
    垂直晶体管的制备方法、垂直晶体管及半导体器件_北京知识产权运营管理有限公司_202511700073.6
    本申请提供了一种垂直晶体管的制备方法、垂直晶体管及半导体器件；该方法包括：在半导体衬底中形成介质叉片，其中，介质叉片在竖直方向上部分嵌入半导体衬底内部；去除半导体衬底的一部分，以形成一对有源结构，其中，一对有源结构中的两个有源结构沿第一水平...
    2026-03-19
  • 垂直晶体管的制备方法、垂直晶体管及半导体器件
    垂直晶体管的制备方法、垂直晶体管及半导体器件_北京知识产权运营管理有限公司_202511713479.8
    本申请提供了一种垂直晶体管的制备方法、垂直晶体管及半导体器件；该方法包括：在半导体衬底中形成介质叉片，介质叉片在竖直方向上部分嵌入半导体衬底内部；去除半导体衬底的一部分和介质叉片的一部分，以分别形成一对有源结构和介质柱，一对有源结构中的两个...
    2026-03-19
  • 一种并联SiC MOSFET器件及其制备方法
    一种并联SiC MOSFET器件及其制备方法_深圳市芯电元科技有限公司_202610103150.8
    本申请公开了一种并联SiC MOSFET器件及其制备方法，该制备方法包括：将器件外延层划分为元胞区和辅助均流区，辅助均流区位于元胞区的一侧边缘；通过第一预设工艺在器件外延层进行沟槽蚀刻处理，以在元胞区蚀刻出若干主沟槽；通过第二预设工艺再次在...
    2026-03-19
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411117491.8
    本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括在衬底表面区域的高压器件形成区、所述中压器件形成区和所述低压器件形成区分别形成的高压MOS器件、中压MOS器件以及低压MOS器件，并且，在所述中压器件形成区，栅介质层具有沿沟道长度方向...
    2026-03-19
  • 具有电子阻挡层的反向导通IGBT
    具有电子阻挡层的反向导通IGBT_力特保险丝公司_202511137877.X
    公开了一种具有电子阻挡层的反向导通IGBT。一种用于反向导通绝缘栅双极晶体管和相关结构的装置和相关方法。该装置包括设置在正面和背面之间的衬底、设置在衬底中的二极管导频区、设置在衬底中的绝缘栅双极晶体管(IGBT)区、以及与二极管导频区和IG...
    2026-03-19
  • 半导体装置及制造半导体装置的方法
    半导体装置及制造半导体装置的方法_爱思开海力士有限公司_202510041659.X
    本申请涉及半导体装置及制造半导体装置的方法。一种半导体装置包括：第一栅极结构，其包括交替地层叠的第一导电层和第一绝缘层；位于第一栅极结构上的第二栅极结构，其包括交替地层叠的第二导电层和第二绝缘层；以及延伸穿过第一栅极结构和第二栅极结构且具有...
    2026-03-19
  • 半导体器件和用于制造该半导体器件的方法
    半导体器件和用于制造该半导体器件的方法_三星电子株式会社_202510296779.4
    一种半导体器件可以包括：第一杂质图案和第二杂质图案，在衬底上沿第一方向彼此间隔开，其中，第一方向可以平行于衬底的上表面，并且其中，第一杂质图案和第二杂质图案可以包括具有不同导电类型的杂质；第一半导体图案，在第一杂质图案和第二杂质图案之间；以...
    2026-03-19
  • 集成电路装置
    集成电路装置_三星电子株式会社_202510612538.6
    提供了一种包括具有不同宽度的多个半导体图案的集成电路装置。为了最小化或减少从具有相对小宽度的半导体图案到源极/漏极区下方的电流泄漏，可在与窄半导体图案对应的源极/漏极区下方选择性地形成具有特定厚度的下薄膜，从而提高装置的电可靠性。此外，提供...
    2026-03-19
  • 具有晶体管结构的半导体器件及半导体器件的制造方法
    具有晶体管结构的半导体器件及半导体器件的制造方法_爱思开海力士有限公司_202510717130.5
    本公开涉及具有晶体管结构的半导体器件及半导体器件的制造方法。描述了一种具有晶体管结构的半导体器件。晶体管结构包括：从衬底垂直突出并沿第一水平方向延伸的鳍式有源区；以及与鳍式有源区交叉并沿第二水平方向延伸的栅极结构。栅极结构包括：设置于鳍式有...
    2026-03-19
  • 半导体器件和制造该半导体器件的方法
    半导体器件和制造该半导体器件的方法_三星电子株式会社_202511129194.X
    一种半导体器件包括：基底图案；第一金属结构，在第一方向上穿透基底图案；至少一个栅极结构，包括在第一方向上设置在第一金属结构上的栅电极；第二金属结构，在第一方向上穿透基底图案并且在与第一方向交叉的第二方向上与第一金属结构相邻；以及源极/漏极结...
    2026-03-19
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202511129387.5
    提供了一种半导体器件，包括：第一场效应晶体管(FET)，包括第一源极/漏极图案；第二FET，包括第二源极/漏极图案，在第一FET的垂直上方；第一侧间隔物，在第一源极/漏极图案的右侧表面上，第一侧间隔物包括隔离材料；以及前侧接触结构，在第二源...
    2026-03-19
  • 半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统
    半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统_三星电子株式会社_202510702538.5
    提供了半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统，以及制造方法。在一方面中，半导体器件包括：基板，基板包括上表面和下表面；栅极结构，栅极结构在第一方向上具有第一长度并且设置在基板上；漏极区，漏极区在栅极结构的第一侧从基板的上表面延伸；源极区...
    2026-03-19
  • 具有低k内部间隔体的外延源极和漏极区域
    具有低k内部间隔体的外延源极和漏极区域_英特尔公司_202510913944.6
    本公开涉及具有低k内部间隔体的外延源极和漏极区域。本文提供了用于形成具有半导体器件的集成电路的技术，该半导体器件在半导体主体(例如，纳米带、纳米线或纳米片)之间具有低k内部电介质间隔体。电介质间隔体可以包括任何合适的低k电介质材料。另外，可...
    2026-03-19
  • 半导体器件和用于制造该半导体器件的方法
    半导体器件和用于制造该半导体器件的方法_三星电子株式会社_202510923284.X
    一种半导体器件包括：第一下外延图案，在栅极结构的一侧，其中，第一下外延图案连接到下有源图案；第一上外延图案，在栅极结构的另一侧，其中，第一上外延图案连接到上有源图案；切割图案，与下有源图案和上有源图案间隔开，与栅极结构相邻，并且沿第一方向延...
    2026-03-19
  • 绝缘体上硅衬底的衬底中具有异质掺杂区的场效应晶体管
    绝缘体上硅衬底的衬底中具有异质掺杂区的场效应晶体管_格芯(美国)集成电路科技有限公司_202510943080.2
    本发明涉及绝缘体上硅衬底的衬底中具有异质掺杂区的场效应晶体管，揭露用于场效应晶体管的结构以及形成用于场效应晶体管的结构的方法。该结构包括绝缘体上硅衬底，该绝缘体上硅衬底包括半导体层、半导体衬底、以及位于该半导体层与该半导体衬底间的介电层。该...
    2026-03-19
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