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最新专利技术
  • 一种磁通量子比特的制备方法
    一种磁通量子比特的制备方法_西安交通大学_202511765091.2
    本发明属于纳米电子学、超导技术和量子信息科学交叉技术领域，涉及一种磁通量子比特的制备方法，包括：1. 衬底处理；2. 铝膜沉积与氧化；3. 光刻与刻蚀形成大结构；4. 双层电子束胶与悬桥结构形成；5. 第一次倾角蒸发与氧化；6. 第二次倾角...
    2026-03-04
  • 一种带密封筒的超导开关
    一种带密封筒的超导开关_中国科学院电工研究所_202511656405.5
    本发明公开了一种带密封筒的超导开关，属于超导技术领域，本发明由超导开关本体、上冷凝板及不锈钢直筒组成。超导开关本体放置于不锈钢直筒底部且超导开关本体的下法兰与不锈钢直筒的下端密封焊接。上冷凝板位于不锈钢直筒上部且与不锈钢直筒的上端密封焊接。...
    2026-03-04
  • 一种超导量子计算机、封装结构及其制造方法
    一种超导量子计算机、封装结构及其制造方法_本源量子计算科技(合肥)股份有限公司_202411062153.9
    本申请公开了一种超导量子计算机、封装结构及其制造方法，属于量子设备制造领域。其中的封装结构包括金属材质的封装盒、以及封装于封装盒内的超导量子芯片。并且该超导量子芯片包括：设置通孔的衬底，形成于衬底正反面的第一超导层和第二超导层，以及形成于通...
    2026-03-04
  • 高温超导约瑟夫森双晶结阵及其制备方法
    高温超导约瑟夫森双晶结阵及其制备方法_中国计量科学研究院_202511661528.8
    本申请涉及一种高温超导约瑟夫森双晶结阵及其制备方法，包括：提供双晶衬底；双晶衬底的第一表面上包括沿背离双晶衬底的方向依次排列的高温超导体层、金属层及光刻胶层；采用紫外光刻机显微镜确定双晶衬底的晶界线后，并于金属层内形成具有预设图形的对准标记...
    2026-03-04
  • 铁电忆阻器阵列以及采用该铁电忆阻器阵列的时序序列处理方法
    铁电忆阻器阵列以及采用该铁电忆阻器阵列的时序序列处理方法_复旦大学_202511779801.7
    本发明涉及一种铁电忆阻器阵列以及采用该铁电忆阻器阵列的时序序列处理方法，包括：底部阵列选通结构，用于在阵列规模扩展时提供逐单元寻址并抑制阵列中未选通单元的潜流路径；可调导电通道结构，用于在光激发下产生可随时间累积与衰减的持续光电导效应；面内...
    2026-03-04
  • 一种双螺旋压电纤维阵列传感器及制备方法
    一种双螺旋压电纤维阵列传感器及制备方法_深圳斐博森机器人科技有限公司_202511687280.2
    本发明涉及仿生触觉技术领域，具体为双螺旋压电纤维阵列传感器及制备方法。其中，双螺旋压电纤维阵列传感器，包括：弹性基层，所述弹性基层上设置有感应区域；至少一个感应组，设在所述弹性基层的感应区域，所述感应组包括第一压电纤维和第二压电纤维，所述第...
    2026-03-04
  • 晶圆键合方法、全环绕栅极晶体管的制作方法及产品
    晶圆键合方法、全环绕栅极晶体管的制作方法及产品_中国科学院半导体研究所_202511559189.2
    本公开实施例提供一种晶圆键合方法、全环绕栅极晶体管的制作方法及产品。晶圆键合方法，包括：提供半导体材料供体晶圆和支撑晶圆，在支撑晶圆上形成第一介质层，在半导体材料供体晶圆待键合至支撑晶圆的一侧形成第二介质层；对第一介质层进行化学机械抛光以形...
    2026-03-04
  • 晶圆对晶圆直接键合方法
    晶圆对晶圆直接键合方法_法国原子能源和替代能源委员会_202511625954.6
    本发明涉及一种将第一微电子器件(100)在第二微电子器件上直接键合(200)的方法，包括：提供具有第一平坦表面(110)的第一器件，以及具有第二平坦表面(210)的第二器件，用包含至少第一含氟气体的等离子体气体(具有一定的氟的原子百分比F)...
    2026-03-04
  • 半导体装置的制造方法
    半导体装置的制造方法_三菱电机株式会社_202510850262.5
    本公开的目的在于提供能够简化制造工序的半导体装置的制造方法。本公开的半导体装置的制造方法具备以下工序：准备工序，准备由碳化硅构成的厚度分别恒定的两张结晶基板；粘贴工序，将两张结晶基板粘贴而形成粘贴结晶基板；外延生长工序，在粘贴结晶基板的第一...
    2026-03-04
  • 具有高质量高电阻缓冲区的GaN HEMT功率半导体外延晶片的制造方法
    具有高质量高电阻缓冲区的GaN HEMT功率半导体外延晶片的制造方法_威弗洛得有限公司_202511104368.7
    根据本发明的实施方式提供了一种具有高质量高电阻缓冲区的GaN HEMT功率半导体外延晶片的制造方法，其包括：第一GaN缓冲层形成步骤，其中在用于GaN生长而供应的源中使用金属‑有机源作为碳掺杂用前体，来掺杂碳；以及第二GaN缓冲层形成步骤，...
    2026-03-04
  • 一种改善晶圆翘曲度的方法及炉管工艺
    一种改善晶圆翘曲度的方法及炉管工艺_芯联先锋集成电路制造(绍兴)有限公司_202511719800.3
    本发明提供了一种改善晶圆翘曲度的方法及炉管工艺，应用于半导体技术领域。在本发明中，目标晶圆片包括相对设置的正面(第一面)和背面(第二面)，其背面先形成多晶硅层，然后在第一面的表层和多晶硅层上形成绝缘层；由于多晶硅层和绝缘层的氧化速率不同，因...
    2026-03-04
  • 一种改善晶圆性能的辐照系统
    一种改善晶圆性能的辐照系统_成都中核高通同位素股份有限公司_202610056802.7
    本申请涉及一种改善晶圆性能的辐照系统，属于辐射加工技术领域。改善晶圆性能的辐照系统包括辐照式放射源、第一靶盘、扫描式放射源和第二靶盘，辐照式放射源发出的辐射射线能够同时覆盖第一靶盘上安装的多个晶圆；扫描式放射源发出的辐射射线集中于一点，第二...
    2026-03-04
  • 一种边缘腐蚀机及边缘腐蚀工艺
    一种边缘腐蚀机及边缘腐蚀工艺_北京华林嘉业科技有限公司_202610037221.9
    本发明提供了一种边缘腐蚀机及边缘腐蚀工艺，涉及半导体制造技术领域。该边缘腐蚀机包括机体和装设于机体上的若干个腐蚀装置、若干个冲洗装置以及转运装置；转运装置包括工装、机械轴以及晶圆驱动机构；工装包括容置框和夹板，容置框内用于沿第一中心线顺次叠...
    2026-03-04
  • 金属腐蚀方法以及系统
    金属腐蚀方法以及系统_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511423240.7
    本公开提供了一种金属腐蚀方法以及系统，属于半导体技术领域。所述金属腐蚀方法包括：在金属薄膜表面形成激光诱导周期性表面结构(Laser‑Induced Periodic Surface Structures，LIPSS)；在所述金属薄膜表面构...
    2026-03-04
  • 一种基于背面微槽与梯度退火的碳化硅衬底处理方法及碳化硅衬底
    一种基于背面微槽与梯度退火的碳化硅衬底处理方法及碳化硅衬底_亿威盛半导体科技(上海)有限公司_202511750782.5
    本发明提供了一种基于背面微槽与梯度退火的碳化硅衬底处理方法及碳化硅衬底，通过非均匀分布的微槽结构、在微槽结构内进行填充或者进行注入形成改性层，以及多段非线性梯度退火工艺，深度释放有害应力，并在微槽内主动诱导补偿应力，产生与翘曲应力相反的补偿...
    2026-03-04
  • 晶圆、芯片和电子设备
    晶圆、芯片和电子设备_荣耀终端股份有限公司_202411055885.5
    本申请提供一种晶圆、芯片和电子设备，用于解决现有的晶圆在进行激光隐切时，所形成的热影响区会对芯片的结构造成不利影响的问题。本申请提供的晶圆包括层叠设置的第一衬底层、掺杂层和功能层。其中，第一衬底层位于功能层和掺杂层之间。本申请提供的晶圆，在...
    2026-03-04
  • 用于半导体器件的清洁浆料和制造半导体器件的方法
    用于半导体器件的清洁浆料和制造半导体器件的方法_三星电子株式会社_202511081651.2
    公开用于半导体器件的清洁浆料和制造半导体器件的方法。制造半导体器件的方法包括：使用包括研磨剂的抛光浆料对半导体器件的表面进行化学机械抛光以提供经抛光的表面；和通过供应包括软颗粒和分散介质的清洁浆料进行清洁以从经抛光的表面除去研磨剂，软颗粒具...
    2026-03-04
  • 适用不同直径晶圆的双面同步清洁装置
    适用不同直径晶圆的双面同步清洁装置_拓思精工科技(苏州)有限公司_202511556731.9
    本发明涉及的适用不同直径晶圆的双面同步清洁装置，其包括夹紧单元和清洗单元。本发明一方面基于第一、二夹轮组的配合，并在等距移动下实现对不同规格的晶圆的夹紧或松开，结构简单，能够有效提升设备的空间利用率，同时能够有效提高晶圆的装卸效率；另一方面...
    2026-03-04
  • 一种降低硅片表面损伤的清洗工艺
    一种降低硅片表面损伤的清洗工艺_中环领先半导体科技股份有限公司_202511587153.5
    本发明提供一种降低硅片表面损伤的清洗工艺，包括在除蜡槽中对硅片进行除蜡，除蜡槽中的除蜡溶液为含有双氧水与去蜡剂的混合溶液。本发明不仅可降低硅片表面颗粒度，确保了硅片的清洗效果，同时避免了清洗工艺造成的硅片腐蚀，有效降低了硅片表面损伤，提高了...
    2026-03-04
  • 一种低氧化层的碳化硅晶片清洗工艺
    一种低氧化层的碳化硅晶片清洗工艺_广东先导微电子科技有限公司_202511778860.2
    本申请涉及半导体材料技术领域，具体公开了一种低氧化层的碳化硅晶片清洗工艺。该清洗工艺首先将碳化硅晶片浸入有机溶剂中进行超声清洗，随后将碳化硅晶片依次浸入臭氧水溶液、氢氟酸溶液、金属离子脱除液中进行浸洗，最后进行清洗和干燥处理，得到表面洁净且...
    2026-03-04
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