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最新专利技术
  • 一种氧化镓单晶生长过程的温度控制方法、设备及介质
    一种氧化镓单晶生长过程的温度控制方法、设备及介质_深圳市朗帅科技有限公司_202511956358.6
    本发明公开了一种氧化镓单晶生长过程的温度控制方法、设备及介质，涉及氧化镓单晶温控技术领域，包括，实时监测晶体生长区的温度分布数据；根据温度分布数据设定预热曲线，并对晶体生长区进行逐步加热，获取稳定温度数据；基于稳定温度数据，通过粒子群优化算...
    2026-03-23
  • 基于事件触发学习的半导体硅单晶生长V/G值预测方法
    基于事件触发学习的半导体硅单晶生长V/G值预测方法_西安理工大学_202512007978.1
    本申请提出一种基于事件触发学习的半导体硅单晶生长值预测方法，属于硅单晶生长预测技术领域。包括以下步骤：根据硅单晶生长机理构建值状态空间模型；将值状态空间模型嵌入长短期记忆网络中，构建网络模型；在网络模型中引入注意力机制，并依次进行加权融合处...
    2026-03-23
  • 单晶等径生长过程中液口距的控制方法、装置、电子设备及存储介质
    单晶等径生长过程中液口距的控制方法、装置、电子设备及存储介质_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511566789.1
    本发明提供单晶等径生长过程中液口距的控制方法、装置、电子设备及存储介质，涉及半导体拉晶技术领域，在单晶等径生长过程中，获取当前周期直径测量值、晶棒拉速检测值、直径设定值及晶棒拉速设定值；基于当前直径测量值、直径设定值计算当前直径偏差值；基于...
    2026-03-23
  • 基于拉速的放肩控制方法、装置、设备和存储介质
    基于拉速的放肩控制方法、装置、设备和存储介质_无锡唯因特数据技术有限公司_202511685975.7
    本发明提供一种基于拉速的放肩控制方法，包括以下步骤：对于选定的晶体规格，选择对应的预先配置的直径生长速率预测模型和拉速预测模型；在放肩阶段，当晶体按照SOP控制生长至预设长度时，通过直径生长速率预测模型预测获得晶体长度为预设长度+一个单位长...
    2026-03-23
  • 一种汞监测收集装置及富汞垂直液相外延系统
    一种汞监测收集装置及富汞垂直液相外延系统_中国电子科技集团公司第四十八研究所_202511712514.4
    本发明公开了一种汞监测收集装置及富汞垂直液相外延系统，汞监测收集装置包括排气管，所述排气管的入口用于与反应室相连，所述排气管沿排气方向依次设有反应室排气阀、冷阱、文丘里管和鼓泡瓶，所述鼓泡瓶内设有磁性脱汞剂，所述排气管的入口至文丘里管之间的...
    2026-03-23
  • 一种用于碳化硅单晶生长的加热器及碳化硅单晶生长装置
    一种用于碳化硅单晶生长的加热器及碳化硅单晶生长装置_广州南砂晶圆半导体技术有限公司_202511743108.4
    本申请涉及碳化硅单晶生长设备技术领域，尤其涉及一种用于碳化硅单晶生长的加热器及碳化硅单晶生长装置，用于碳化硅单晶生长的加热器包括相对设置的第一加热单元和第二加热单元；第一加热单元和第二加热单元合围构成用于容纳碳化硅单晶生长坩埚的空间；第一加...
    2026-03-23
  • 一种利用碘作为输运剂使用气相输运法生长1T-TaS2单晶的方法
    一种利用碘作为输运剂使用气相输运法生长1T-TaS2单晶的方法_浙江光电子研究院_202511433299.4
    本发明提出了一种利用碘作为输运剂使用气相输运法生长1T‑TaS22单晶的方法，属于单晶制备领域。该方法包括如下步骤：(1)通过固相反应法反复烧结制备TaS22多晶，(2)将TaS22多晶与输运剂I22混合均匀，通过化学气相输运的方法制备1T...
    2026-03-23
  • 一种传片腔室、工艺腔室及半导体工艺设备
    一种传片腔室、工艺腔室及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202511599108.1
    本申请公开了一种传片腔室、工艺腔室及半导体工艺设备，所述传片腔室内设置有第一连接管和第一运动装置；所述传片腔室的下游端设有传片口；所述第一运动装置用于带动所述第一连接管移动；所述第一连接管移动至第一目标位置，所述第一连接管用于将反应腔室的出...
    2026-03-23
  • 一种防外延片背面变色掉渣的分子束外延装置及应用
    一种防外延片背面变色掉渣的分子束外延装置及应用_苏州信越半导体有限公司_202511682288.X
    本发明提供一种防外延片背面变色掉渣的分子束外延装置及应用，所述分子束外延装置包括生长室；所述生长室内设置有载台；所述载台由下至上依次设置有第一台阶和第二台阶；所述第一台阶上放置有衬底，且所述衬底的背面朝向所述第二台阶；所述第二台阶上放置有遮...
    2026-03-23
  • 一种自动传片MOCVD设备
    一种自动传片MOCVD设备_中国电子科技集团公司第四十八研究所_202511712530.3
    本发明公开了一种自动传片MOCVD设备，包括：反应腔体以及设置在反应腔体内的石墨基座，石墨基座上均布有多个石墨小盘，石墨小盘用于承载晶圆，所述石墨基座与反应腔体外部的旋转驱动部件连接，以实现石墨基座带动石墨小盘在反应腔体内旋转；反应腔体与石...
    2026-03-23
  • 一种用于PBN坩埚的硅氧类杂质主动净化方法及系统
    一种用于PBN坩埚的硅氧类杂质主动净化方法及系统_季华实验室_202511996304.2
    本申请涉及分子束外延技术领域，具体提供了一种用于PBN坩埚的硅氧类杂质主动净化方法及系统，方法包括步骤：S1、按照预设温度变化速率对待净化坩埚进行升温，直至待净化坩埚的温度达到第一预设峰值温度；S2、将待净化坩埚的温度保持在第一预设峰值温度...
    2026-03-23
  • 铅盐单晶敏化薄膜及其制备方法和在红外探测器中的应用
    铅盐单晶敏化薄膜及其制备方法和在红外探测器中的应用_南昌大学_202511895120.7
    本发明公开了铅盐单晶敏化薄膜及其制备方法和在红外探测器中的应用，涉及光电子半导体材料技术领域。铅盐单晶敏化薄膜的制备方法包括以下步骤：S1、在基底上生长铅盐薄膜；S2、将所述铅盐薄膜进行氧气高温预敏化处理，形成氧掺杂铅盐薄膜；S3、将所述氧...
    2026-03-23
  • 进气连接装置以及外延设备
    进气连接装置以及外延设备_浙江求是创芯半导体设备有限公司_202411009386.2
    本申请公开了一种进气连接装置以及外延设备，该进气连接装置包括连接本体和连接板，连接本体内开设有进气通道、进气槽和进气口，进气槽连通进气通道与进气口，进气通道还用于与外部气源连通；连接板覆盖于进气槽的槽口并与连接本体连接，连接板形成有凸台结构...
    2026-03-23
  • 一种碳化硅外延生长方法
    一种碳化硅外延生长方法_芯三代半导体科技(苏州)股份有限公司_202511414335.2
    本申请公开一种碳化硅外延生长方法，其基于碳化硅外延设备，该方法包括：在刻蚀阶段利用加热器将反应腔加热至第一预设温度，并利用喷淋部件向反应腔内通入一定流量的氢气，以刻蚀所述衬底的表面；在缓冲层生长阶段，利用加热器将反应腔的温度维持在第二预设温...
    2026-03-23
  • 一种利用HVPE在蓝宝石衬底外延生长纯相α-Ga2O3的工艺方法
    一种利用HVPE在蓝宝石衬底外延生长纯相α-Ga2O3的工艺方法_北京铭镓半导体有限公司_202511498803.9
    本发明公开了一种利用HVPE在蓝宝石衬底外延生长纯相α‑Ga22O33的工艺方法，包括以下步骤：对(0006)取向的蓝宝石衬底进行清洗干燥。通过HVPE方法在蓝宝石衬底上外延生长(003)取向的纯相α‑Ga22O33外延膜。本发明中可以在(...
    2026-03-23
  • 一种在砷化镓表面外延锑化镓薄膜晶体的方法
    一种在砷化镓表面外延锑化镓薄膜晶体的方法_苏州衡巍光电科技有限公司_202511590326.9
    本发明公开一种在砷化镓表面外延锑化镓薄膜晶体的方法，属于化合物半导体材料合成技术领域。该方法包括以下步骤：步骤一、将砷化镓衬底晶圆放置在晶体反应炉内部的支架上，对晶体反应炉抽真空；步骤二、将氩气输送至晶体反应炉，置换空气；步骤三、将锑烷输送...
    2026-03-23
  • 一种金刚石培育方法、系统、终端及存储介质
    一种金刚石培育方法、系统、终端及存储介质_深圳优普莱等离子体技术有限公司_202511846074.1
    本发明属于金刚石培育技术领域，公开了一种金刚石培育方法、系统、终端及存储介质，所述方法包括：确定初始金刚石衬底，并对初始金刚石衬底进行酸洗处理，得到第一金刚石衬底；对第一金刚石衬底进行超声清洗处理，得到第二金刚石衬底，并基于915MHz‑M...
    2026-03-23
  • 纳米级光路用铜锰多晶体的制备方法及拉晶设备
    纳米级光路用铜锰多晶体的制备方法及拉晶设备_锦州天泰金属粉末加工有限公司_202511314397.6
    本申请涉及纳米级光路用铜锰多晶体技术领域，特别是涉及纳米级光路用铜锰多晶体的制备方法及拉晶设备，通过采用高纯的铜锰合金，并保持高频电磁搅拌，可有效减少杂质引入，避免成分偏析，使锰元素在铜基体中均匀分布，通过精确控制区域熔炼的加热温度、保温时...
    2026-03-23
  • 一种具备梯度结构的聚晶金刚石球及其加工工艺
    一种具备梯度结构的聚晶金刚石球及其加工工艺_洛阳轴承研究所有限公司_202511412020.4
    本发明涉及精密加工技术领域，特别是涉及具备梯度结构的聚晶金刚石球及其加工工艺。所述聚晶金刚石球主要由金刚石微粉、金属粘结相通过高温高压烧结而成，使得所述聚晶金刚石材料具有高硬度、高热导率、低磨损率等优异性能，广泛应用于工业、电子等领域。由于...
    2026-03-23
  • 具有缩小整根硅单晶棒电阻率范围的硅单晶拉制方法
    具有缩小整根硅单晶棒电阻率范围的硅单晶拉制方法_杭州中欣晶圆半导体股份有限公司_202511304565.3
    本发明涉及一种具有缩小整根硅单晶棒电阻率范围的硅单晶拉制方法，所属晶圆加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：在a坩埚中将固体硅料和掺杂剂一起全部融化成液体。第二步：在b坩埚中采用坩埚缓慢降低埚位，实现坩埚底部一部分液体从最底部缓慢凝固成固...
    2026-03-23
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