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最新专利技术
  • 用于乘累加运算的三维铁电隧道结装置
    用于乘累加运算的三维铁电隧道结装置_美光科技公司_202511038661.8
    本公开涉及用于乘累加运算的三维铁电隧道结装置。本公开涉及与使用存储器单元执行乘法的存储器装置相关的系统、方法及设备。在一种方法中，存储器单元阵列具有竖直布置于半导体衬底上方的存储器单元。每一存储器单元使用铁电隧道结FTJ装置作为存储元件来存...
    2026-03-19
  • 基于FeFET的多功能存内计算单元、阵列和电路
    基于FeFET的多功能存内计算单元、阵列和电路_安徽大学_202512035939.2
    本申请公开了一种基于FeFET的多功能存内计算单元、阵列和电路，涉及集成电路领域，该存内计算单元包括两个N型FeFET管F1和F2以及两个NMOS管M0和M1；F1和F2的栅极分别连接列输入线WL1和WL2，F1和F2的源极分别连接行输入线...
    2026-03-19
  • 用于具有基于激活的计数存取计数更新和后台刷新的存储器阵列的设备和方法
    用于具有基于激活的计数存取计数更新和后台刷新的存储器阵列的设备和方法_美光科技公司_202511029683.8
    本公开涉及用于具有基于激活的计数存取计数更新和后台刷新的存储器阵列的设备和方法。一种存储器具有存储体，所述存储体具有至少两个行解码器，其中的每一者控制所述存储体的至少两个部分。每一字线具有相关联的存取计数，其沿着耦合到不同行解码器的字线存储...
    2026-03-19
  • 基于双Bank异构的自适应动态随机存取存储器、控制方法、介质、终端及程序产品
    基于双Bank异构的自适应动态随机存取存储器、控制方法、介质、终端及程序产品_上海光羽芯辰科技有限公司_202511450592.1
    本申请提供了一种基于双Bank异构的自适应动态随机存取存储器、控制方法、介质、终端及程序产品，包括：多组第一Bank组，每组第一Bank组包括多个低延迟Bank，低延迟Bank用于存取小数据块数据；多组第二Bank组，每组第二Bank组包括...
    2026-03-19
  • 基于多芯片堆叠架构的动态随机存取存储器、控制方法、介质、终端及程序产品
    基于多芯片堆叠架构的动态随机存取存储器、控制方法、介质、终端及程序产品_上海光羽芯辰科技有限公司_202511450593.6
    本申请提供了一种基于多芯片堆叠架构的动态随机存取存储器、控制方法、介质、终端及程序产品，包括：逻辑控制模块；M个第一存储芯片，第一存储芯片设置于逻辑控制模块的顶部，用于存储小数据块数据；M为正整数；N个第二存储芯片，第二存储芯片采用硅通孔技...
    2026-03-19
  • 基于三晶体管存算器件阵列的校准电路及校准方法
    基于三晶体管存算器件阵列的校准电路及校准方法_南京大学_202511458031.6
    本发明公开了一种基于三晶体管存算器件阵列的校准电路及校准方法，属于模拟集成电路技术领域。针对同时具有埋栅和复合介质栅结构的三晶体管存算器件组成的易失性存算一体阵列，本发明特别设计了校准电路，通过使用适应埋栅和复合介质栅结构的三晶体管存算器件...
    2026-03-19
  • 一种内存颗粒烧录控制方法、装置、电子设备及存储介质
    一种内存颗粒烧录控制方法、装置、电子设备及存储介质_深圳市晶存科技股份有限公司_202512052158.4
    本发明提供了一种内存颗粒烧录控制方法、装置、电子设备及存储介质。本发明提供的方法，包括：获取内存模组的第一逻辑存储单元的第一模式寄存器的值以及第二逻辑存储单元的第一模式寄存器的值；若第一逻辑存储单元的第一模式寄存器的值和第二逻辑存储单元的第...
    2026-03-19
  • DDR参考电压校准方法、系统、设备及存储介质
    DDR参考电压校准方法、系统、设备及存储介质_深圳市晶存科技股份有限公司_202512027598.4
    本申请公开了一种DDR参考电压校准方法、系统、设备及存储介质，其中方法包括：基于校准后的DQS采样时钟，在水平方向上以固定步进移动设置多个延迟位置；在每个所述延迟位置上遍历参考电压，以确定当前所述延迟位置下能正确采样数据信号时所对应的参考电...
    2026-03-19
  • 控制电路及半导体存储装置
    控制电路及半导体存储装置_华邦电子股份有限公司_202411289905.5
    本发明公开了一种控制电路及半导体存储装置。该控制电路，包括：控制单元，产生表示延迟量的控制信号；延迟线单元，根据控制信号，将输入时钟信号延迟以产生输出时钟信号的延迟动作；以及暂时延迟量选择单元，接收该输出时钟信号，产生以不同的多个暂时延迟量...
    2026-03-19
  • 用于存储器阵列中的存取线的分流网络
    用于存储器阵列中的存取线的分流网络_美光科技公司_202511047959.5
    本公开涉及用于存储器阵列中的存取线的分流网络。描述用于具有连接到存取线的分流网络的存储器装置的系统、方法及设备。在一种方法中，存储器装置具有布置成存储器阵列的的存储器单元。使用上覆于所述阵列而形成的位线来存取所述存储器单元。所述位线耦合到减...
    2026-03-19
  • 用于行和/或列寻址的随机化序列
    用于行和/或列寻址的随机化序列_意法半导体国际公司_202511033434.6
    本公开涉及用于行和/或列寻址的随机化序列。用于存储器中计算操作的计算权重数据被存储在存储器阵列的存储器单元中。在执行存储器中计算操作期间，使用随机选择的行和/或列访问顺序从存储器阵列读取计算权重数据。数字计算处理电路接收用于存储器中计算操作...
    2026-03-19
  • 数字相位电路
    数字相位电路_华邦电子股份有限公司_202510594969.4
    本发明提供一种数字相位电路。数字相位电路包括第一反相器至一第四反相器。第一反相器至第四反相器串接以形成反相器环，其中第一反相器的输出端提供第一频率信号，第二反相器的输出端提供第二频率信号，第三反相器的输出端提供第三频率信号，并且第四反相器的...
    2026-03-19
  • 用于多电平存储器单元的组合逻辑
    用于多电平存储器单元的组合逻辑_美光科技公司_202511039042.0
    本公开涉及用于多电平存储器单元的组合逻辑。一种存储器装置包含第一组合逻辑，所述第一组合逻辑被配置成从第一存储器阵列中的N个相应存储器单元中的每一个接收所存储电压值的多数字表示，且所述存储器单元中的每一个被配置成存储具有至少三个不同电荷电平中...
    2026-03-19
  • 多级存储器单元读取及回写系统
    多级存储器单元读取及回写系统_美光科技公司_202511039043.5
    本公开涉及多级存储器单元读取及回写系统。一种存储器装置包含：存储器单元阵列，其包含至少第一及第二存储器单元。所述单元中的每一者可经配置以在两种或更多种非零电荷电平下存储电荷。第一局部放大器电路可经配置以基于所述第一存储器单元的第一单元电压信...
    2026-03-19
  • 一种具有多值特性的1T1R器件及其制备方法
    一种具有多值特性的1T1R器件及其制备方法_中国电子科技南湖研究院_202411034534.6
    本发明公开了一种具有多值特性的1T1R器件及其制备方法，属于集成电路技术领域。本发明通过调整晶体管与阻变存储器的连接方式或者改变晶体管的类型，使得SET电压不直接施加在阻变存储器上，阻变存储器上的电压在晶体管的夹断效应下迅速饱和，使得阻变存...
    2026-03-19
  • 一种存储器及存储系统
    一种存储器及存储系统_长江存储控股股份有限公司_202410946938.6
    本公开提供了一种存储器及存储系统，涉及半导体芯片技术领域。存储器包括存储阵列和耦接于存储阵列的外围电路，外围电路包括参考电路和电源产生电路，参考电路与参考电路通过字线连接的存储单元层中的任意存储单元构成电流镜电路，电流镜电路被配置为：根据电...
    2026-03-19
  • 存储器装置及其操作方法、存储器系统
    存储器装置及其操作方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202511593287.8
    本公开实施例提供了一种存储器装置及其操作方法、存储器系统；其中，存储器装置包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储块；以及外围电路，与所述存储单元阵列耦接并被配置为：对多个存储块中选定的存储块施加第一有效擦除电压后，对选定的存储块施...
    2026-03-19
  • 计算电路及其操作方法
    计算电路及其操作方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511417049.1
    提出了8T CFET SRAM来实施并行加权求和操作，以加速推理过程。电路包括：存储器阵列，包括存储器单元，存储器单元的每个包括多个晶体管，并且耦合至第一字线和第二字线，并且配置为接收第一数据元素，存储第二数据元素，并且提供第一数据元素和第...
    2026-03-19
  • 存储器、存储器操作方法及存储系统
    存储器、存储器操作方法及存储系统_长江存储科技有限责任公司_202411027462.2
    本公开提供一种存储器、存储器操作方法及存储系统，涉及存储器技术领域。该存储器包括：存储单元阵列；多条字线，多条字线分别耦合到存储单元阵列的行；多条位线，多条位线分别耦合到存储单元阵列的存储串；外围电路，外围电路包括页缓冲器电路，页缓冲器电路...
    2026-03-19
  • 存储器、存储系统以及存储器的操作方法
    存储器、存储系统以及存储器的操作方法_长江存储科技有限责任公司_202511622827.0
    本申请公开了一种存储器、存储系统以及存储器的操作方法，属于存储技术领域。对存储器的操作方法包括：确定参考存储单元的存储态，基于参考存储单元的存储态，确定目标存储单元对应的感测节点的放电时长。基于目标存储单元对应的感测节点的放电时长，对目标存...
    2026-03-19
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