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最新专利技术
  • 有机电致发光组合物及其应用
    有机电致发光组合物及其应用_厦门杭创科技有限公司_202311643797.2
    本发明提供一种有机电致发光组合物及其应用。所述有机电致发光组合物包括第一发光材料和第二发光材料，第一发光材料具有式H‑L‑F表示的结构，其中H具有式1表示的结构，F具有式2表示的结构，所述第二发光材料具有如式3所示的结构。本发明的有机电致发...
    2026-02-05
  • 提高热电性能的方法、材料与热电器件
    提高热电性能的方法、材料与热电器件_西安交通大学_202511578191.4
    一种基于磁声耦合调控材料热导率以提高热电性能的方法、材料与热电器件，方法中，确定磁性热电材料或经磁性掺杂获得磁性的非磁性热电材料作为目标材料；对目标材料施加调控处理以引入或增强其磁声耦合效应，以改变磁振子与声子之间的相互作用强度，从而降低目...
    2026-02-05
  • 一种多层热电器件、热电器件系统及热电器件制备工艺
    一种多层热电器件、热电器件系统及热电器件制备工艺_能芯(常州)电子科技有限公司_202510963878.3
    本发明公开了一种多层热电器件、热电器件系统及热电器件制备工艺，属于热电器件制备技术领域。主要包括包括上段结构、中段结构和下段结构；上段结构为辅助热电器件段，其中包含掺杂氮化铝粉末的PDMS薄膜、蛇形电极层、热电材料层；中段结构为微流体散热段...
    2026-02-05
  • 一种Bi0.5Sb1.5Te3基热电元件及其制备方法和应用
    一种Bi0.5Sb1.5Te3基热电元件及其制备方法和应用_黄石弗莱迪尔电子科技有限公司_202511541459.7
    本发明提供一种Bi0.50.5Sb1.51.5Te33基热电元件及其制备方法和应用，属于热电元件制备技术领域。该Bi0.50.5Sb1.51.5Te33基热电元件包括Bi0.50.5Sb1.51.5Te33热电片，位于Bi0.50.5Sb1...
    2026-02-05
  • 集成化氮化镓基光电器件及其制备、测试和温度控制方法
    集成化氮化镓基光电器件及其制备、测试和温度控制方法_中国科学院半导体研究所_202410990352.X
    本发明提供了一种集成化氮化镓基光电器件及其制备、测试和温度控制方法，器件包括：依次堆叠的衬底、GaN缓冲层、GaN/AlGaN超晶格应力释放层、n型GaN基层、InGaN/InGaN发光功能层、AlGaN阻挡层、p型GaN基层；p型GaN基...
    2026-02-05
  • 一种采用光刻胶牺牲层制备环氧树脂空腔结构的方法
    一种采用光刻胶牺牲层制备环氧树脂空腔结构的方法_苏州英加特喷印科技有限公司_202511549167.8
    本发明提供了一种采用光刻胶牺牲层制备环氧树脂空腔结构的方法，包括以下步骤：步骤1、对两块基板片进行清洁干燥，以去除表面油污，并采用等离子体对两块基板片进行活化处理；步骤2、在第一块基板片表面滴加光刻胶，形成第一胶层，并对该第一胶层进行划分以...
    2026-02-05
  • 一种双模态声学传感器及其制备方法
    一种双模态声学传感器及其制备方法_华东光电集成器件研究所_202511347125.6
    本发明涉及一种双模态声学传感器，包括：硅衬底层(01)、氧化硅层(03)和硅结构层(07)，硅结构层上面沉积下电极层(04)，下电极层上面设有压电材料层(08)，压电材料层上面制有上电极层(06)，从压电层向下制有下电极连接孔(09)及引线...
    2026-02-05
  • 压电元件及驱动器件
    压电元件及驱动器件_TDK株式会社_202510877638.1
    本发明涉及压电元件及驱动器件。压电元件(2)的素体(11)包含配置有第一内部电极(12A)和第二内部电极(12B)隔着压电体层(14)在第一方向(D1)上相对的驱动部(15)的驱动区域(F1)。驱动部(15)具有在第二方向(D2)的一侧沿第...
    2026-02-05
  • 一种双层光学压电薄膜复合衬底及其制备方法和应用
    一种双层光学压电薄膜复合衬底及其制备方法和应用_青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司_202511532220.3
    本发明涉及一种双层光学压电薄膜复合衬底及其制备方法和应用，所述双层光学压电薄膜复合衬底包括基板以及设置在所述基板上的压电衬底层；所述压电衬底层包括依次层叠设置的第一压电薄膜层和第二压电薄膜层，且所述第一压电薄膜层和所述第二压电薄膜层的极性相...
    2026-02-05
  • 一种带三重隔离结构的霍尔元件及其制备方法
    一种带三重隔离结构的霍尔元件及其制备方法_上海鑫雁微电子股份有限公司_202511371064.7
    本申请涉及霍尔传感器技术领域，提供一种带三重隔离结构的霍尔元件及其制备方法，本申请提出的霍尔元件包括两对参与电气连接的霍尔接触区，位于霍尔接触区两侧并有一定间隙距离的氧化物隔离结构，将霍尔板区域垂直方向完全隔离的氧化物埋层，利用隔离结构与埋...
    2026-02-05
  • 一种相变开关结构、阵列基板及显示装置
    一种相变开关结构、阵列基板及显示装置_北京京东方技术开发有限公司_202411001563.2
    本申请提供一种相变开关结构、阵列基板及显示装置，属于半导体技术领域，包括：衬底；缓冲层，设置在衬底的一侧；加热电阻层，设置在缓冲层背离衬底的一侧；第一介质层，设置在加热电阻层背离缓冲层的一侧；相变层，设置在第一介质层背离加热电阻层的一侧；第...
    2026-02-05
  • 半导体器件的形成方法
    半导体器件的形成方法_新存科技(武汉)有限责任公司_202511515756.4
    本公开提供了一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底；所述基底至少包括沿第一方向叠置的存储单元层；通过旋涂工艺在所述基底沿所述第一方向相对两侧中的一侧形成第一掩膜材料层；对所述第一掩膜材料层进行烘烤和紫外线照射，以形成第二掩膜材料层；在所述...
    2026-02-05
  • 存储器及其形成方法
    存储器及其形成方法_新存科技(武汉)有限责任公司_202511339249.X
    本申请公开了一种存储器及其形成方法，包括衬底、位于衬底上的若干分立的存储单元和第一侧壁保护层。存储单元包括第一电极、第二电极和位于第一电极与第二电极之间的存储功能层，第一电极包括沿第一方向突出于存储功能层的第一突部，第二电极包括沿第一方向突...
    2026-02-05
  • 一种阈值开关器件及其制备方法
    一种阈值开关器件及其制备方法_深圳大学_202511561153.8
    本发明涉及一种阈值开关器件及其制备方法，属于半导体器件与微电子技术领域。该器件自下而上依次包括衬底、第一电极层、异质结材料层和第二电极层；其中异质结材料层由金属性材料ATe22组成的第一子层与由半导体性材料MX22组成的第二子层交替堆叠构成...
    2026-02-05
  • MXene-BTCN忆阻器及其制备方法
    MXene-BTCN忆阻器及其制备方法_无锡微纳核芯电子科技有限公司_202511563955.2
    本申请涉及MXene‑BTCN忆阻器及其制备方法、数据存储结构，包括导电基底层、设置在导电基底层上的金属电极层以及位于导电基底层与金属电极层之间的MXene‑BTCN功能层，MXene‑BTCN功能层由MXene与有机半导体BTCN复合形成...
    2026-02-05
  • 一种集成薄膜电阻及其制备方法
    一种集成薄膜电阻及其制备方法_和舰芯片制造(苏州)股份有限公司_202411008376.7
    本发明公开了一种集成薄膜电阻及其制备方法，制备方法包括以下步骤：S1、对前层工艺中的金属间电介质平坦化后形成氧化层；S2、在氧化层上方进行第一次SiON沉积后形成隔绝层；S3、在隔绝层上方依次进行铬硅和TiN沉积，分别形成铬硅层和窗口层后回...
    2026-02-05
  • 形成薄膜晶体管的方法
    形成薄膜晶体管的方法_应用材料公司_202511351529.2
    本文披露的实施方式大体涉及形成薄膜晶体管(TFT)的方法。所述方法包括形成一个或多个金属氧化物层和/或多晶硅层。使用具有电感耦合等离子体(ICP)的高密度等离子体化学气相沉积(HDP‑CVD)工艺将栅极界面(GI)层沉积在一个或多个金属氧化...
    2026-02-05
  • 一种菱方相锰锆共掺二氧化铪铁电薄膜材料及其制备方法
    一种菱方相锰锆共掺二氧化铪铁电薄膜材料及其制备方法_清华大学_202411083960.9
    本发明公开了一种菱方相锰锆共掺二氧化铪铁电薄膜材料及其制备方法。该铁电薄膜材料结构由下至上依次为：单晶基底层、底电极层和铁电材料层；其中，铁电材料层由单层均匀薄膜组成，构成铁电材料层的材料是具有铁电性的稳定菱方相结构的锰锆共掺杂二氧化铪。制...
    2026-02-05
  • ALD沉积方法和太阳能电池
    ALD沉积方法和太阳能电池_天合光能(东台)光电有限公司_202511612978.8
    本申请涉及太阳能电池技术领域，具体提供一种ALD沉积方法和太阳能电池。旨在解决载板需要较长的波动时间才能使载板达到指定温度，会影响ALD设备的产能的问题。为此，本申请提供了一种ALD沉积方法，包括：i)初始化阶段：采用温度模式运行，采集每个...
    2026-02-05
  • 离子注入剥离方法、装置、系统及存储介质
    离子注入剥离方法、装置、系统及存储介质_哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)_202511293069.2
    本申请提供了一种离子注入剥离方法、装置、系统及存储介质，该方法应用于离子注入剥离系统，该方法包括：提供第一材料衬底和第二材料衬底；向第一材料衬底内注入第一离子束和第二离子束，形成包含第一离子和第二离子的损伤层，其中，第一离子束与第二离子束在...
    2026-02-05
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