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最新专利技术
  • 复合衬底及复合衬底的制备方法
    复合衬底及复合衬底的制备方法_苏州龙驰半导体科技有限公司_202511948619.X
    本申请实施例提供一种复合衬底及复合衬底的制备方法，涉及半导体器件技术领域，用于解决相关技术中由3C‑SiC衬底与4H‑SiC衬底键合形成的复合衬底键合界面电阻较大的技术问题；该复合衬底包括：3C‑SiC层和4H‑SiC层，4H‑SiC层包括...
    2026-02-09
  • 一种复合衬底及其制备方法
    一种复合衬底及其制备方法_苏州龙驰半导体科技有限公司_202511948622.1
    本申请涉及半导体技术领域，提供了一种复合衬底及其制备方法。复合衬底包括4H‑SiC基板，4H‑SiC基板的碳面形成有第一热氧化层。3C‑SiC基板，3C‑SiC基板的表面形成有第二热氧化层。第一热氧化层与第二热氧化层融合形成键合层，以使4H...
    2026-02-09
  • 氮化物半导体装置的制造方法
    氮化物半导体装置的制造方法_住友电气工业株式会社_202510948350.9
    氮化物半导体装置的制造方法具有以下工序：准备包括沿着第一轴重叠的沟道层和阻挡层并且具有第一面的第一氮化物半导体层；在第一氮化物半导体层形成第一凹部和第二凹部；以及通过溅射法，在腔室内，在第一凹部形成包含镓和杂质的第二氮化物半导体层，在第二凹...
    2026-02-09
  • 碳化硅衬底及其制备方法和碳化硅外延片及其制备方法
    碳化硅衬底及其制备方法和碳化硅外延片及其制备方法_重庆奕欣科技有限公司_202511548981.8
    本公开提供了外延生长用碳化硅衬底及其制备方法、以及碳化硅外延片及其制备方法。在一方面中，提供了一种外延生长用碳化硅衬底的制备方法，该制备方法包括：对碳化硅衬底的表面进行离子注入，以在该表面下方形成损伤区；以及对经过离子注入的碳化硅衬底进行退...
    2026-02-09
  • 纳米级条纹阵列图案化的层叠体及其制备方法、二维材料的图案化方法和基底的图案化方法
    纳米级条纹阵列图案化的层叠体及其制备方法、二维材料的图案化方法和基底的图案化方法_清华大学_202410961847.X
    本发明涉及一种纳米级条纹阵列图案化的层叠体及其制备方法、二维材料的图案化方法和基底的图案化方法。本发明的纳米级条纹阵列图案化的层叠体的制备方法包括：(A1)在二维材料层的表面上以与该表面接触的方式通过涂覆墨水形成嵌段共聚物层，所述墨水为包含...
    2026-02-09
  • 半导体结构中斜坡台面的制造方法及半导体器件
    半导体结构中斜坡台面的制造方法及半导体器件_无锡华润上华科技有限公司_202410949060.1
    本发明涉及一种半导体结构中斜坡台面的制造方法及半导体器件，所述制造方法包括：形成第一目标膜层；根据斜坡台面的顶面设计形状和顶面设计尺寸，对所述第一目标膜层进行光刻和第一干法刻蚀，第一干法刻蚀后剩余的第一目标膜层为第一目标结构；所述第一目标结...
    2026-02-09
  • 一种在刻蚀过程中控制底层AlGaN的损失量的方法
    一种在刻蚀过程中控制底层AlGaN的损失量的方法_无锡邑文微电子科技股份有限公司_202511457978.5
    本发明提供了一种在刻蚀过程中控制底层AlGaN的损失量的方法，所述方法包括以下步骤：(1)预处理过程：预清洁刻蚀腔体；(2)初始化过程：将待刻蚀晶圆放置到所述刻蚀腔体中的静电吸盘上，所述静电吸盘的温度是预设值，所述待刻蚀晶圆包括GaN层和A...
    2026-02-09
  • 一种用于减少等离子体损伤的低功率刻蚀方法
    一种用于减少等离子体损伤的低功率刻蚀方法_长春长光圆辰微电子技术有限公司_202511958257.2
    本申请涉及半导体刻蚀技术领域，本申请提供一种用于减少等离子体损伤的低功率刻蚀方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀基板于等离子体处理装置的腔室内，所述待刻蚀基板表面至少包含待刻蚀层和掩模层；向所述腔室内通入工艺气体；施加脉冲化的源功率以在所述腔...
    2026-02-09
  • 制造半导体结构的方法
    制造半导体结构的方法_南亚科技股份有限公司_202511566827.3
    本发明提供一种制造半导体结构的方法，此方法包括以下操作。在基板上形成导电结构。形成钨层以覆盖基板与导电结构。在钨层上形成硬遮罩叠层。图案化硬遮罩叠层。通过硬遮罩叠层蚀刻钨层。移除硬遮罩叠层。在钨层上形成硬遮罩叠层包括以下操作。在钨层上形成碳...
    2026-02-09
  • 通过使用低温等离子体蚀刻工艺制造半导体装置的方法
    通过使用低温等离子体蚀刻工艺制造半导体装置的方法_三星电子株式会社_202510478224.1
    提供了一种制造半导体装置的方法，该方法包括：在半导体结构上形成第一模制结构和第二模制结构，第二模制结构在水平方向上与第一模制结构间隔开，第一模制结构包括一个接一个地交替堆叠的第一绝缘膜和与第一绝缘膜不同的第二绝缘膜，并且第二模制结构包括第三...
    2026-02-09
  • 处理方法、半导体器件的制造方法、处理装置及程序制品
    处理方法、半导体器件的制造方法、处理装置及程序制品_株式会社国际电气_202510593094.6
    本发明涉及处理方法、半导体器件的制造方法、处理装置及程序制品。课题是提供一种能够高效地进行衬底表面的蚀刻并提高生产率的技术。解决手段具有：(a)形成在处理容器内配置有制品衬底和含氮物的状态的工序；和(b)通过向配置有所述制品衬底和所述含氮物...
    2026-02-09
  • 一种半导体结构的刻蚀方法
    一种半导体结构的刻蚀方法_物元半导体技术(青岛)有限公司_202511575219.9
    本发明公开了一种半导体结构的刻蚀方法，该半导体结构的刻蚀方法包括提供一半导体基底，于半导体基底上依次形成氧化硅层、氮化硅层及光刻胶层，并在光刻胶层上形成光刻胶开口。基于光刻胶开口采用由氢氟烃、氧气及氩气形成的混合气体刻蚀氮化硅层，在刻蚀过程...
    2026-02-09
  • 一种原位自清洁的氧化钨刻蚀方法、半导体结构及芯片
    一种原位自清洁的氧化钨刻蚀方法、半导体结构及芯片_西湖大学_202511964701.1
    本申请涉及半导体制造技术领域，公开了一种原位自清洁的氧化钨刻蚀方法、半导体结构及芯片，其中，所述方法包括：在氧化钨薄膜上形成有机聚合物软掩膜层；在ICP刻蚀设备中，采用三氟甲烷为主体的刻蚀气体，对具备所述有机聚合物软掩膜层的所述氧化钨薄膜进...
    2026-02-09
  • 基板处理方法以及基板处理装置
    基板处理方法以及基板处理装置_株式会社斯库林集团_202511639735.3
    在基板W上形成有凹部95。凹部95的宽度比凹部95的深度短。在侧面95s的上部的至少一部分以及侧面95s的下部的至少一部分露出表示单晶硅、多晶硅以及非晶硅中的至少一个的蚀刻对象物。通过将溶解了非活性气体的碱性的第一蚀刻液供给至基板W，对蚀刻...
    2026-02-09
  • 一种单片式砷化镓衬底的高效腐蚀方法
    一种单片式砷化镓衬底的高效腐蚀方法_江苏福拉特半导体设备有限公司_202511701963.9
    本发明公开了一种单片式砷化镓衬底的高效腐蚀方法，将砷化镓衬底晶圆置于腐蚀液中并在浸泡过程中持续运动，以抑制气泡附着；将经浸泡的晶圆绕其轴心旋转，同时向晶圆表面持续供给NH₄OH与H₂O₂混合药液，借助旋转产生的离心力与药液冲刷力实时去除腐蚀...
    2026-02-09
  • 基底切边方法及基底切边控制系统
    基底切边方法及基底切边控制系统_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202410966567.8
    本申请公开了一种基底切边方法及基底切边控制系统，包括：选择性地执行第一种切边作业模式或第二种切边作业模式；执行第一种切边作业模式时，控制载台按照预设速度从初始位置匀速旋转至目标位置，同时控制两个刀头以相同的切边尺寸同时对载台上的基底进刀切边...
    2026-02-09
  • 晶圆沟槽的加工方法及其相关装置
    晶圆沟槽的加工方法及其相关装置_沈阳和研科技股份有限公司_202511971494.2
    本发明提供了一种晶圆沟槽的加工方法及其相关装置，涉及晶圆加工技术领域，晶圆沟槽的加工方法，用于晶圆加工设备，晶圆加工设备包括刀具，加工方法包括：对晶圆进行识别，确定晶圆的外轮廓；获取晶圆的预设开槽轨迹；基于晶圆的预设开槽轨迹和晶圆的外轮廓确...
    2026-02-09
  • 晶圆卡盘冷却站分离装置
    晶圆卡盘冷却站分离装置_西北电子装备技术研究所(中国电子科技集团公司第二研究所)_202511533700.1
    本发明涉及临时晶圆键合技术领域，具体涉及一种晶圆卡盘冷却站分离装置，主要解决现有冷却站分离装置晶圆对与晶圆卡盘分离难度较大的技术问题。本装置包括冷却机构、测温机构、驱动机构、正压分离机构、吹气分离机构和提升机构，冷却机构包括支撑件和冷却板，...
    2026-02-09
  • 一种多工位晶圆单片清洗设备及晶圆单片清洗方法
    一种多工位晶圆单片清洗设备及晶圆单片清洗方法_杭州翼菲机器人智能制造有限公司_202511380887.6
    本申请公开了一种多工位晶圆单片清洗设备及晶圆单片清洗方法，晶圆单片清洗设备包括机体，机体设有清洗单元、上料单元与转运单元；清洗单元包括多个清洗部，各清洗部能够独立执行晶圆清洗工作；上料单元包括多个晶圆取放位，各晶圆取放位能够单独放置晶圆；转...
    2026-02-09
  • 晶圆表面残胶的去除方法和晶圆
    晶圆表面残胶的去除方法和晶圆_珠海格力电子元器件有限公司_202511499680.0
    本申请提供了一种晶圆表面残胶的去除方法和晶圆，去除方法包括：采用至少一种清洗工艺对待处理晶圆的正面残胶进行去除，得到第一晶圆，清洗工艺包括激光清洗工艺和超声波联合臭氧清洗工艺；采用包括超临界二氧化碳的溶剂去除第一晶圆的正面的残留物，残留物为...
    2026-02-09
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