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最新专利技术
  • 一种高质量增强型氮化镓外延片的制备方法
    一种高质量增强型氮化镓外延片的制备方法_北京中博芯半导体科技有限公司_202511298050.7
    本申请提供了高质量增强型氮化镓外延片的制备方法，包括如下步骤：步骤1 : 提供氮化镓异质结外延结构；步骤2 : 在氮化镓异质结外延结构上采用脉冲式生长法制备氮化镓2D层，步骤3 : 在氮化镓2D层上制备P型氮化镓帽层；步骤4 : 在P型氮化...
    2026-05-12
  • 硅衬底上氮化铝的生长方法
    硅衬底上氮化铝的生长方法_苏州中科重仪半导体材料有限公司_202511389073.9
    本申请公开了一种硅衬底上氮化铝的生长方法，该硅衬底上氮化铝的生长方法包括：提供硅衬底；在硅衬底上形成缓冲层；在硅衬底上生长氮化铝；其中，缓冲层位于硅衬底与氮化铝之间，缓冲层为单层碳化硅薄膜。缓冲层的制作方法包括：对硅衬底进行高温氢气退火；在...
    2026-05-12
  • 一种MXene抑制锡晶须生长的方法
    一种MXene抑制锡晶须生长的方法_东南大学_202511514300.6
    本发明公开了一种MXene抑制锡晶须生长的方法，包括以下步骤：(1)制备空位有序的i‑MXene；球磨Ti22SnC粉末；(2)将i‑MXene、Ti22SnC粉末和无铅锡基焊料粉末混合均匀，压制成块、打磨并保温。i‑MXene为Mo1.3...
    2026-05-12
  • 一种单晶金刚石晶片的低损耗制备方法
    一种单晶金刚石晶片的低损耗制备方法_广东工业大学_202511391412.7
    本发明公开了一种单晶金刚石晶片的低损耗制备方法，包括以下步骤：A、对单晶金刚石晶锭的表面进行激光烧蚀；B、对表面进行激光辅助抛光；C、将超快脉冲激光调制成N个改质光斑，使所有改质光斑同时在对应的深度位置按照预设路径扫描，且同一改质光斑所形成...
    2026-05-12
  • 一种同步辐射用金刚石单色器制备方法
    一种同步辐射用金刚石单色器制备方法_河北省激光研究所有限公司_202511485096.X
    本发明提供了一种同步辐射用金刚石单色器制备方法，属于同步辐射光学元件制备技术领域，包括以下步骤：选取天然Ⅱa型金刚石或CVD金刚石为晶体坯料；对坯料激光切割，获得含第一、第二晶体的样品，二者晶体取向偏差<1′；对两晶体表面抛光，使表面粗糙度...
    2026-05-12
  • 提升12寸重掺砷晶棒产量的拉晶方法
    提升12寸重掺砷晶棒产量的拉晶方法_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511756220.1
    本发明涉及单晶硅生产技术领域，尤其涉及一种提升12寸重掺砷晶棒产量的拉晶方法，该方法使用12寸单晶炉拉制12寸重掺砷晶棒，且单晶炉内设置有32英寸的石英坩埚；该方法包括以下步骤：投料、熔化、引晶、放肩、等径及收尾；其中，在投料过程中，投入石...
    2026-05-12
  • 一种发光波长可调谐的快衰减氧化镓晶体及其制备方法与应用
    一种发光波长可调谐的快衰减氧化镓晶体及其制备方法与应用_同济大学_202511510320.6
    本发明涉及一种发光波长可调谐的快衰减氧化镓晶体及其制备方法与应用，该晶体为In、Si共掺氧化镓晶体，其化学组成表示为β‑Ga22O33 : xIn, ySi，其中，x=10 at%~30 at%，y=0.05at%~0.5 at%。与现有技...
    2026-05-12
  • 一种XAlO3(X= Gd、Tb)单晶光纤及其制备方法与应用
    一种XAlO3(X= Gd、Tb)单晶光纤及其制备方法与应用_山东大学_202511641812.9
    本发明涉及新材料和温度传感技术领域，具体涉及一种XAlO33(X=Gd、Tb)单晶光纤及其制备方法与应用。本发明通过组分调制工艺制备原料棒，使其在轴向形成GdAlO33‑TbAlO33的组分突变，并通过稳定的晶体生长过程得到直径均匀，取向一...
    2026-05-12
  • SiC单晶、SiC基板和SiC外延晶片
    SiC单晶、SiC基板和SiC外延晶片_株式会社力森诺科_202510987479.0
    本发明为SiC单晶、SiC基板和SiC外延晶片。本发明的目的是提供能够减少基面位错密度的SiC单晶。本实施方式涉及的SiC单晶，分别沿着第1直线、第2直线、第3直线、第4直线、第5直线以及第6直线测定出的晶格面均弯曲成凸形状，在分别沿着第1...
    2026-05-12
  • 用于抑制辐照诱生缺陷的碳化硅外延片、制备方法及应用
    用于抑制辐照诱生缺陷的碳化硅外延片、制备方法及应用_中国工程物理研究院电子工程研究所_202511315696.1
    本申请公开了用于抑制辐照诱生缺陷的碳化硅外延片、制备方法及应用，属于半导体材料技术领域，碳化硅外延片包括：以n型或p型碳化硅片为衬底，衬底上外延生长有IV族原子掺杂的外延层。制备方法包括：将n型或p型碳化硅片进行清洗；将清洗后的碳化硅片置于...
    2026-05-12
  • 一种确定碳化硅外延炉气浮托盘稳定旋转的方法
    一种确定碳化硅外延炉气浮托盘稳定旋转的方法_中国电子科技集团公司第五十五研究所_202511424804.9
    本发明公开了一种确定碳化硅外延炉气浮托盘稳定旋转的方法，属于碳化硅外延技术领域，包括：根据外延材料测试结果，选取掺杂浓度和厚度均匀的外延片对应的气浮组合作为标准组合；其进气端外接惰性气体并逐步升压，记录气浮托盘稳定旋转至预设转速时的转速和对...
    2026-05-12
  • 晶体生长设备及晶体生长方法
    晶体生长设备及晶体生长方法_重庆奕欣科技有限公司_202511558498.8
    本公开涉及晶体生长设备及晶体生长方法。在一方面中，提供了一种晶体生长设备，包括：坩埚，用于在其中容置碳化硅原料和籽晶；等离子发生装置，设置于坩埚内，并位于碳化硅原料与籽晶之间，等离子发生装置用于将碳化硅原料受热分解产生的气相组分电离为等离子...
    2026-05-12
  • 坩埚装置、晶体生长系统、碳化硅晶体的制备方法
    坩埚装置、晶体生长系统、碳化硅晶体的制备方法_江苏集芯先进材料有限公司_202511701808.7
    本申请涉及晶体生长技术领域，公开了坩埚装置、晶体生长系统、碳化硅晶体的制备方法。该坩埚装置包括坩埚，所述坩埚内部限定出容纳空间；外环，通过螺纹连接在所述坩埚上方；坩埚盖，盖设在所述外环上，并通过螺纹与所述外环连接；石墨纸，设置在所述外环和所...
    2026-05-12
  • 一种碳化硅晶体生长炉和晶体生长方法
    一种碳化硅晶体生长炉和晶体生长方法_宁夏创盛新材料科技有限公司_202511746877.X
    本申请涉及晶体生长技术领域，尤其是涉及一种碳化硅晶体生长炉和晶体生长方法包括：炉体、加热器以及坩埚，坩埚包括：坩埚本体、盖体、扩径单元以及控流单元，扩径单元连接于坩埚本体的内壁，扩径单元自盖体向下延伸且呈环形设置；扩径单元靠近坩埚本体中心的...
    2026-05-12
  • 一种半导体氮化物薄膜材料及其制备方法
    一种半导体氮化物薄膜材料及其制备方法_山东大学_202511546182.7
    本发明涉及一种半导体氮化物薄膜材料及其制备方法，属于半导体薄膜材料技术领域。该半导体氮化物薄膜材料的组分包括化学式为Al1‑x1‑xSixxN1‑y1‑yOyy的化合物，其中，、；化合物为六方晶系，晶体空间群为P633mc。该半导体氮化物薄...
    2026-05-12
  • 一种氮化物外延片及其制备方法、LED器件
    一种氮化物外延片及其制备方法、LED器件_江苏第三代半导体研究院有限公司_202511558389.6
    本发明公开一种氮化物外延片及其制备方法及LED器件，该制备方法包括如下步骤：在衬底基板上形成外延结构，得到氮化物外延片；其中，外延结构包括多个第一氮化物结构以及覆盖所有第一氮化物结构的氮化物外延层，每个第一氮化物结构设置于衬底基板上，衬底基...
    2026-05-12
  • 一种高导热衬底上GaN单晶薄膜的制备方法
    一种高导热衬底上GaN单晶薄膜的制备方法_北京大学_202511708500.5
    本发明公开了一种高导热衬底上GaN单晶薄膜的制备方法，属于半导体薄膜材料领域。本发明通过引入二维氮化硼作为功能层，结合低温成核与高温外延工艺，实现了具有金属晶格极性的单晶AlN过渡层与散热衬底的高质量结合，有效降低了传统键合技术带来的界面热...
    2026-05-12
  • 一种分子束外延生长中Ⅲ族元素速率定标方法
    一种分子束外延生长中Ⅲ族元素速率定标方法_中国电子科技集团公司第五十五研究所_202511440838.7
    本申请公开了一种分子束外延生长中Ⅲ族元素速率定标方法，涉及分子束外延生长技术领域，该方法包括：步骤1、InP衬底、GaAs衬底或InAs衬底的表面氧化膜脱附；步骤2、在脱膜完毕的衬底上生长与衬底微失配的InAsP、GaAsP或AlAsP外延...
    2026-05-12
  • 一种二维扭曲堆垛多层WS2纳米结构及其制备方法
    一种二维扭曲堆垛多层WS2纳米结构及其制备方法_太原理工大学_202511307682.5
    本发明公开了一种扭曲二维堆垛WS2纳米结构及其制备方法，属于光电材料技术领域。所述纳米结构包括多个由下至上依次堆叠的三角形单层结构，各个三角形单层结构的中心重合且边长依次减小，任意相邻两层角度相对旋转产生扭曲，单层之间的扭曲角度为5~30°...
    2026-05-12
  • 一种利用分子束外延法制备二碲化钯单晶薄膜的方法
    一种利用分子束外延法制备二碲化钯单晶薄膜的方法_东南大学_202511929625.0
    本发明公开一种利用分子束外延法制备二碲化钯单晶薄膜的方法，属于纳米材料制备技术领域；包括：碳化硅衬底超声清洗后放入生长腔中，并进行退火处理，除去吸附在衬底表面的杂质；通过加减电流的方式，对退火后的碳化硅衬底进行多次flash处理，得到双层石...
    2026-05-12
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