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最新专利技术
  • 超结结构的制造方法
    超结结构的制造方法_深圳尚阳通科技股份有限公司_202511844961.5
    本发明公开了一种超结结构的制造方法，包括：提供第一导电类型掺杂的第一外延层并进行图形化刻蚀形成多个超结沟槽，由各超结沟槽之间的第一外延层组成第一导电类型柱。进行退火使第一导电类型柱的杂质沿超结沟槽的内侧表面外扩，以在第一导电类型柱的侧面区域...
    2026-02-12
  • 晶体管结构及其制造方法
    晶体管结构及其制造方法_联华电子股份有限公司_202410958743.3
    本发明公开一种晶体管结构及其制造方法。上述晶体管结构包括衬底、隔离结构、第一外延层、第二外延层、栅介电层与栅极。隔离结构位于衬底中。隔离结构在衬底中定义出有源区。隔离结构具有位于有源区的两侧的第一凹陷与第二凹陷。第一凹陷与第二凹陷分别暴露出...
    2026-02-12
  • 结型场效应晶体管器件结构
    结型场效应晶体管器件结构_无锡华润上华科技有限公司_202410971818.1
    本发明涉及一种结型场效应晶体管器件结构，包括：衬底；浅槽隔离结构；阱区，至少部分位于浅槽隔离结构的下方、且至少部分位于衬底的上方；多个深槽结构，在导电沟道宽度方向上每隔一段距离设有一个，各深槽结构的深度大于阱区的深度，从而将阱区分隔为多个；...
    2026-02-12
  • 一种半导体结构和半导体器件
    一种半导体结构和半导体器件_株洲中车时代半导体股份有限公司_202510255821.8
    本发明涉及半导体技术领域，公开一种半导体结构和半导体器件。半导体结构包括：半导体衬底层；位于半导体衬底层的第一表面依次层叠设置的缓冲层和漂移层；缓冲层的掺杂浓度自半导体衬底层至所述漂移层的方向上递减；第一掺杂区，位于缓冲层中；其中，缓冲层和...
    2026-02-12
  • 浓度补偿型超结结构及其形成方法
    浓度补偿型超结结构及其形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511286205.5
    本发明提供一种浓度补偿型超结结构及其形成方法。该方法包括：在外延层中刻蚀沟槽形成第一导电类型的掺杂柱后，在填充沟槽前，对该掺杂柱的侧壁上部区域执行带角度的同类型离子注入，以形成浓度补偿区。本发明通过在第一导电类型的掺杂柱上部增加局部掺杂浓度...
    2026-02-12
  • 提升穿通电压的高压集成电路隔离环结构及其制造方法
    提升穿通电压的高压集成电路隔离环结构及其制造方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511367762.X
    本发明提供一种提升穿通电压的高压集成电路隔离环结构，包括P型衬底、高压器件区和隔离环区。隔离环区包括P型埋层、分别位于该P型埋层两侧的两个N型埋层、以及位于该P型埋层和两个N型埋层下方的P型注入层，该P型注入层的掺杂浓度高于P型衬底。本发明...
    2026-02-12
  • SGT MOSFET结构及制造方法
    SGT MOSFET结构及制造方法_陕西亚成微电子股份有限公司_202511411977.7
    本发明提供一种SGT MOSFET结构及制造方法，包括位于衬底一侧的外延层、位于外延层中的多个沟槽，沟槽具有底部区域、中间区域和顶部区域；位于底部区域的电磁干扰抑制结构，位于中间区域的中间氧化层以及位于顶部区域的栅极结构；位于外延层中的体区...
    2026-02-12
  • 一种具有多重极化态的二维多铁材料及其制备方法
    一种具有多重极化态的二维多铁材料及其制备方法_西安交通大学_202511385674.2
    本发明公开了一种具有多重极化态的二维多铁材料及其制备方法。所述二维多铁材料在具有本征六重极化状态的二维铁电材料CuInP22S66中引入磁性元素，使所述二维多铁材料在保留所述六重极化状态的同时，兼具超顺磁性。所述二维多铁材料在高密度数据存储...
    2026-02-12
  • 一种二维铁电材料及其制备方法和应用
    一种二维铁电材料及其制备方法和应用_清华大学深圳国际研究生院_202511400821.9
    本发明公开了一种二维铁电材料及其制备方法和应用；该二维铁电材料的成分为二维硒化铟，在所述二维硒化铟的表面具有硒化铟褶皱构筑的结构。本发明提供的二维铁电材料为二维硒化铟，在二维硒化铟的表面具有硒化铟褶皱构筑的结构，褶皱结构组成的应变网络超结构...
    2026-02-12
  • Ⅲ族氮化物外延结构及其制备方法、HEMT器件及其制备方法
    Ⅲ族氮化物外延结构及其制备方法、HEMT器件及其制备方法_芯联动力科技(绍兴)有限公司_202511554978.7
    本申请实施例涉及一种Ⅲ族氮化物外延结构及其制备方法、HEMT器件及其制备方法，其中，Ⅲ族氮化物外延结构包括：由第一外延层和第二外延层组成的异质结叠层；第二外延层在第一外延层上外延生长而形成；第二外延层为BxxAl1‑x1‑xN层；第一外延层...
    2026-02-12
  • 半导体结构以及其形成方法
    半导体结构以及其形成方法_联华电子股份有限公司_202411047613.0
    本发明公开一种半导体结构以及其形成方法，其中半导体结构包含一基底，一氧化层，位于该基底的一表面，一栅极电极，位于该基底上并且部分接触该基底，且部分该栅极电极位于该氧化层上，一第一场板，位于该氧化层上，一第一介电层，覆盖该栅极电极，一第二介电...
    2026-02-12
  • 一种防止多晶硅开裂的屏蔽栅沟槽的形成方法
    一种防止多晶硅开裂的屏蔽栅沟槽的形成方法_和舰芯片制造(苏州)股份有限公司_202410942207.4
    本发明公开了一种防止多晶硅开裂的屏蔽栅沟槽的形成方法，其包括以下步骤：S1、提供一半导体基底，在半导体基底表面形成沟槽和外延层，在沟槽的内壁进行屏蔽氧化物沉积形成第一槽内氧化层；S2、在第一槽内氧化层内进行光阻涂覆形成光阻层；S3、对光阻层...
    2026-02-12
  • 栅极氧化层及栅极的制备方法
    栅极氧化层及栅极的制备方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202410961565.X
    本发明提供一种栅极氧化层及栅极的制备方法，先通过在含氮气体氛围下对硅基衬底进行快速热退火处理，该方式属于无损伤掺氮方式，可以先在硅基衬底表面进行氮预掺杂，以减少后续等离子体氮掺杂所需掺杂量，从而降低等离子体氮掺杂工艺对SiON栅极氧化层的损...
    2026-02-12
  • 用于含金属材料的高压退火处理
    用于含金属材料的高压退火处理_应用材料公司_202511239874.7
    本公开内容提供了用于在TFT显示应用、半导体、或存储器应用中在含金属层上执行退火处理的方法。在一个实例中，一种在基板上形成含金属层的方法包括以下步骤：在处理腔室中的基板上供应含氧气体混合物，所述基板包括设置在光学透明基板上的含金属层；将所述...
    2026-02-12
  • 形成可调功函数的氮化钛层方法、半导体器件和半导体工艺设备
    形成可调功函数的氮化钛层方法、半导体器件和半导体工艺设备_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511366727.6
    本发明涉及半导体加工技术领域，具体而言，涉及一种形成可调功函数的氮化钛层方法、半导体器件和半导体工艺设备。所提供的形成可调功函数的氮化钛层方法，采用原子层沉积工艺形成可调功函数的氮化钛层，包括至少一次的沉积循环，每次沉积循环包括：S101提...
    2026-02-12
  • 一种提高碳化硅MOSFET器件栅氧化层可靠性的生产工艺
    一种提高碳化硅MOSFET器件栅氧化层可靠性的生产工艺_常州银河世纪微电子股份有限公司_202511418112.3
    本发明公开了一种提高碳化硅MOSFET器件栅氧化层可靠性的生产工艺：S1、提供碳化硅外延片；S2、对碳化硅外延片清洗；S3、对碳化硅外延片进行高温牺牲氧化，生长牺牲氧化层，再剥离牺牲氧化层；S4、最在生长栅氧化层之前，使用氢氟酸溶液对碳化硅...
    2026-02-12
  • 一种二维半导体与金属电极的键合接触方法
    一种二维半导体与金属电极的键合接触方法_北京科技大学_202511598148.4
    本发明公开了一种二维半导体与金属电极的键合接触方法，涉及半导体技术领域。本发明将二维过渡金属硫族化合物半导体置于基底上，在其表面加工出源极图案和漏极图案，采用低能量刻蚀方式在源极图案和漏极图案对应的二维过渡金属硫族化合物半导体区域进行刻蚀，...
    2026-02-12
  • 一种半导体器件及其制备方法和电子装置
    一种半导体器件及其制备方法和电子装置_芯联集成电路制造股份有限公司_202511655487.1
    一种半导体器件及其制备方法和电子装置，制备方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成有栅极介质层，在所述栅极介质层上形成有栅极结构，所述栅极结构包含间隔设置的开关栅极、逻辑电路栅极和LNA栅极；在所述LNA栅极上形成有保护层；对所述LNA栅极进行...
    2026-02-12
  • 用于晶体管的接触式多晶硅分裂栅极
    用于晶体管的接触式多晶硅分裂栅极_万国半导体国际有限合伙公司_202510950001.0
    一种平面栅极晶体管器件，包括半导体衬底和形成在半导体衬底上方的导电栅电极。导电分裂栅电极形成在半导体衬底上方，靠近导电栅电极的漏极接触侧，导电接触插塞形成在分裂栅电极上方。
    2026-02-12
  • 一种半导体结构及制备方法、集成电路
    一种半导体结构及制备方法、集成电路_上海光通信有限公司_202410964758.0
    本申请公开一种半导体结构及制备方法、集成电路，该半导体结构包括衬底以及形成在衬底的上表面的栅极结构。该栅极结构包括在所述衬底上依次形成的第一介质层、第一阻挡层及金属导电层。该第一阻挡层含有具有亲氧功能的金属元素，该第一阻挡层靠近第一介质层的...
    2026-02-12
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