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最新专利技术
  • 一种高深宽比金属填充通孔基板的制备方法
    一种高深宽比金属填充通孔基板的制备方法_广东工业大学_202511188227.8
    一种高深宽比金属填充通孔基板的制备方法，包括以下步骤：S100、在单层介质板上预埋金属线路，先在介质板的表面形成下凹的线槽，在线槽内填充金属至线槽满位；S200、将两个预埋金属线路的介质板通过混合键合方式进行键合；将两块单层介质板中相对的金...
    2026-01-21
  • 一种扇出封装结构及其制备方法
    一种扇出封装结构及其制备方法_华进半导体封装先导技术研发中心有限公司_202511316058.1
    本发明涉及半导体封装技术领域，公开了一种扇出封装结构及其制备方法。制备方法包括：提供临时载板；在临时载板上设置正面朝向临时载板的目标芯片；在目标芯片的四周布设多个厚度大于目标芯片厚度的辅助芯片；形成包覆目标芯片和辅助芯片的塑封层；去除临时载...
    2026-01-21
  • 一种封装结构及其制备方法
    一种封装结构及其制备方法_华进半导体封装先导技术研发中心有限公司_202511316973.0
    本发明涉及半导体封装技术领域，公开了一种封装结构及其制备方法。制备方法包括：提供临时载板；在临时载板的一侧表面形成包括多个重布线单元的重布线层，相邻重布线单元之间具有切割槽；在重布线层上设置多个芯片单元，芯片单元与重布线单元对应且电连接；在...
    2026-01-21
  • 玻璃芯板的制备方法、玻璃芯板及芯片封装结构
    玻璃芯板的制备方法、玻璃芯板及芯片封装结构_成都奕成集成电路有限公司_202511582012.4
    本申请提供一种玻璃芯板的制备方法、玻璃芯板及芯片封装结构。首先，提供第一玻璃基板，接着，制作贯穿第一玻璃基板的第一导电通孔和第二导电通孔。再接着，提供种子层，将种子层设置在第一玻璃基板的一侧，其中，种子层与第二导电通孔处的第一玻璃基板形成空...
    2026-01-21
  • 一种大尺寸封装基板及其制备方法
    一种大尺寸封装基板及其制备方法_芯爱科技(南京)有限公司_202511860578.9
    本发明提供的一种大尺寸封装基板及其制备方法，技术方案如下：包括以下步骤：第一芯独立制造：在第一芯基材上依次进行第一层积层介电材料构建与SAP图案化、第二层积层介电材料构建与SAP图案化；施加编码器掩模；第二芯独立制造：在第二芯基材上进行第二...
    2026-01-21
  • 高深宽比玻璃通孔的制备方法及玻璃通孔
    高深宽比玻璃通孔的制备方法及玻璃通孔_上海邦芯半导体科技有限公司_202511872279.7
    本申请公开了一种高深宽比玻璃通孔的制备方法及玻璃通孔，包括：在衬底的表面上形成光刻胶掩膜；执行第一刻蚀步骤，使用滤除了带电粒子的第一气体的等离子体，对衬底进行各向同性的第一刻蚀，并在形成中的通孔内壁和光刻胶掩膜上形成第一聚合物层进行保护；执...
    2026-01-21
  • 玻璃通孔结构的实现方法和玻璃通孔
    玻璃通孔结构的实现方法和玻璃通孔_上海邦芯半导体科技有限公司_202511872280.X
    本申请公开了一种玻璃通孔结构的实现方法和玻璃通孔，包括在玻璃材料的衬底表面上形成多个光刻胶材料的掩膜，并对掩膜表面进行第一处理；执行刻蚀工艺，对衬底进行刻蚀形成通孔，刻蚀工艺包括按第一刻蚀步骤、第二刻蚀步骤形成的周期性循环刻蚀步骤，第一刻蚀...
    2026-01-21
  • 玻璃通孔及其制备方法
    玻璃通孔及其制备方法_上海邦芯半导体科技有限公司_202511872283.3
    本申请公开了一种玻璃通孔及其制备方法，包括：在玻璃衬底的表面上形成光刻胶掩膜；执行第一刻蚀步骤，使用滤除了带电粒子的第一气体和第二气体的等离子体，对玻璃衬底的露出表面进行各向同性的第一刻蚀，形成通孔中间结构，并在其内壁和光刻胶掩膜上形成第一...
    2026-01-21
  • 一种基底刻蚀方法及刻蚀结构
    一种基底刻蚀方法及刻蚀结构_上海邦芯半导体科技有限公司_202511872285.2
    本申请公开了一种基底刻蚀方法及刻蚀结构，包括：在基底的表面上形成有机物掩膜；执行刻蚀工艺，对露出的基底表面进行刻蚀，形成高深宽比刻蚀结构；刻蚀工艺包括按第一刻蚀步骤、第二刻蚀步骤形成的周期性循环刻蚀步骤；第一刻蚀步骤使用第一气体(包括含氟气...
    2026-01-21
  • 功率模组及功率设备
    功率模组及功率设备_华为数字能源技术有限公司_202410882178.7
    本申请实施方式提供一种功率模组及功率设备。功率模组包括基板、第一预封装体、第一金属引出层及塑封体。基板、第一预封装体、第一金属引出层沿第一方向依次层叠设置，塑封体封装基板、第一预封装体及第一金属引出层。第一预封装体包括第一芯片、第一走线层及...
    2026-01-21
  • 半导体结构及其制备方法和电子设备
    半导体结构及其制备方法和电子设备_武汉楚兴技术有限公司_202410888005.6
    本公开提供了一种半导体结构及其制备方法和电子设备，涉及半导体技术领域，旨在提高半导体结构的电学性能和结构的稳定性。半导体结构包括：衬底，以及贯穿衬底表面的第一沟槽；金属层，设于第一沟槽下方；导电结构，贯穿第一沟槽的底部且与金属层连接；导电结...
    2026-01-21
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_三菱电机株式会社_202510823590.6
    本发明提供一种半导体装置，其能够稳定地确保与半导体模块的输出端子电连接的金属端子与半导体模块的控制端子之间的绝缘距离。至少一个半导体模块(1a)配置在底板(5)的上表面上，具有控制端子(3)和水平延伸的第一输出端子(2a)。基座(7)配置在...
    2026-01-21
  • 具有电介质间隔体的半导体装置及其制造方法
    具有电介质间隔体的半导体装置及其制造方法_英飞凌科技奥地利有限公司_202510913946.5
    本文涉及一种具有电介质间隔体的半导体装置及其制造方法。一种半导体装置，包括：封装体，其具有在第一平面中的顶侧和在与第一平面平行的第二平面中的底侧；从封装体突出的至少一条引线，引线包括位于与第一平面平行的平面中的第一部分和朝向第二平面远离第一...
    2026-01-21
  • 双向TVS半导体器件
    双向TVS半导体器件_苏州锝耀电子有限公司_202511080612.0
    本发明公开一种双向TVS半导体器件，包括：位于环氧封装体内的第一引线条、第二引线条和2个在竖直方向上叠置的瞬态二极管芯片，第二引线条一端与位于底部的瞬态二极管芯片正极电连接，另一端从环氧封装体的底面延伸出并与一第二引脚连接，第一引脚、第二引...
    2026-01-21
  • 功率单元、功率模块
    功率单元、功率模块_江苏金脉电控科技有限公司_202511518832.7
    本发明提供了一种功率单元、功率模块。功率单元包括基板和设置于所述基板一侧的第一端子、第二端子、控制端子和至少一个功率芯片；所述基板包括线路层，所述第一端子、所述第二端子及所述控制端子均与所述线路层电连接；所述功率芯片包括第一电极、第二电极和...
    2026-01-21
  • 一种面向高压驱动芯片引脚隔离需求的QFN引线框架
    一种面向高压驱动芯片引脚隔离需求的QFN引线框架_北京卓芯半导体科技有限公司_202511541843.7
    本发明公开了一种面向高压驱动芯片引脚隔离需求的QFN引线框架。本发明框架由多个引线框架单元按照指定阵列排布组成；单个引线框架单元，包括多个引脚、支撑边框、用于在封装时通过导电胶固定芯片的基岛以及包含引脚半蚀刻区域和基岛半蚀刻区域在内的多个半...
    2026-01-21
  • 一种紧凑型低寄生电感的半桥封装结构
    一种紧凑型低寄生电感的半桥封装结构_天津工业大学_202511842087.1
    本发明提供了一种紧凑型低寄生电感的半桥封装结构，主基板两端设有正极连接端子和交流连接端子，两端子之间设有第一芯片和第二芯片，且所述第一芯片的正极功率电极与正极连接端子电连接，第二芯片的正极功率电极和交流连接端子电连接，第二芯片的负极功率电极...
    2026-01-21
  • 电子装置
    电子装置_群创光电股份有限公司_202411876786.3
    本发明公开一种电子装置，包括一电路结构、一第一电子单元以及一封装层。第一电子单元设置在电路结构上。封装层围绕第一电子单元。电路结构包括至少一第一绝缘层以及至少一第二绝缘层，至少一第一绝缘层设置在第一电子单元与至少一第二绝缘层之间，且至少一第...
    2026-01-21
  • 半导体封装及其制造方法
    半导体封装及其制造方法_三星电子株式会社_202510333598.4
    一种半导体封装包括：封装衬底；中间衬底，在封装衬底上；光引擎单元，在中间衬底上；逻辑器件，与光引擎单元相邻，并且在中间衬底上；以及存储器件，与逻辑器件相邻，并且在中间衬底上，其中，光引擎单元包括第一再分布衬底、第一再分布衬底上的光子集成电路...
    2026-01-21
  • 一种具有不同深度TSV孔的硅基转接板及其制备方法
    一种具有不同深度TSV孔的硅基转接板及其制备方法_珠海天成先进半导体科技有限公司_202511353139.9
    本发明提供一种具有不同深度TSV孔的硅基转接板及其制备方法，先进行第一次光刻工艺形成图形化第一掩膜层，在第一掩膜层的辅助下刻蚀形成第一TSV孔，并电镀形成第一TSV铜柱；然后进行第二次光刻工艺形成图形化第二掩膜层，在第二掩膜层的辅助下刻蚀形...
    2026-01-21
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