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最新专利技术
  • 一种晶圆存储装置
    一种晶圆存储装置_北京和崎精密科技有限公司_202610036328.1
    本发明涉及晶圆存储装置技术领域，本发明提供了一种晶圆存储装置，其包括存储仓，存储仓内具有若干载台；搬运装置设置于存储仓内，搬运装置包括升降组件，升降组件设置于存储仓内；机械臂设置于升降组件上；抓取组件设置于机械臂的末端，抓取组件用于抓取存储...
    2026-03-03
  • 半导体滚轮传输装置及半导体设备
    半导体滚轮传输装置及半导体设备_上海普达特半导体设备有限公司_202610044372.7
    本发明提供一种半导体滚轮传输装置及半导体设备，包括槽体、滚轮、滚轮第一支架组件、滚轮第二支架组件及传动组件，可实现多自由度调节，从而可极大地简化安装调试流程与后续的维护保养工作，降低生产运营成本；通过缩小滚轮间距以及采用非标准锥齿轮啮合传动...
    2026-03-03
  • 高密度QFN封装中引脚共面性智能调平系统及工艺
    高密度QFN封装中引脚共面性智能调平系统及工艺_亿芯微半导体科技(深圳)有限公司_202511603120.5
    本发明涉及半导体封装技术领域，一种高密度QFN封装中引脚共面性智能调平系统及工艺，包括：基于元件设计数据构建理论模型，利用多维度扫描仪获取QFN元件的多维度扫描数据，并结合材料物理属性构建物理仿真模型，将物理仿真模型与理论模型比对得到初始差...
    2026-03-03
  • 一种静电-真空复合卡盘及其制备方法
    一种静电-真空复合卡盘及其制备方法_广东精瓷新材料有限公司_202511280593.6
    本发明公开一种静电‑真空复合卡盘及其制备方法，包括有基座以及陶瓷层；该陶瓷层焊接固定在基座上，该陶瓷层由氮化铝致密陶瓷和氮化铝多孔陶瓷构成。本发明兼容实现真空吸盘和静电卡盘的功能，真空吸盘的功能实现：氮化铝致密陶瓷设有气孔通向气槽，气槽设有...
    2026-03-03
  • 静电吸附装置和半导体器件的加工设备
    静电吸附装置和半导体器件的加工设备_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511688647.2
    本申请提供了一种静电吸附装置和半导体器件的加工设备，涉及半导体器件的加工领域。静电吸附装置中，在静电吸盘与晶圆背面接触的第一表面增设了压力监测沟槽、抽气孔、压力监测通道，可以通过监测压力监测通道的压力变化，监测晶圆翘曲情况，并调节静电吸盘对...
    2026-03-03
  • 一种晶圆旋转清洗装置
    一种晶圆旋转清洗装置_苏州芯轮半导体科技有限公司_202511753405.7
    本发明公开了一种晶圆旋转清洗装置，包括中空外主轴，中空外主轴内设置有中空导向轴，中空导向轴内设置有中空内主轴，中空外主轴和中空导向轴底部均与底部端板密封连接，中空内主轴下端部穿过底部端板与旋转升降模组连接；中空外主轴顶部设置有清洗仓，清洗仓...
    2026-03-03
  • 晶圆夹持翻转机构
    晶圆夹持翻转机构_沈阳芯达半导体设备有限公司_202511842936.3
    本发明涉及晶圆翻转技术领域，尤其是一种晶圆夹持翻转机构，包括：固定结构，固设于所述工作台的上方；所述固定结构包括：多组固定组件，每组固定组件由两个完全相同的半固定件组成，一个为上半固定件，另一个为下半固定件。翻转结构，与所述固定结构连接，用...
    2026-03-03
  • 伯努利吸盘
    伯努利吸盘_SMC株式会社_202511111210.2
    伯努利吸盘(12)具备：第一平板状部(181)，该第一平板状部形成有第一环状槽(22)，该第一环状槽与供气端口部连通并形成作为环状的流路的第一流路(24)；第二平板状部(182)，该第二平板状部形成有一个以上的与第一环状槽连通的第二流路(2...
    2026-03-03
  • 使晶圆呈现重载老化失效特性的方法及晶圆判断方法
    使晶圆呈现重载老化失效特性的方法及晶圆判断方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202411078861.1
    本发明提供一种使晶圆呈现重载老化失效特性的方法及晶圆出厂前重载失效的判断方法，所述使晶圆呈现重载老化失效特性的方法包括：提供待封装的晶圆，所述晶圆上形成有芯片，所述芯片包括MOS管，在所述MOS管的漏极输入传输线脉冲至所述MOS管失效。本发...
    2026-03-03
  • 一种晶圆检测装置
    一种晶圆检测装置_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202411100126.6
    本发明公开的晶圆检测装置涉及半导体设备技术领域，包括固定组件、悬浮组件和检测组件，固定组件用于设置于承载装置上，并产生第一磁场；悬浮组件用于产生第二磁场，且第一磁场和第二磁场的方向相反，在第一磁场和第二磁场的相互作用下，悬浮组件能够悬浮在固...
    2026-03-03
  • 包括检测图案的半导体封装件及其制造方法
    包括检测图案的半导体封装件及其制造方法_三星电子株式会社_202510700687.8
    提供了一种半导体封装件和制造半导体封装件的方法。半导体封装件可包括：具有第一宽度的第一半导体晶片；位于第一半导体晶片上的第二半导体晶片，第二半导体晶片具有小于第一宽度的第二宽度；以及至少部分地覆盖第二半导体晶片的侧表面和第一半导体晶片的顶表...
    2026-03-03
  • 生产多晶硅层的方法、装置和系统，以及半导体结构
    生产多晶硅层的方法、装置和系统，以及半导体结构_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511382466.7
    本公开提供了一种生产多晶硅层的方法、装置和系统，以及半导体结构；该方法包括：通过带电粒子束成像方式采集沉积在第一晶圆表面的第一多晶硅层的晶粒图像；基于晶粒图像统计第一多晶硅层的晶粒尺寸的统计参数；获取统计参数与工艺参数之间的关联关系；基于关...
    2026-03-03
  • 半导体器件测试结构及使用该结构的半导体器件评价方法
    半导体器件测试结构及使用该结构的半导体器件评价方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610042811.0
    本发明提供一种半导体器件测试结构及使用该结构的半导体器件评价方法，半导体器件测试结构包括电阻测量线、电容测量线、虚设线，所述电阻测量线和电容测量线同层设置于半导体衬底上，所述电阻测量线用于测量连接线的电阻；所述电容测量线用于测量连接线的电容...
    2026-03-03
  • 晶圆偏移检测方法、系统、电子设备及存储介质
    晶圆偏移检测方法、系统、电子设备及存储介质_京隆科技(苏州)有限公司_202610058530.4
    本申请提供一种晶圆偏移检测方法、系统、电子设备及存储介质，本申请提供的晶圆偏移检测方法，利用测试设备对目标晶圆上的每个芯片进行测试，得到目标晶圆的晶圆图；通过计算晶圆图中每个预设边缘的边缘良率，计算晶圆图的中心与目标晶圆的中心之间的距离，并...
    2026-03-03
  • 一种测试键结构和晶圆
    一种测试键结构和晶圆_芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司_202511626021.9
    一种测试键结构和晶圆，测试键结构包括：衬底和设置于衬底上的至少一个第一测试端口、第二测试端口和至少一个测试电路；每个测试电路均包括两个并联的子电路，每个子电路均包括串联连接的单向导通元件和测试图形单元，且两个并联的子电路中的单向导通元件具有...
    2026-03-03
  • 一种APD外延片击穿电压测试方法
    一种APD外延片击穿电压测试方法_中科芯电半导体科技(北京)有限公司_202511686922.7
    本发明公开了一种APD外延片击穿电压测试方法，包括：(1)选择性腐蚀APD外延片，未被腐蚀的为待测外延层(上表面为P型半导体区域)，已被腐蚀后的为剩余层(上表面为N型半导体区域)；(2)在P型半导体区域点铟形成上电极，在N型半导体区域点铟形...
    2026-03-03
  • 一种MicroLED晶圆阵列的测试装置及方法
    一种MicroLED晶圆阵列的测试装置及方法_上海铭锟半导体有限公司_202511737755.4
    本申请公开了一种MicroLED晶圆阵列的测试装置及方法，该装置包括晶圆载片台、MicroLED测试设备和测光积分球；晶圆载片台上设置有MicroLED晶圆；MicroLED晶圆上设置有MicroLED晶圆阵列；MicroLED晶圆阵列由以...
    2026-03-03
  • 降低金属氮化物损伤的干法去胶设备及方法
    降低金属氮化物损伤的干法去胶设备及方法_上海稷以科技有限公司_202511688840.6
    本发明提出了一种降低金属氮化物损伤的干法去胶设备及方法，该设备包括：Grid基座，其上开设有贯穿Grid基座的若干一号进气口，二号进气口，开设于Grid基座内；若干三号进气口，其与二号进气口连通。一号进气口中通入等离子体至去胶腔体；二号进气...
    2026-03-03
  • 一种IBC电池片背面绝缘胶的去除方法
    一种IBC电池片背面绝缘胶的去除方法_天合光能股份有限公司_202411085239.3
    本发明公开了一种IBC电池片背面绝缘胶的去除方法，所述去除方法包括以下步骤：(1)将背面只有绝缘胶的IBC电池片浸入质量浓度为30％～50％硝酸溶液中，在65～90℃的温度下反应，制得中间产品；(2)将步骤(1)制得的中间产品置于在500～...
    2026-03-03
  • 用于形成氧化物层的方法、系统和装置
    用于形成氧化物层的方法、系统和装置_ASMIP私人控股有限公司_202511095724.3
    一种用于在衬底上沉积氧化物的方法，包括：a)在室中提供衬底；b)首先将前体脉冲到室中，以将组分化学吸附到衬底表面上；c)将氧物质脉冲到室中，以在与组分接触时在表面上形成氧化物层，其中氧物质包括醇；以及重复一个或多个步骤b)‑c)，直到氧化物...
    2026-03-03
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