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最新专利技术
  • 一种高取向石墨烯-铜复合结构的制备方法
    一种高取向石墨烯-铜复合结构的制备方法_南方电网科学研究院有限责任公司_202511776700.4
    一种高取向石墨烯‑铜复合结构的制备方法，包括如下步骤：(1)铜基体预处理：对铜箔或铜板进行机械抛光及退火处理，以形成优选晶面；(2)构建界面限域结构：在铜表面沉积或贴覆限域层，所述限域层与铜表面形成受限空间；(3)界面限域下的石墨烯生长：在...
    2026-03-20
  • 热丝化学气相沉积设备及制备掺硼金刚石薄膜电极的方法
    热丝化学气相沉积设备及制备掺硼金刚石薄膜电极的方法_浙江浙能科技环保集团股份有限公司_202512005703.4
    本发明公开了一种热丝化学气相沉积设备及制备掺硼金刚石薄膜电极的方法，涉及掺硼金刚石薄膜电极制备技术领域，包括控制系统，以及与控制系统电连接的真空系统、进气系统、加热系统和冷却系统，真空系统内用于形成反应腔室，且真空系统能够在控制系统的控制下...
    2026-03-20
  • 一种化学气相沉积方法、装置、电子设备及沉积装置
    一种化学气相沉积方法、装置、电子设备及沉积装置_无锡芯卓湖光半导体有限公司_202512056188.2
    本发明涉及半导体技术领域，公开了一种化学气相沉积方法、装置、电子设备及沉积装置，其中化学气相沉积方法通过获取待沉积产品的标识信息，提取其多晶硅密度参数，根据多晶硅密度参数确定薄膜理论厚度，并结合器件设计所需的薄膜目标厚度动态调整化学气相沉积...
    2026-03-20
  • 一种氮化硅薄膜生长均匀性的改善方法
    一种氮化硅薄膜生长均匀性的改善方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411085880.7
    本发明提供一种氮化硅薄膜生长均匀性的改善方法，该改善方法包括以下步骤：提供一晶圆批次，晶圆批次包括多个晶圆；对晶圆批次中的预设晶圆进行化学预处理，以在预设晶圆的上表面的预处理区域引入负电荷基团；将晶圆批次置于炉管设备中以于晶圆批次中各个晶圆...
    2026-03-20
  • 用于生产硅碳材料的流化床反应装置
    用于生产硅碳材料的流化床反应装置_苏州纽姆特技术创新服务有限公司_202511810811.2
    本发明涉及锂离子电池材料制备设备技术领域，具体而言，涉及用于生产硅碳材料的流化床反应装置。其包括流化床反应器本体、加热装置和复合取热装置；复合取热装置包括取热管束和多个氮气喷射口，取热管束设置于流化床反应器本体内，并与流化床反应器本体连接，...
    2026-03-20
  • 多腔式原子层镀膜方法与系统
    多腔式原子层镀膜方法与系统_邱博文_202411649917.4
    一种多腔式原子层镀膜方法与系统，所述多腔式原子层镀膜方法包括：将基材输送到第一腔室中；将前驱物供料至所述第一腔室中以吸附在所述基材的顶表面上；将辐射能供应至所述基材的所述顶表面，促进所述前驱物与所述基材的顶表面间的反应；将吸附有所述前驱物的...
    2026-03-20
  • 薄膜沉积设备
    薄膜沉积设备_三星显示有限公司_202511088702.4
    薄膜沉积设备包括支撑基底的支撑件、以及包含沿着平行于支撑件的主表面的第一方向布置的第一喷射区段和第二喷射区段的喷射单元。在喷射单元中，第一喷射区段配置为将源气体喷射到基底的一个表面上并排出源气体，并且第二喷射区段配置为将反应气体喷射到基底的...
    2026-03-20
  • 一种水氧阻隔封装薄膜及其制备方法和应用
    一种水氧阻隔封装薄膜及其制备方法和应用_广州新视界光电科技有限公司_202511394477.7
    本发明公开了一种水氧阻隔封装薄膜及其制备方法和应用，属于有机光电器件封装技术领域。本发明通过优化原子层沉积(ALD)与等离子体增强化学气相沉积(PECVD)成膜的薄膜结构与工艺，使制备的薄膜水蒸气透过率(WVTR)显著降低，进一步引入氧化物...
    2026-03-20
  • 空间可调沉积以在晶片差异弯曲中进行补偿
    空间可调沉积以在晶片差异弯曲中进行补偿_朗姆研究公司_202511399308.2
    一种用于在晶片的下侧表面上沉积膜的等离子体加工室，包括喷头基座。喷头基座包括第一分区和第二分区。上分离器翅片设置在喷头基座的顶表面上方，并且下分离器翅片设置在喷头基座的顶表面下方并与上分离器翅片对齐。第一分区被配置用于将第一膜沉积到晶片的下...
    2026-03-20
  • 一种原位激光辅助沉积晶态氧化铝薄膜的制备方法
    一种原位激光辅助沉积晶态氧化铝薄膜的制备方法_西安近代化学研究所_202511464659.7
    本发明提供了一种原位激光辅助沉积晶态氧化铝薄膜的制备方法，该方法包括X个晶态氧化铝薄膜生长周期；每个晶态氧化铝薄膜生长周期包括执行x次氧化铝原子层沉积工艺及y次原位激光退火工艺。的氧化铝原子层沉积工艺的反应室温度为100℃～250℃。晶态氧...
    2026-03-20
  • 改善ALD填充沟槽覆盖性能的方法及其设备
    改善ALD填充沟槽覆盖性能的方法及其设备_重庆芯联微电子有限公司_202511465627.9
    本发明提供一种改善ALD填充沟槽覆盖性能的方法及其设备，通过在ALD设备的反应腔内设置射频电极，可对半导体基底表面进行等离子体预处理，以降低半导体基底的表面能，提升前驱体吸附均匀性；将单次脉冲拆分为多次子脉冲，且在子脉冲间隔时进行吹扫处理，...
    2026-03-20
  • 一种CVD炉的工艺气体导入管结构
    一种CVD炉的工艺气体导入管结构_上海汉虹精密机械有限公司_202511613492.6
    本发明涉及一种CVD炉的工艺气体导入管结构。其包括一用于安装在炉体上的连接管，连接管呈T形管，连接管包括用于对接气体进口的对接管部以及导向套部，对接管部与导向套部相互垂直且相互导通；还包括一接头管，接头管滑动设置在导向套部的内部，导向套部的...
    2026-03-20
  • 一种硅碳负极回转式CVD包覆设备
    一种硅碳负极回转式CVD包覆设备_深圳禹龙智能装备有限公司_202511664273.0
    本发明涉及一种硅碳负极回转式CVD包覆设备，包括机座、提升装置、炉管组件、驱动装置、加热系统；所述提升装置设置在所述机座上；所述机座上铰接有支撑装置；所述支撑装置的两端分别设置有第一密封接头与第二密封接头；所述炉管组件旋转在所述支撑装置上；...
    2026-03-20
  • 一种降低LPCVD氮化硅炉管法兰环进气口副产物的方法及工艺气体转角器
    一种降低LPCVD氮化硅炉管法兰环进气口副产物的方法及工艺气体转角器_西安微电子技术研究所_202511711349.0
    本发明公开了一种降低LPCVD氮化硅炉管法兰环进气口副产物的方法及工艺气体转角器，旨在解决传统进气口气流紊乱、副产物易被携带污染薄膜的问题。该转角器包括特气管，特气管在其全长五分之二处弯转形成90°~110°弯转角，安装后出口段端口超越法兰...
    2026-03-20
  • 一种正面进料的PEALD镀膜系统
    一种正面进料的PEALD镀膜系统_厦门韫茂科技有限公司_202511788605.6
    本发明提供了一种正面进料的PEALD镀膜系统，涉及半导体设备技术领域。包括：工艺腔室组件、连接在所述工艺腔室组件上的等离子体组件、进气组件、真空组件，所述工艺腔室组件至少包括两个工艺腔室；两个所述工艺腔室的背面侧设置有等离子体通道以连接所述...
    2026-03-20
  • 一种二维异质薄膜制造的原子层沉积设备及方法
    一种二维异质薄膜制造的原子层沉积设备及方法_东南大学_202511800153.9
    本发明公开了一种二维异质薄膜制造的原子层沉积设备及方法。其中设备包括：多源供给系统，为原子层沉积提供两种或多种以上的前驱体源；多源同腔沉积腔体，配以加热器对所述多源同腔沉积腔体进行加热和为二维异质薄膜制造提供沉积反应室，磁力操作机械手可对所...
    2026-03-20
  • ALD设备
    ALD设备_江苏博涛智能热工股份有限公司_202511933225.7
    本发明公开了一种ALD设备，包括反应壳体、控制器和多条结构和尺寸相同的供气管路，反应壳体内部形成有反应腔室，反应腔室的顶部设置有匀流板；供气管路分为多条主管路和至少一备用管路，主管路的数量与反应工艺所需前驱体数量相同，每条供气管路内均设置有...
    2026-03-20
  • 基于ALD制备钙钛矿太阳能电池吸光层的方法
    基于ALD制备钙钛矿太阳能电池吸光层的方法_中核光电科技(上海)有限公司_202610038312.4
    本发明是关于一种基于ALD制备钙钛矿太阳能电池吸光层的方法。其包括，通过在基板上循环交替沉积含金属卤化物源层和含有机铵源层，制得钙钛矿前驱体薄膜层，后处理，得到钙钛矿吸光层；所述循环交替沉积步骤包括：1)在所述基板上沉积所述含金属卤化物源层...
    2026-03-20
  • 一种化学气相沉积用基体支撑构件及其使用方法
    一种化学气相沉积用基体支撑构件及其使用方法_国投陶瓷基复合材料研究院(西安)有限公司_202511498466.3
    本发明公开了一种化学气相沉积用基体支撑构件及其使用方法，属于化学气相沉积技术领域，解决了基体在化学气相沉积碳化硅涂层过程中，基体支撑处无法涂覆涂层造成基体裸露的问题；其具体包括支撑座，支撑座上活动连接有若干根支撑杆，若干根支撑杆上支撑有待沉...
    2026-03-20
  • 一种大面积传动载板顶升装置及方法
    一种大面积传动载板顶升装置及方法_西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所)_202511743708.0
    本发明涉及异质结PECVD设备技术领域，具体为一种大面积传动载板顶升装置。为了解决现有的传动载板顶升装置存在缺陷的问题，故提供了一种新的大面积传动载板顶升装置，包括加热板、四个分区顶升板，四个分区顶升板分别位于加热板下方，四个分区顶升板与加...
    2026-03-20
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