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最新专利技术
  • 发光单元的阵列结构及其制备方法和显示面板
    发光单元的阵列结构及其制备方法和显示面板_京东方科技集团股份有限公司_202411053390.9
    本申请实施例提供一种发光单元的阵列结构及其制备方法和显示面板，涉及半导体技术领域。该结构包括衬底基板和多个发光单元，多个发光单元阵列排布于衬底基板，发光单元包括在背离衬底基板的方向上依次层叠设置的第一电极、第一半导体层、发光层、第二半导体层...
    2026-02-19
  • 显示装置
    显示装置_乐金显示有限公司_202511069006.9
    根据本发明的实施方式的显示装置可包括：基板；设置在所述基板上的绝缘层；设置在所述绝缘层上的第一发光器件；第一光学层，所述第一光学层围绕所述第一发光器件的侧表面；第二光学层，所述第二光学层设置在所述第一光学层的侧表面上；以及设置在所述第一光学...
    2026-02-19
  • 改善光串扰的显示面板及其制备方法
    改善光串扰的显示面板及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511540655.2
    本公开提供了一种改善光串扰的显示面板及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该显示面板包括：发光功能层、驱动基板、遮光导电层和桥接导电层，所述发光功能层位于所述驱动基板上，且与所述驱动基板电性连接，所述发光功能层包括多个间隔排布的发光单元；所...
    2026-02-19
  • 显示装置
    显示装置_友达光电股份有限公司_202511699083.2
    一种显示装置，包括电路基板、挡墙结构、第一发光元件、散射层以及透明层。挡墙结构具有实体部及第一开口，且设置于电路基板上。第一发光元件位于第一开口中，且电性连接至电路基板。散射层位于第一开口中。第一发光元件的上表面的至少一部分未被散射层覆盖。...
    2026-02-19
  • 一种Micro LED全彩显示模组及其制作方法、显示装置
    一种Micro LED全彩显示模组及其制作方法、显示装置_厦门乾照光电股份有限公司_202511814462.1
    本发明提供了一种Micro LED全彩显示模组及其制作方法、显示装置，包括在所述基板上布置的多个RGB像素单元，各所述RGB像素单元包括相邻设置在所述基板上的第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元；所述第一发光单元、第二发光单元和第三发光...
    2026-02-19
  • 一种显示面板及电子设备
    一种显示面板及电子设备_天马新型显示技术研究院(厦门)有限公司_202511734764.8
    本申请提供了一种显示面板及电子设备，涉及显示技术领域。显示面板包括：多个像素单元，多个像素单元包括多个第一类像素单元和多个第二类像素单元，第一类像素单元的出光视角大于第二类像素单元的出光视角；像素单元包括像素电路和发光元件，像素电路通过其电...
    2026-02-19
  • 微型发光二极管显示单元及其制造方法
    微型发光二极管显示单元及其制造方法_錼创显示科技股份有限公司_202411058993.8
    本发明提供一种微型发光二极管显示单元及其制造方法，微型发光二极管显示单元包括驱动芯片、至少一像素及导电件。像素包括多个微型发光二极管，设置于驱动芯片的顶部上，其中这些微型发光二极管的正投影皆被驱动芯片的正投影覆盖。导电件设置在驱动芯片的外侧...
    2026-02-19
  • 一种高光提取效率及表面出光效率的Micro-LED器件及其制备方法
    一种高光提取效率及表面出光效率的Micro-LED器件及其制备方法_苏州大学_202511700269.5
    本申请涉及光电器件制造技术领域，具体涉及一种高光提取效率及表面出光效率的Micro‑LED器件及其制备方法。该器件包括：外延片，上端面经刻蚀处理和化学处理后形成多个凸台结构；复合光场调控层，层叠于外延片的下端面，包括微纳结构和填充在微纳结构...
    2026-02-19
  • 一种Micro LED微显示装置及其封装方法
    一种Micro LED微显示装置及其封装方法_海信视像科技股份有限公司_202411006109.6
    本发明公开了一种Micro LED微显示装置及其封装方法，通过将底板、微显示屏和柔性电路板进行组装，使微显示屏的第一绑定引脚与柔性电路板包第二绑定引脚相邻设置。将连接器转移至第一绑定引脚和第二绑定引脚之上，使第一绑定引脚和第二绑定引脚分别位...
    2026-02-19
  • 一种卤化物半导体n-p同质结及其制备方法和应用
    一种卤化物半导体n-p同质结及其制备方法和应用_华东师范大学_202510276546.8
    本发明公开了一种卤化物半导体n‑p同质结及其制备方法和应用，所述制备方法利用溶液法将三氯[3‑(五氟苯基)丙基]硅烷(简称TPFS)引入在卤化物半导体表面，构筑卤化物半导体n‑p同质结。其中，三氯[3‑(五氟苯基)丙基]硅烷能够大幅提高卤化...
    2026-02-19
  • 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
    一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法_浙江晟霖益嘉科技有限公司_202511712867.4
    本发明提供了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法，所述钙钛矿太阳能电池包括依次层叠的基底、空穴传输层、第一SAM层、第二SAM层、钙钛矿吸收层、电子传输层和背电极；所述空穴传输层包括NiOxx，所述第一SAM层包括含有膦酸基的芳香族分子，所述第...
    2026-02-19
  • 一种自驱动钙钛矿量子点光电探测器及其制备方法
    一种自驱动钙钛矿量子点光电探测器及其制备方法_广西大学_202511747135.9
    本发明公开了一种自驱动钙钛矿量子点光电探测器及其制备方法，属于光电器件技术领域。该探测器结构包括依次层叠的衬底、阳极、空穴传输层、界面修饰层、钙钛矿量子点活性层、电子传输层和阴极。本发明的核心创新在于提出一种体相与界面协同钝化的综合策略：在...
    2026-02-19
  • 用电设备、钙钛矿电池及其制备方法
    用电设备、钙钛矿电池及其制备方法_合肥京东方光能科技有限公司_202511748284.7
    本申请公开了一种用电设备、钙钛矿电池及其制备方法。该钙钛矿电池包括基底；第一电极层，设于所述基底上；电池功能层，包括沿着远离所述第一电极层的方向依次设置的第一载流子传输层、钙钛矿吸收层以及第二载流子传输层；第二电极层，设于所述电池功能层远离...
    2026-02-19
  • 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
    一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法_正泰新能科技股份有限公司_202411064125.0
    本发明提供一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法。所述钙钛矿太阳能电池包括层叠设置的基底、第一透明导电层、第一载流子传输层、钝化层、钙钛矿吸光层、第二载流子传输层、第二透明导电层和金属电极；所述第一载流子传输层和第二载流子传输层分别设置在所述钙钛...
    2026-02-19
  • 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法和叠层太阳能电池
    一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法和叠层太阳能电池_正泰新能科技股份有限公司_202411064139.2
    本发明提供一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法和叠层太阳能电池。所述钙钛矿太阳能电池包括依次层叠设置的衬底、第一电荷传输层、铅基钙钛矿吸光层、第二电荷传输层和电极；所述第一电荷传输层为电子传输层，第一电荷传输层和铅基钙钛矿吸光层之间设置有界面钝...
    2026-02-19
  • 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
    一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法_正泰新能科技股份有限公司_202411064146.2
    本发明提供了一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法，所述钙钛矿太阳能电池的钙钛矿吸光层与空穴传输层之间设置有光激发聚合物层，和/或，所述钙钛矿太阳能电池的钙钛矿吸光层与电子传输层之间设置有光激发聚合物层；所述光激发聚合物层包括电子或空穴捕获结构单...
    2026-02-19
  • 钙钛矿太阳电池及其制备方法、光伏组件
    钙钛矿太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202511448588.1
    本申请涉及太阳电池领域，尤其涉及钙钛矿太阳电池及制备方法、光伏组件。该钙钛矿太阳电池包括金属氧化物层；自组装单分子层，自组装单分子层设置在金属氧化物层的一侧表面上，自组装单分子层中的自组装分子的具有如式(1)~式(3)中的任一种结构：式(1...
    2026-02-19
  • 钙钛矿太阳能电池及其制备方法、光伏组件
    钙钛矿太阳能电池及其制备方法、光伏组件_深圳现象光伏科技有限公司_202610010397.5
    本申请提供一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法、光伏组件。钙钛矿太阳能电池包括依次层叠的第一电极、空穴传输层、钙钛矿层、电子传输层以及第二电极；空穴传输层的材料包括生物分子材料通过分子间作用力固定于自组装单分子层材料，生物分子材料包括鸟嘌呤、腺...
    2026-02-19
  • 一种基于钙钛矿与氢键有机框架异质结构的类视网膜自适应视觉器件及其制备方法
    一种基于钙钛矿与氢键有机框架异质结构的类视网膜自适应视觉器件及其制备方法_苏州科技大学_202511660215.0
    本发明涉及人工视觉与神经形态器件技术领域，具体公开了一种基于钙钛矿与氢键有机框架材料异质结构的类视网膜自适应视觉器件及其制备方法。该器件采用氢键有机框架对钙钛矿晶格进行调控，利用羧基和铅离子配位诱导晶格应变，有效提升缺陷能垒并抑制载流子非辐...
    2026-02-19
  • 一种锡铅钙钛矿近红外光电探测器及其制备方法
    一种锡铅钙钛矿近红外光电探测器及其制备方法_中国科学技术大学_202610012844.0
    本发明属于光电探测技术领域，尤其涉及一种锡铅钙钛矿近红外光电探测器及其制备方法。与现有技术相比，本发明通过利用硫代硫酸盐掺杂调控薄膜结晶动力学，钝化各种离子缺陷，获得了结晶质量更好的钙钛矿薄膜，从而使探测器的光电流得到提升、暗电流得到抑制，...
    2026-02-19
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