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最新专利技术
  • 一种温度响应吸波超材料及其制备方法和应用
    一种温度响应吸波超材料及其制备方法和应用_华南理工大学_202511936772.0
    本发明公开了一种温度响应吸波超材料及其制备方法和应用。本发明的温度响应吸波超材料的组成包括吸波基底和花状结构单元，花状结构单元的组成包括吸波正棱柱和吸波‑热响应片，吸波正棱柱的底面与吸波基底连接，吸波正棱柱的任一侧面均连接有吸波‑热响应片，...
    2026-02-12
  • 一种榫卯式拼接铁氧体磁屏蔽装置及方法
    一种榫卯式拼接铁氧体磁屏蔽装置及方法_浙江工业大学_202511938054.7
    本发明公开了一种榫卯式拼接铁氧体磁屏蔽装置及方法，针对现有铁氧体磁屏蔽存在整体尺寸受限、漏磁严重、多层适配难、成本高且维护灵活性差，以及医疗设备、高精度原子磁力仪对复杂磁环境的严苛屏蔽需求，通过引入“模块化扇环单元+榫卯互锁结构”的核心设计...
    2026-02-12
  • 基于多点贴装的位置近似估计方法、装置和存储介质
    基于多点贴装的位置近似估计方法、装置和存储介质_深圳市路远智能装备有限公司_202511528491.1
    本申请涉及电气工程技术领域，具体涉及一种基于多点贴装的位置近似估计方法、装置和存储介质，本方案包括：获取目标PCB板中全部贴装点的初始坐标数据，得到第一坐标数据集；按照预设筛选规则遍历第一坐标数据集，筛选得到第一横坐标和第一纵坐标；根据第一...
    2026-02-12
  • 一种半导体纳米银预烧结贴片生产热压贴头组件
    一种半导体纳米银预烧结贴片生产热压贴头组件_格润智能装备(深圳)有限公司_202511566398.X
    本发明涉及贴片机技术领域，具体涉及一种半导体纳米银预烧结贴片生产热压贴头组件，包括座板以及驱动座板直线移动的直线驱动组件，所述座板上转动设有转盘，转盘上沿其圆周方向可拆卸设有均匀分布的若干个贴头结构，所述座板上设有用于对贴头结构进行恒压推动...
    2026-02-12
  • 电路板加工设备及方法
    电路板加工设备及方法_杭州锐锋电子科技有限公司_202511843355.1
    本发明涉及电路板加工技术领域，具体为电路板加工设备及方法，包括加工机架和板件输送架，所述加工机架顶部的正面固定设置有板件输送架，所述加工机架内部的左侧设置有预处理槽，且加工机架顶部的右侧还设置有加工支撑架。本发明通过将上料夹持、预处理、贴片...
    2026-02-12
  • 一种汽车安全带线束用PCB板自动装配设备
    一种汽车安全带线束用PCB板自动装配设备_武汉天运汽车电器有限公司_202511923489.4
    本发明公开了一种汽车安全带线束用PCB板自动装配设备，属于自动装配技术领域，包括支撑座，所述支撑座的侧面固定安装有侧架，所述侧架内贯穿连接有第一直线移动单元，所述第一直线移动单元外传动连接有移动架；本发明中，采用第三电动伸缩杆、顶框、第一压...
    2026-02-12
  • 存储器器件及其形成方法
    存储器器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511408419.5
    存储器器件包括：第一下部外延源极/漏极区域，邻近第二下部外延源极/漏极区域；第一下部栅电极，邻近第一下部外延源极/漏极区域的第一侧；第二下部栅电极，邻近第二下部外延源极/漏极区域的第二侧，其中，第二侧与第一侧相对；介电层，位于第一下部外延源...
    2026-02-12
  • 半导体元件
    半导体元件_南亚科技股份有限公司_202510194585.3
    本公开提供一种半导体元件。该半导体元件包括一基底、一第一间隙子、一第二间隙子、一第三间隙子、一第四间隙子、一电容器接触件、一隔离元件以及一着陆垫。该第一间隙子及该第二间隙子位在该基底上方且沿着一第一方向延伸。该第三间隙子及该第四间隙子位在该...
    2026-02-12
  • 存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法
    存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法_美光科技公司_202510993081.8
    本申请案涉及存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法。存储器电路系统包括绝缘材料及存储器单元的竖直交替层级。存储器单元个别地包括晶体管，晶体管具有水平介于第一与第二源极/漏极区之间的沟道区及操作性地接近沟道区的栅极。存储器单元包括电容器...
    2026-02-12
  • 半导体装置
    半导体装置_美光科技公司_202510993910.2
    本申请涉及半导体装置。一种设备包含：衬底；第一区，其在所述衬底上；第二区，其在所述衬底上；至少一个第一晶体管，其包含设置在所述第一区中的第一栅极结构；至少一个第二晶体管，其包含设置在所述第二区中的第二栅极结构；三棱柱形侧壁，其在所述第二栅极...
    2026-02-12
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202511000570.5
    半导体器件可以包括：在基板上的晶体管；在晶体管上的第一布线结构；在第一布线结构上的第一接合焊盘结构；第二布线结构，在第一布线结构上的并且在水平方向上与第一接合焊盘结构至少部分地重叠；第二接合焊盘结构，在第二布线结构上且与第二布线结构间隔开，...
    2026-02-12
  • 半导体器件的制备方法及半导体工艺设备
    半导体器件的制备方法及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202511300217.9
    本申请提供了一种半导体器件的制备方法及半导体工艺设备，属于半导体技术领域，该制备方法包括：形成堆叠结构，堆叠结构包括交替堆叠的至少一层第一材料层及至少一层第二材料层；执行至少一次刻蚀工艺步，以沿着堆叠结构的侧壁横向刻蚀第一材料层或第二材料层...
    2026-02-12
  • 一种改善半导体器件边缘密度效应的工艺方法
    一种改善半导体器件边缘密度效应的工艺方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511384668.5
    本发明提供一种改善半导体器件边缘密度效应的工艺方法，涉及半导体技术领域。该工艺方法包括：在基底上形成电容器结构，电容器结构所在区域划分为阵列区和有源区；电容器结构至少包括沿第一方向叠摞设置的层叠结构，且层叠结构的阵列区布置有多个并列间隔排布...
    2026-02-12
  • 电容刻蚀方法
    电容刻蚀方法_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511384694.8
    本发明提供了一种电容刻蚀方法，涉及半导体加工技术领域，以解决电容孔刻蚀精度不高的问题。电容刻蚀方法包括：硬掩模层沉积，在基底上沉积第一硬掩模层，第一硬掩模层为钨碳基硬掩模层；光刻图案化，在第一硬掩模层上形成预设图案；硬掩模层刻蚀，图案传递至...
    2026-02-12
  • 存储器件和制造存储器单元的方法
    存储器件和制造存储器单元的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511413152.9
    存储器件包括沟道层。该存储器件包括位于沟道层的第一侧上的栅极结构，其中栅极结构具有面向沟道层的顶表面。该存储器件包括位于沟道层的与第一侧相对的第二侧上的漏极结构，其中漏极结构具有与沟道层接触的第一底表面。第一底表面在第一横向方向上与栅极结构...
    2026-02-12
  • 存储器器件、以及制造存储器单元的方法
    存储器器件、以及制造存储器单元的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511413286.0
    一种存储器器件包括沟道层。存储器器件包括栅极结构，位于沟道层第一侧上，其中，栅极结构具有面向沟道层的顶面。存储器器件包括漏极结构，位于沟道层的与第一侧相对的第二侧上，其中，漏极结构具有面向沟道层的第一底面。存储器器件包括源极结构，位于沟道层...
    2026-02-12
  • 具有垂直晶体管的存储器器件及其形成方法
    具有垂直晶体管的存储器器件及其形成方法_长江存储科技有限责任公司_202511526074.3
    在某些方面中，一种三维(3D)存储器器件包括第一半导体结构、第二半导体结构以及第一半导体结构与第二半导体结构之间的键合界面。第一半导体结构包括外围电路。第二半导体结构包括存储器单元阵列和耦合到存储器单元并且各自在垂直于第一方向的第二方向上延...
    2026-02-12
  • 存储器及其形成方法
    存储器及其形成方法_南亚科技股份有限公司_202511583171.6
    一种存储器，包含基板和位于基板上方的电容器结构。电容器结构包含底部电极、位于底部电极上方的介电结构和位于介电结构上方的顶部电极。介电结构包含由氧化铪锆(HZO)所制成的第一介电层、位于第一介电层上方，且由氧化铝所制成的阻挡层，以及位于阻挡层...
    2026-02-12
  • 一种半导体器件
    一种半导体器件_福建省晋华集成电路有限公司_202511586783.0
    本发明提供了一种半导体器件，应用于半导体技术领域。在本发明中，通过改变相邻位线结构之间间隔的宽度，使得形成在不同相邻位线结构之间的连接垫结构在水平方向上的宽度不同，进而使得部分第二隔离结构发生位置偏移，以达到让部分相邻连接垫结构连通的目的。
    2026-02-12
  • 半导体器件
    半导体器件_福建省晋华集成电路有限公司_202511649860.2
    本发明公开了半导体器件，包括衬底、栅极结构、多个绝缘间隔、多个第一焊盘、绝缘层、以及高介电常数材料层。绝缘间隔与栅极结构交替地设置在衬底上。第一焊盘设置在绝缘间隔上。绝缘层覆盖在绝缘间隔与栅极结构上，其中，覆盖在栅极结构上的绝缘层具有凹陷。...
    2026-02-12
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