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最新专利技术
  • 灵敏放大器电路、存储器及其读操作模块
    灵敏放大器电路、存储器及其读操作模块_上海优村科技有限公司_202512032903.9
    本公开提供了一种灵敏放大器电路、存储器及其读操作模块，灵敏放大器电路包括钳位电路和基准电流比较电路；钳位电路用于基于预充电控制信号、位线读操作电压、第一参考电压和存储器的电源电压，输出数据位线电压至存储阵列中的目标存储单元，并将数据位线电压...
    2026-02-27
  • 存储器装置和感测电流放大电路
    存储器装置和感测电流放大电路_爱思开海力士有限公司_202511075923.8
    本文中提供了一种存储器装置和感测电流放大电路。存储器装置可以包括存储器单元、通过位线连接到存储器单元的页面缓冲器电路以及用于控制存储器单元和页面缓冲器电路的操作的控制逻辑。页面缓冲器电路可以包括连接到感测节点的感测电流放大电路，感测节点连接...
    2026-02-27
  • 存储器装置和存储系统
    存储器装置和存储系统_爱思开海力士有限公司_202411878156.X
    本公开涉及存储器装置和存储系统。一种存储器装置包括：存储单元阵列，其包括多个单元块，每个单元块包括多个存储单元并与相邻单元块共用子字线驱动器；数据输入/输出电路，其被配置为通过多个数据焊盘来输入和输出对应于所述多个单元块的数据；以及映射电路...
    2026-02-27
  • 用于实现多维光电路交换结构的方法和装置
    用于实现多维光电路交换结构的方法和装置_爱思开海力士有限公司_202511570219.X
    本发明公开一种数据处理电路，其包括：适用于分别并行地将多个输入位组转化为多个输出位组的多个转化块，其中，每个转化块通过使用随机模式将相应的输入位组转化为相应的输出位组。
    2026-02-27
  • 非易失存储器及其状态寄存器写操作的控制方法、系统
    非易失存储器及其状态寄存器写操作的控制方法、系统_上海优村科技有限公司_202512013475.5
    本公开提供了一种非易失存储器及其状态寄存器写操作的控制方法、系统，所述非易失存储器包括围绕存储单元阵列布设的外围阵列，所述外围阵列外侧依次设有感测放大器、Y方向选择器和外围电路；所述外围电路中设有外围状态寄存器阵列；所述存储单元阵列中的目标...
    2026-02-27
  • 存储电路、存储器及其访问方法、电子设备
    存储电路、存储器及其访问方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411045928.1
    一种存储电路、存储器及其访问方法、电子设备，存储电路包括：第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管的栅电极包括：第一栅电极和第二栅电极，第一晶体管的第一栅电极与读字线电连接，第一晶体管的第二栅电极与存储节点电连接，第一晶体管的第一极与位线电连接，...
    2026-02-27
  • 一种感测电路、存储器及其访问控制方法、电子设备
    一种感测电路、存储器及其访问控制方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411046574.2
    一种感测电路、存储器及其访问控制方法、电子设备，感测电路包括：第一感测放大器、第二感测放大器、第一参考存储单元、第一选通子电路、第二参考存储单元和第二选通子电路，第一参考存储单元连接第一参考位线，再通过第一选通子电路连接到第一感测放大器的第...
    2026-02-27
  • 可选择字线驱动器
    可选择字线驱动器_美光科技公司_202511039726.0
    本公开涉及可选择字线驱动器。一种存储器装置包含：一或多个存储器单元；全局字线；多条局部字线，其各自耦合到所述一或多个存储器单元中的相应存储器单元；字线晶体管，其耦合到所述全局字线及所述多条字线中的局部字线；及电压产生电路系统。所述电压产生电...
    2026-02-27
  • 包括辅助晶体管的存储器件及其操作方法
    包括辅助晶体管的存储器件及其操作方法_三星电子株式会社_202511075669.1
    一种存储器件，包括：存储单元阵列，包括连接到第一位线或第一源极线的多个磁存储单元；多个辅助晶体管，连接到第一位线或第一源极线，并且彼此并联连接；以及控制逻辑电路，连接到多个辅助晶体管中的每一个的栅电极。控制逻辑电路可以响应于针对连接到第一字...
    2026-02-27
  • 具有数字线转换速率控制的存储器装置
    具有数字线转换速率控制的存储器装置_美光科技公司_202511040725.8
    本申请涉及具有数字线转换速率控制的存储器装置。本公开描述一种电子装置，其可包含多个存储器单元、多个数字线以及多个感测放大器，所述多个感测放大器各自通过目标数字线耦合到存储器单元且包含输出级。所述输出级可被配置成产生驱动所述目标数字线的输出信...
    2026-02-27
  • 一种提升双器件存储单元密度的位单元逻辑结构和阵列
    一种提升双器件存储单元密度的位单元逻辑结构和阵列_中国电子科技集团公司第五十八研究所_202511541510.4
    本发明公开一种提升双器件存储单元密度的位单元逻辑结构和阵列，属于半导体器件领域。本发明编程管、存储单元和选择管；基于传统1T1M双器件存储单元的位单元逻辑，增加一个外部编程晶体管，原晶体管仅作选择管使用，使得编程晶体管和选择晶体管分离。编程...
    2026-02-27
  • 存储器系统的温度传感器读出
    存储器系统的温度传感器读出_美光科技公司_202511031101.X
    本公开涉及存储器系统的温度传感器读出。本文中描述将温度传感器数据提供到存储器控制器。一种实例系统包含存储器设备，其包括：存储器装置；控制器，其耦合到所述存储器装置且经配置以：从耦合到所述存储器装置的第一寄存器接收所述存储器装置的温度状态；确...
    2026-02-27
  • 一种内存颗粒的刷新周期自适应方法
    一种内存颗粒的刷新周期自适应方法_深圳市晶存科技股份有限公司_202610010068.0
    本发明涉及数据存储技术领域，公开了一种内存颗粒的刷新周期自适应方法，该方法包括：当发现内存颗粒出现损坏时，调试内存颗粒的刷新周期时间；以预设第一时间作为初始刷新周期时间，使内存颗粒以初始刷新周期时间进行数据读取；若读取到的数据为正确数据，则...
    2026-02-27
  • 基于命令中的编码位设置终端阻抗
    基于命令中的编码位设置终端阻抗_美光科技公司_202511048363.7
    本申请公开了用于基于命令中的编码位设置终端阻抗的设备、系统和方法。存储器接收包含一或多个编码位的存取命令，所述存取命令可经由一或多个CA引脚接收。基于所述一或多个编码位和模式寄存器中的设置，所述存储器确定其是否是所述存取命令的目标，并且所述...
    2026-02-27
  • 基于存储器阵列的上下文对存储器单元进行编程
    基于存储器阵列的上下文对存储器单元进行编程_美光科技公司_202511059523.8
    用于基于存储器阵列的上下文对存储器单元进行编程的系统、方法及设备。在一个方法中，存储器装置具有布置成三维竖直存储器阵列的存储器单元。所述存储器单元使用形成为上覆于所述阵列的位线来存取。控制器确定所述存储器单元的上下文。基于所述上下文，每一存...
    2026-02-27
  • 存储器阵列和参考电流电路
    存储器阵列和参考电流电路_德州仪器公司_202510978758.0
    本申请涉及存储器阵列和参考电流电路。一种电路(100)包含存储器阵列(110)，所述存储器阵列包含按行和列布置的存储器位单元。行包含差分参考位单元(114)和单端位单元(112)，且所述参考位单元(114)包含经配置以存储第一二进制值的第一...
    2026-02-27
  • 用于准确和安全读取的存储器电路布置
    用于准确和安全读取的存储器电路布置_意法半导体国际有限公司_202511569302.5
    本公开的实施方式涉及用于准确和安全读取的存储器电路布置。本公开涉及将用户数据存储器单元和测试存储器单元布置在可配置的存储器阵列中，可配置的存储器阵列可以分别在存储器启动和正常存储器使用期间执行差分和单端读取操作。用户数据存储器单元和测试存储...
    2026-02-27
  • 一种存储器装置、操作方法及存储器系统
    一种存储器装置、操作方法及存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202411055598.4
    本申请实施例提供一种存储器装置、操作方法及存储器系统。其中，该存储器装置包括：存储单元阵列；所述存储单元阵列包括：至少一个存储块；外围电路，与所述存储块耦接，且包括存储结构；其中，所述外围电路，被配置为：接收操作命令，并对所述操作命令进行解...
    2026-02-27
  • 执行编程操作的存储器装置及操作该存储器装置的方法
    执行编程操作的存储器装置及操作该存储器装置的方法_爱思开海力士有限公司_202510487344.8
    一种存储器装置可以包括：存储块，包括多个存储器单元串，多个存储器单元串各自包括源极选择晶体管、多个存储器单元和漏极选择晶体管；外围电路，被配置为执行对存储器单元串进行预充电并将编程电压施加到多条字线之中的选择的字线的编程操作；以及控制逻辑，...
    2026-02-27
  • 竖直硫族化物存储器装置及方法
    竖直硫族化物存储器装置及方法_美光科技公司_202511067881.3
    本申请涉及竖直硫族化物存储器装置及方法。本发明公开设备及方法，其包含硫族化物存储器胞元、半导体装置和系统。实例半导体装置及方法包含彼此电隔离的多个硫族化物材料插塞。所述多个硫族化物材料插塞电耦合于导电字线层与多个竖直数据线之间。
    2026-02-27
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