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  • 本发明涉及合金热处理技术领域,具体涉及一种低碳合金钢碳氮共渗连续炉系统及热处理方法。具体技术方案为:一种低碳合金钢碳氮共渗连续炉系统,所述连续炉内依次分为预氧化区、预热区、强渗区、扩散区、中冷区、二次加热区、降温区,所述降温区的尾端连接双油...
  • 本发明公开一种KMN材料的离子氮化热处理工艺,涉及金属材料热处理技术领域。当KMN材料为锻件时,先进行正火处理和调质处理,然后进行离子氮化处理;当KMN材料为板材或棒材时,先进行所述调质处理,然后进行离子氮化处理;其中,离子氮化处理包括:温...
  • 本发明涉及改性金属材料技术领域,尤其涉及一种基于钛融一体渗透术的高耐磨材料的制备方法。本发明针对现有技术中不锈钢材料耐磨性差,而涂层改性涂层本身容易脱落的问题,提供一种基于钛融一体渗透术的高耐磨材料的制备方法,包括将不锈钢基材进行表面清洁,...
  • 本发明公开了一种耐腐蚀锚索锚具及其生产工艺,锚索锚具清洁处理后,使用渗剂进行加热共渗,得到合金化锚索锚具;合金化锚索锚具经超音速微粒轰击,得到预处理锚索锚具;预处理锚索锚具经渗氮处理、强流脉冲电子束处理、渗硼处理、热处理,得到耐腐蚀锚索锚具...
  • 本发明属于金属防护结构及表面工程技术领域,尤其涉及一种耐磨抗腐蚀金属风罩的制作方法。风罩由经氮气等离子体协同改性的钢基材料、N‑苯基乙烯酰胺、耐热稳定剂、抗氧化剂、固化剂、增韧剂及表面活性剂复合制得。通过氮气等离子体、乙炔气、氧化钇与γ‑氨...
  • 本发明涉及太阳能电池技术领域,具体涉及一种用于背接触电池的溅射镀膜设备、背接触电池及制备方法,该溅射镀膜设备包括沿载板传输方向依次设置的进片腔室、至少一个远程等离子体处理腔室、进片隔离腔室、进片缓冲腔室、至少一个镀膜腔室、出片缓冲腔室、出片...
  • 本发明公开一种黑膜及其制备方法、光学器件,涉及光学技术领域,该方法包括:在第一基材上涂覆混合胶水形成胶水层,其中,所述混合胶水包括至少两种材料,且每种材料在第一溶剂中的溶解能力不同;将形成有所述胶水层的第一基材浸泡在所述第一溶剂中,以选择性...
  • 本申请公开了一种碳化钨薄膜的制备方法,可用于半导体领域,该碳化钨薄膜的制备方法中,首先,向辅助离子源通入惰性气体以对样品进行预清洗,向溅射离子源通入惰性气体以对靶材表面进行预清洗;而后,向溅射离子源通入惰性气体,形成溅射离子束;向辅助离子源...
  • 本发明公开了一种用于CFRP/Ti叠层材料钻削加工的梯度复合涂层及其制备方法,包括沉积于刀具基体上的梯度复合涂层,所述梯度复合涂层由基体侧朝向所述梯度复合涂层表面依次包含有TiAlN基础层、TiAlN/CrN周期复合层、CrN连接层和DLC...
  • 本发明涉及表面工程及切削刀具技术领域,公开了一种AlTiVCrMoWN高熵氮化物涂层及其制备方法和应用。所述AlTiVCrMoWN高熵氮化物涂层中各元素的原子百分比含量为:Al 20.0at.%‑30.0at.%、Ti 1.0at.%‑5....
  • 本发明属于功能薄膜材料技术领域,具体涉及一种具有高光学品质因数的熵稳定材料及其制备方法。针对现有技术在中红外波段因材料强轨道杂化难以形成高对称性晶系,导致相变材料存在低折射率对比度与低消光系数之间难以兼顾的问题,本发明提出一种轻元素与重元素...
  • 本发明公开了一种在硬质基体表面制备形状记忆合金涂层的方法及刀具,涉及到表面改性技术领域。本发明通过磁控溅射形成非晶态沉积,获得了高致密、高硬度的形状记忆合金涂层,解决了现有刀具硬度不足的问题;其次,通过控制真空度等退火参数,形成可控晶化,使...
  • 本发明实施例提供一种导电件、导电组件及薄膜沉积设备,涉及半导体技术领域。导电件包括第一连接部、第二连接部和拐弯结构;拐弯结构连接在第一连接部和第二连接部之间,第一连接部用于与移动件固定连接,第二连接部用于固定件固定连接。拐弯结构具有多个可变...
  • 本发明涉及一种公转换靶的真空镀膜机靶台组件,包括,法兰基座、双磁流体、公转驱动机构、自转驱动机构、限位机构、多靶位靶台机构和靶台支撑杆,双磁流体包括磁流体外壳、公转轴和自转轴,多靶位靶台机构包括靶台固定座、公转靶轴管和自转靶轴,靶台固定座通...
  • 本发明公开了一种用于半导体晶片的真空镀膜装置,涉及半导体晶片技术领域,包括:镀膜单元,包括罐体、设置于罐体底部的支撑部、设置于罐体内部的加热件,以及设置于罐体内部的导向件;真空单元,包括设置于支撑部上的真空组件;在固定组件利用挤压和回弹作用...
  • 本申请涉及蒸镀技术领域,本申请提供一种基板调整装置及蒸镀机,基板调整装置包括支撑组件、微动平台、升降机构和第二升降杆,支撑组件包括承托架和设于承托架上的承托板,承托板用于承托基板,微动平台用于微调基板的位置,升降机构包括第一升降杆与连杆机构...
  • 本公开提供了一种电子束镀膜设备,属于PVD镀膜领域。该电子束镀膜设备,其包括上料腔室、工艺腔室、过渡腔室和伞架流转机构;上料腔室用于容纳并定位携带晶圆的伞架;工艺腔室用于在真空条件下对晶圆进行镀膜处理;过渡腔室设置于上料腔室与工艺腔室之间,...
  • 本发明涉及半导体技术领域,具体而言,涉及一种薄膜制备方法及半导体工艺设备。薄膜制备方法包括:通气步,向工艺腔室内通入第一工艺气体;轰击步,离化第一工艺气体以产生等离子体轰击靶材,并控制电磁铁工作以在工艺腔室内产生动态磁场;沉积步,靶材被轰击...
  • 本公开内容的多个实施方式涉及通过减少沉积膜的悬垂部来扩大基板特征结构的开口宽度的方法。本公开内容的一些实施方式利用高能量偏压脉冲来蚀刻基板特征结构的开口附近的沉积膜。本公开内容的一些实施方式在不损坏下面的基板的情况下蚀刻沉积膜。
  • 本发明公开了一种多腔室磁控溅射连续镀膜机,包括第一取料传输模组与第二取料传输模组,所述第二取料传输模组一端设置有限位组件,所述第一取料传输模组与第二取料传输模组底端均对称固定安装有支撑架,且两组支撑架中部固定安装有安装架;本发明通过转动电机...
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