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最新专利技术
  • 具有超薄键合层嵌入式散热结构的半导体器件及其制备方法
    具有超薄键合层嵌入式散热结构的半导体器件及其制备方法_西安电子科技大学_202511531851.3
    本发明公开了一种具有超薄键合层嵌入式散热结构的半导体器件及其制备方法。该半导体器件的衬底层的背侧包括具有多个平行设置的微流道的流道区和环绕在流道区外侧的非流道区；衬底层远离半导体器件功能层一侧设置有歧管结构；歧管结构与衬底层之间设置有第一键...
    2026-02-11
  • 一种MOSFET的微流道散热结构
    一种MOSFET的微流道散热结构_优拓创新技术(深圳)有限公司_202511592135.6
    本发明涉及电子元件散热技术领域，具体涉及一种MOSFET的微流道散热结构，包括底座、压接片和换热站。MOSFET设置于底座上，且其本体上设置有散热片，引脚上设置有散热套。压接片通过压接杆压接在散热片上。散热片上开设有第一流道，散热套上开设有...
    2026-02-11
  • 一种均温液冷装置
    一种均温液冷装置_江苏神州半导体科技有限公司_202511702611.5
    本发明属于散热器技术领域，具体涉及一种均温液冷装置。包括散热主体，其表面设置有散热位，散热主体两端分别设置有进口和出口，散热主体内部设置有连通进口和出口的流道总成；流道总成包括主流道，其第一端与进口连通，主流道从第一端往另一端的宽度逐步变窄...
    2026-02-11
  • 一种具有温度检测功能的双面散热功率半导体模块及制作方法
    一种具有温度检测功能的双面散热功率半导体模块及制作方法_威海新佳电子有限公司_202511672573.3
    本发明公开了一种具有温度检测功能的双面散热功率半导体模块及制作方法，一种具有温度检测功能的双面散热功率半导体模块包括从下至上依次层叠设置的第一散热底板、下DBC基板、第一半导体芯片、温度检测DBC基板、第二半导体芯片、上DBC基板以及第二散...
    2026-02-11
  • 一种超高热流密度自驱动薄膜沸腾三维散热器及制造方法
    一种超高热流密度自驱动薄膜沸腾三维散热器及制造方法_华南理工大学_202511463727.8
    本发明涉及一种超高热流密度自驱动薄膜沸腾三维散热器及制造方法，该三维散热器包括上壳板和下壳板。上壳板通过机加工一体成形，顶面具有密布的空心散热针柱，相邻针柱间形成冷却介质流道，底面具有液体工质定向输运结构；下壳板通过机加工形成空腔，空腔内设...
    2026-02-11
  • 用于小面积芯片散热的3D蒸汽室
    用于小面积芯片散热的3D蒸汽室_深圳市飞荣达科技股份有限公司_202511485195.8
    本发明公开了一种用于小面积芯片散热的3D蒸汽室，包括上盖板、下盖板，上盖板与下盖板密封连接，形成密闭腔体；密闭腔体分为非热源区域以及与小面积芯片对应的热源区域，热源区域设有若干铜柱，热源区域的下盖板上设有若干微针，密闭腔体内的下盖板表面上设...
    2026-02-11
  • 一种低寄生电感的Econodual形式的SIC封装结构
    一种低寄生电感的Econodual形式的SIC封装结构_北一半导体科技(广东)有限公司_202511567752.0
    本发明公开一种低寄生电感的Econodual形式的SIC封装结构，涉及xxxx领域。该低寄生电感的Econodual形式的SIC封装结构，包括封装外壳、AMB氮化硅陶瓷基板、多层复合母排、SiCMOSFET芯片、寄生电感循环检测单元、数据处...
    2026-02-11
  • 多维金属-绝缘体-金属电容器
    多维金属-绝缘体-金属电容器_美光科技公司_202511040712.0
    本公开涉及多维金属‑绝缘体‑金属电容器。本文中所描述的实施例涉及各种结构、集成组合件及存储器装置。在一些实施例中，一种集成组合件包含装置区。所述装置区包含电容器结构，所述电容器结构包含水平安置的第一导电螺旋结构及水平安置的第二导电螺旋结构。...
    2026-02-11
  • 封装结构及修边方法
    封装结构及修边方法_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202411026406.7
    一种封装结构及修边方法，封装结构包括：第一晶圆；第二晶圆，键合于所述第一晶圆上，所述第二晶圆的边缘上具有凸出的修边残留部，所述修边残留部用于作为所述第二晶圆的检测标记。由于第二晶圆的边缘上具有凸出的修边残留部，因此，将所述封装结构送入工艺设...
    2026-02-11
  • 显示母板、显示基板和显示装置
    显示母板、显示基板和显示装置_北京京东方光电科技有限公司_202411026784.5
    本公开提供了一种显示母板、显示基板和显示装置。本公开的显示母板包括至少一个基板区域。基板区域包括显示区域和周边区域。周边区域包括第一绑定区。显示区域设置有多条数据线；第一绑定区设置有多个与第一驱动结构电连接的第一绑定焊盘、至少一个第一测试焊...
    2026-02-11
  • 半导体结构及其制作方法
    半导体结构及其制作方法_荣芯半导体(宁波)有限公司_202511719643.6
    本发明提供一种半导体结构及其制作方法。该半导体结构中，第一晶圆的第一表面上具有第一金属对准标记，第一键合介质层位于第一表面上，第一键合介质层具有第一金属设置区和环绕第一金属设置区的第二金属设置区，第二金属设置区和第一金属设置区之间具有大于零...
    2026-02-11
  • 一种TGV原位观察装置及其制作方法
    一种TGV原位观察装置及其制作方法_厦门大学_202511946156.3
    本发明涉及一种TGV原位观察装置及其制作方法，包括键合连接的第一透明玻璃和第二透明玻璃，第一透明玻璃靠近第二透明玻璃的一侧开设有盲孔结构微沟道，微沟道左、右侧壁均设置有对应的侧壁电极，微沟道的端部设置有接线沟道，本发明采用两块透明玻璃有利于...
    2026-02-11
  • 3D堆栈结构的制造方法
    3D堆栈结构的制造方法_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202411031619.9
    本发明提供一种3D堆栈结构的制造方法，在进行TGV基板的键合时，对TGV基板的待键合面进行SPM溶液的表面平坦化处理以及NaOH溶液的表面活化处理，其中，通过SPM溶液的表面平坦化处理可缩小TGV基板的待键合面的表面粗糙度，使得待键合面平整...
    2026-02-11
  • 集成电路封装及形成其的方法
    集成电路封装及形成其的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511319726.6
    本发明提供一种装置包括封装衬底第一侧上的中介层元件上芯片，以及封装衬底的第一侧上的第一环状结构。第一环状结构延伸围绕中介层元件上芯片的周边。封盖可能配置在第一环状结构上。装置还包括封装衬底的第二侧上的连接器的阵列，其中封装衬底第二侧相对于封...
    2026-02-11
  • 一种覆铜陶瓷基板化银时侧壁不上银的方法
    一种覆铜陶瓷基板化银时侧壁不上银的方法_浙江德汇电子陶瓷有限公司_202511512577.5
    本发明涉及覆铜陶瓷基板制造技术领域，尤其涉及一种覆铜陶瓷基板化银时侧壁不上银的方法，包括以下步骤：(1)对覆铜陶瓷基板进行化学镀银，使所述基板的表面和侧壁形成银层；(2)在所述基板表面银层上形成耐碱保护层；(3)将步骤(2)得到的基板浸泡在...
    2026-02-11
  • 基于光刻胶牺牲层的ABF嵌入式空腔制备方法及结构
    基于光刻胶牺牲层的ABF嵌入式空腔制备方法及结构_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202511571366.9
    本发明涉及一种基于光刻胶牺牲层的ABF嵌入式空腔制备方法及结构，其中方法包括：在核心基板上图形化光刻胶形成牺牲层结构与垂直互连通道空间；电镀铜柱后去除通道光刻胶；层压ABF介质层完全包覆结构与铜柱；研磨至暴露牺牲层与铜柱顶面；最后去除牺牲层...
    2026-02-11
  • 一种嵌入硅桥和高密度硅电容的中介层的制备方法及结构
    一种嵌入硅桥和高密度硅电容的中介层的制备方法及结构_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202511571498.1
    本发明公开一种嵌入硅桥和高密度硅电容的中介层的制备方法及结构，属于集成电路先进封装领域。本发明可用于2.5D先进封装高密度互连；该中介层结构包括中介层背面RDL再布线层、使用高分子环氧树脂料EMC埋入硅桥及高密度硅电容的中间层、以及中介层正...
    2026-02-11
  • 一种DDR封装方法
    一种DDR封装方法_天津津航计算技术研究所_202511607945.4
    本发明涉及一种DDR封装方法，属于异构芯片集成技术领域。该方法是基于Chiplet设计方法学，通过芯片流片布局在晶圆级进行RDL、IPD互联等先进封装技术解决DDR在系统封装内应用受限的问题，从而使得在封装内以最小尺寸方案扩充带宽并解决阻抗...
    2026-02-11
  • 功率模块
    功率模块_现代自动车株式会社_202510281894.4
    本发明公开了一种功率模块。功率模块包括连接件引脚和引脚保持部，所述连接件引脚配置为接收电信号，所述引脚保持部在其上表面和下表面处分别形成有配置为接收连接件引脚的上部插入孔和下部插入孔。上部插入孔和下部插入孔的每个与连接件引脚的表面或边缘形成...
    2026-02-11
  • 集成电路及其封装中的引线框架
    集成电路及其封装中的引线框架_成都芯源系统有限公司_202511003883.6
    公开了一种集成电路(Integrated Circuit，IC)及其封装中的引线框架。该IC包括引线框架以及IC裸片。引线框架包括在水平方向上相互分离的第一部分和第二部分。IC裸片安装在引线框架的第一部分上并具有连接到第一部分的裸片底面以及...
    2026-02-11
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