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最新专利技术
  • 电铸网版侧壁粗糙度光滑处理技术
    电铸网版侧壁粗糙度光滑处理技术_江苏美微光电科技有限公司_202511623796.0
    本发明属于电铸网板的技术领域，具体是电铸网版侧壁粗糙度光滑处理技术，对光刻母模孔壁进行红外线局部加热处理，温度控制在110‑150℃，加热时间1‑10秒；采用氧等离子体清洗，功率200W，气压10Pa，时间为60秒；通过动态喷射电解液进行电...
    2026-03-23
  • 不锈钢电解抛光钝化工艺及半导体流控部件
    不锈钢电解抛光钝化工艺及半导体流控部件_星奇(上海)半导体有限公司_202511408584.0
    本发明提供一种不锈钢电解抛光钝化工艺及半导体流控部件，涉及金属表面处理技术领域，包括：机械抛光步骤：运用砂纸与抛光膏组合，对不锈钢流道面进行精密抛光处理；前处理步骤：依次开展除腊、水洗、除油、水洗工序；电浆抛光步骤：对工件实施电浆抛光，去除...
    2026-03-23
  • 一种用于管道内表面的磁场辅助干式电化学抛光装置及方法
    一种用于管道内表面的磁场辅助干式电化学抛光装置及方法_北京理工大学_202511505827.2
    本发明公开了一种用于管道内表面的磁场辅助干式电化学抛光装置及方法，包括：底座，其上设有双滑块位移台，双滑块位移台上设有下滑块和上滑块；上滑块上设有电机夹具，其上设有电机，电机连接电极夹具，电极夹具夹持电极；下滑块上设有工件夹具，其上设有工件...
    2026-03-23
  • 一种钙钛矿准单晶薄膜及其制备方法
    一种钙钛矿准单晶薄膜及其制备方法_郑州大学_202511255181.7
    本发明提供了一种钙钛矿准单晶薄膜及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：(1)在亲水衬底上制备钙钛矿多晶薄膜；(2)将疏水衬底压在钙钛矿多晶薄膜上，得到三明治结构；(3)将三明治结构进行热压退火处理；(4)热压退火处理后，去掉亲水衬底和疏水衬...
    2026-03-23
  • 一种FAPbBr3有机-无机杂化钙钛矿单晶及其制备方法和应用
    一种FAPbBr3有机-无机杂化钙钛矿单晶及其制备方法和应用_西北工业大学_202511450541.9
    本发明公开了一种FAPbBr33有机‑无机杂化钙钛矿单晶及其制备方法和应用，涉及有机‑无机杂化钙钛矿半导体材料技术领域。所述方法包括将FABr、PbBr22溶解于N, N‑二甲基甲酰胺和γ‑戊内酯的混合溶剂中，得到FAPbBr33单晶的前驱...
    2026-03-23
  • 一种单晶硅棒拉制装置
    一种单晶硅棒拉制装置_连城凯克斯科技有限公司_202511338156.5
    本发明属于单晶硅棒生产技术领域，具体的说是一种单晶硅棒拉制装置包括水冷箱，所述水冷箱内侧连通有水管，所述水冷箱内侧开设有凹槽，所述凹槽内侧转动连接有散热片，所述散热片一端固定连接有伸缩杆，所述伸缩杆一端转动连接有连接块；即：在硅棒需要进行散...
    2026-03-23
  • 改善12英寸单晶硅COP缺陷的方法
    改善12英寸单晶硅COP缺陷的方法_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511401942.5
    本发明提供改善12英寸单晶硅COP缺陷的方法，涉及大尺寸直拉单晶技术领域，在实际等径拉晶过程中，固定水平磁场位置，通过预定水平磁场强度及拉晶参数，拉制单晶硅棒，实现对熔体流动和温度梯度的精确控制，以形成稳定的双涡流熔体流动模式，抑制晶棒的不...
    2026-03-23
  • 改善重掺硅单晶尾部滑移线的方法
    改善重掺硅单晶尾部滑移线的方法_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511426703.5
    本发明提供一种改善重掺硅单晶尾部滑移线的方法，属于半导体制造技术领域。包括：S1、化料完成后，采用气相掺杂的方式进行掺杂，以增加掺杂剂的掺杂浓度；S2、当硅单晶生长至总长的80%时，逐步降低炉压，以增加掺杂剂的挥发，减少尾部杂质富集；同时，...
    2026-03-23
  • 降低重掺磷硅单晶头部电阻率的制备方法
    降低重掺磷硅单晶头部电阻率的制备方法_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511426294.9
    一种降低重掺磷硅单晶头部电阻率的制备方法，包括以下步骤：将原生多晶硅原料进行化料，化料完成后，获得熔化的硅熔体；对熔化的硅熔体进行高温排气处理工序，排出硅熔体中的杂质气体；对完成高温排气处理工序的硅熔体进行一次安定工序；对完成一次安定工序的...
    2026-03-23
  • 重掺磷超低电阻率硅单晶的制备方法
    重掺磷超低电阻率硅单晶的制备方法_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511426538.3
    一种重掺磷超低电阻率硅单晶的制备方法，包括：在等径工序中，基于炉压划分等径过程为等径Ⅰ区间和等径Ⅱ区间，采用的炉压按照以下条件设定：1)等径Ⅰ区间：炉压设置为12‑16kPa，保持恒定；2)等径Ⅱ区间：炉压由等径Ⅰ区间结束时的值快速升至25...
    2026-03-23
  • 单晶硅生长装置及其制造方法
    单晶硅生长装置及其制造方法_上海超硅半导体股份有限公司_202511605779.4
    本发明涉及一种单晶硅生长装置及其制造方法。所述单晶硅生长装置包括：石墨坩埚，具有石墨容纳腔；石英坩埚，位于所述石墨容纳腔内，所述石英坩埚具有用于容纳硅熔体的石英容纳腔；石墨纸，位于所述石墨容纳腔内，且所述石墨纸分布于所述石墨容纳腔的内壁与所...
    2026-03-23
  • 控制拉晶过程中液口距的方法、系统及电子设备
    控制拉晶过程中液口距的方法、系统及电子设备_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511426843.2
    本发明提供的控制拉晶过程中液口距的方法、系统及电子设备，属于单晶制备技术领域，其中控制拉晶过程中液口距的方法为按预设周期采集导流筒下沿至熔硅液面的距离，得到实际液口距，从而根据实际液口距与液口距初始值的差值计算出坩埚上升速度补偿值，并将坩埚...
    2026-03-23
  • 一种大尺寸氟化钡单晶提拉生长装置及方法
    一种大尺寸氟化钡单晶提拉生长装置及方法_河南微米光学科技有限公司_202511561553.9
    本发明涉及人工晶体生长技术领域，公开了一种大尺寸氟化钡单晶提拉生长装置及方法，该装置包括提拉炉主体、新型炉体钟罩、动态气‑压控制系统、保温系统及提拉机构；新型炉体钟罩集成氩气自动控流装置、全程工作的真空泵接口及防挥发物观察窗口，动态气‑压控...
    2026-03-23
  • 一种石英销及其制造方法
    一种石英销及其制造方法_上海新昇半导体科技有限公司_202511853428.5
    本申请属于半导体制造技术领域，提供一种石英销及其制造方法，石英销包括连接组件和捕捉组件，捕捉组件包括第一捕捉部和第二捕捉部，第一捕捉部具有相对设置的顶面和底面，连接组件连接至第一捕捉部的顶面，第二捕捉部连接至第一捕捉部的底面；第二捕捉部包括...
    2026-03-23
  • 一种基于直拉法单晶硅生产的放肩控制方法
    一种基于直拉法单晶硅生产的放肩控制方法_四川永祥光伏科技有限公司_202511489401.2
    本发明涉及单晶硅生产技术领域。本发明为解决现有技术中存在检测滞后性，无法实现放肩开口的提前预判的问题，提供一种基于直拉法单晶硅生产的放肩控制方法。该方法基于静态工艺数据和动态工艺数据训练预测模型，然后利用训练好的预测模型对放肩的开口时刻和开...
    2026-03-23
  • 用于液相外延生长的石墨舟结构及液相外延生长工艺方法
    用于液相外延生长的石墨舟结构及液相外延生长工艺方法_中国电子科技集团公司第十一研究所_202511584919.4
    本申请提供一种用于液相外延生长的石墨舟结构及液相外延生长工艺方法，涉及半导体薄膜制备技术领域。所述石墨舟结构包括：石墨底托，设置有用于安装母液槽的安装位；石墨母液槽，用于容纳进行外延生长的母液，母液槽可拆卸连接在安装槽内；石墨母液槽和石墨底...
    2026-03-23
  • 一种液相外延生长石榴石的温场
    一种液相外延生长石榴石的温场_炬芯通光电科技(苏州)有限公司_202511348454.2
    本发明公开了一种液相外延生长石榴石的温场，分布在反应容器内，温场分为上部、中部和下部，上部、中部和下部是连续的空间，其特征在于，所述下部温度自下向上逐渐减小，所述上部的温度自下向上逐渐增大；中部为单晶组分析出并沉积生长形成单晶薄膜的区域。与...
    2026-03-23
  • 一种采用液相外延生长法制备石榴石厚膜单晶的方法
    一种采用液相外延生长法制备石榴石厚膜单晶的方法_炬芯通光电科技(苏州)有限公司_202511348447.2
    本发明公开了一种采用液相外延生长法制备石榴石厚膜单晶的方法，首先安装单点载荷传感器，记录衬底材料与熔液接触时的输出信号；然后，根据单点载荷传感器的输出信号的变化，将衬底材料提升。通过在晶体生长装置上加装单点载荷传感器，不仅能够实时检测衬底材...
    2026-03-23
  • 一种大尺寸碳化硅晶体生长的多层结构粘接籽晶装置
    一种大尺寸碳化硅晶体生长的多层结构粘接籽晶装置_哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司_202511443101.0
    本发明涉及碳化硅晶体生长技术领域，尤其涉及一种大尺寸碳化硅晶体生长的多层结构粘接籽晶装置，包括坩埚本体，所述坩埚本体内设置有能同时对坩埚本体内外进行加热的加热组件，所述坩埚本体内部中心设置有能吸附籽晶的真空吸附组件，所述坩埚本体的顶部设置有...
    2026-03-23
  • 晶体生长装置
    晶体生长装置_江苏集芯先进材料有限公司_202511451429.7
    本发明公开了一种晶体生长装置，包括：坩埚、导流筒、籽晶固定装置和温度梯度调节组件，导流筒设于坩埚内，坩埚内形成有位于导流筒下方的原料腔，导流筒内形成有生长通道，籽晶固定装置设于坩埚内且位于导流筒的顶部，温度梯度调节组件用于调整晶体生长的温度...
    2026-03-23
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