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最新专利技术
  • 浮栅型闪存结构、形成方法及电子设备
    浮栅型闪存结构、形成方法及电子设备_浙江创芯集成电路有限公司_202511862201.7
    本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种浮栅型闪存结构、形成方法及电子设备，该浮栅型闪存结构包括衬底；离子注入层，离子注入层形成在衬底上，离子注入层中形成有源极和漏极；选择栅极，选择栅极形成在离子注入层上；沟槽，沟槽贯穿选择栅极后停止在离子注...
    2026-01-20
  • 一种倒装结构的控制栅闪存及其制备方法
    一种倒装结构的控制栅闪存及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511851706.3
    本发明提供一种倒装结构的控制栅闪存及其制备方法，所述制备方法包括：在基底的有源区形成闪存沟槽；在闪存沟槽中依次形成控制栅层、栅间介电层和浮栅层，构成埋入式的闪存存储单元；在基底表面继续进行其它逻辑电路工艺。本发明的倒装结构的闪存存储单元位于...
    2026-01-20
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510916046.6
    公开了半导体装置。所述半导体装置包括：栅电极结构、存储器沟道结构和第一接触塞。栅电极结构设置在基底上，并且包括在第一方向上堆叠并且彼此间隔开的栅电极，第一方向与基底的上表面基本垂直。栅电极中的每个在第二方向上延伸，第二方向与基底的上表面基本...
    2026-01-20
  • 三维存储器及其制造方法
    三维存储器及其制造方法_长江存储科技有限责任公司_202511460884.3
    本申请提供了一种三维存储器及其制造方法，该三维存储器包括堆叠结构，堆叠结构包括第一堆叠层和第二堆叠层，其中，第一堆叠层包括交替堆叠的控制栅极层和第一介质层，第二堆叠层包括交替堆叠的顶部选择栅极层和第二介质层；多个沟道结构，沟道结构贯穿堆叠结...
    2026-01-20
  • 存储器装置和存储器装置的制造方法
    存储器装置和存储器装置的制造方法_爱思开海力士有限公司_202510423809.3
    本申请涉及存储器装置和存储器装置的制造方法。一种存储器装置括在第一方向上交替层叠的导电层和层间绝缘层、以及从所述导电层当中的第一导电层起在所述第一方向上延伸的接触插塞。所述存储器装置还包括围绕所述接触插塞的侧表面的间隔件，其中，所述间隔件包...
    2026-01-20
  • 三维存储器件及其形成方法
    三维存储器件及其形成方法_长江存储科技有限责任公司_202511422664.1
    在某些方面，三维(3D)存储器件包括第一半导体结构和与第一半导体结构键合的第二半导体。第一半导体结构包括NAND存储串阵列、与NAND存储串阵列的源极端接触的半导体层、与半导体层接触的绝缘层、以及在绝缘层中的接触部结构。绝缘层使接触部结构与...
    2026-01-20
  • 管理半导体装置中的焊盘引出结构
    管理半导体装置中的焊盘引出结构_长江存储科技有限责任公司_202410888630.0
    提供了用于管理半导体装置中的焊盘引出结构的系统、装置和方法。在一个方面中，半导体装置包括沿着第一方向彼此交替的导电层和隔离层的第一堆叠体；以及沿着第一方向延伸并且耦合到第一堆叠体的导电层的接触结构。导电层沿着垂直于第一方向的第二方向延伸。接...
    2026-01-20
  • 竖直非易失性存储器件
    竖直非易失性存储器件_三星电子株式会社_202510521510.1
    竖直非易失性存储器件可以包括：栅极堆叠，包括交替堆叠的栅电极和层间绝缘层；栅极间隔物；以及栅极接触插塞，在栅极堆叠中彼此间隔开。栅极接触插塞可以包括竖直地接触栅电极中的第一栅电极的第一栅极接触插塞和竖直地接触栅电极中的第二栅电极的第二栅极接...
    2026-01-20
  • 铁电存储器及其形成方法
    铁电存储器及其形成方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511394145.9
    本发明提供铁电存储器及其形成方法，铁电存储器中的电容结构为沟槽型且呈矩阵排布，电容结构至少贯穿金属间介质层和层间介质层延伸至浅沟槽隔离结构中。本发明采用后段集成沟槽型电容结构，沟槽型电容结构的底端至少深入到浅沟槽隔离结构内，沟槽型电容结构增...
    2026-01-20
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_爱思开海力士有限公司_202510053857.8
    公开了半导体装置和制造方法。在实施方式中，半导体装置包括：磁性隧道结(MTJ)结构，其包括：具有固定磁化方向的钉扎层；与钉扎层相邻形成的隧道势垒层；以及与隧道势垒层相邻形成并具有可变磁化方向的自由层。自由层包括：与隧道势垒层相邻形成的第一磁...
    2026-01-20
  • 一种基于石墨烯/硫化钼垂直晶体管的1T1R单元及其制备方法
    一种基于石墨烯/硫化钼垂直晶体管的1T1R单元及其制备方法_南京大学_202511653203.5
    本发明公开了一种基于石墨烯/硫化钼垂直晶体管的一晶体管‑一忆阻器(1T1R)单元，所述1T1R单元为全垂直堆叠结构，从下到上依次包括：基底、石墨烯/硫化钼垂直场效应晶体管、榫卯结构忆阻器。本发明的1T1R单元具有超高密度集成性及高均一性，其...
    2026-01-20
  • 高阻电阻器结构及其制备方法
    高阻电阻器结构及其制备方法_上海新微半导体有限公司_202511380304.X
    本发明提供一种高阻电阻器结构及其制备方法，包括：提供基底，并在所述基底上沉积绝缘层；刻蚀所述绝缘层以形成间隔分布的第一开口及第二开口，所述第一开口和所述第二开口暴露出所述基底的表面；在所述第一开口及所述第二开口内填充金属材料，以分别形成第一...
    2026-01-20
  • 电容器件及电容器件的制造方法
    电容器件及电容器件的制造方法_苏州华太电子技术股份有限公司_202511348954.6
    本申请实施例提供一种电容器件及电容器件的制造方法，其中，电容器件包括：基底，一侧表面向内凹陷形成沟槽；含硅介质层，形成于沟槽底面和沟槽侧壁、以及与沟槽顶部衔接的基底表面；第一类电极层，形成于沟槽内含硅介质层的表面以及基底上方含硅介质层的表面...
    2026-01-20
  • 一种MIM电容制造方法及MIM电容
    一种MIM电容制造方法及MIM电容_芯合电子(上海)有限公司_202511366859.9
    本申请实施例提供了一种MIM电容的制造方法及MIM电容，采用ONO MIM电容结构，并将ONO MIM电容进行并联可以获得两倍容值，本申请既可以实现高集成密度，又可以保留ONO MIM高可靠性，低漏电，高击穿电压的优势。
    2026-01-20
  • 电容器及其形成方法
    电容器及其形成方法_南亚科技股份有限公司_202511494251.4
    一种电容器，包括底部电极、位于底部电极上的电容介电以及顶部电极。电容介电包括界面层和位于界面层上的介电层，界面层包含氧化铪且包含第一元素，介电层包含氧化铪且包含不同于第一元素的第二元素。顶部电极位于介电层上。本发明的电容器实现更佳的电容性能...
    2026-01-20
  • 电容结构及其形成方法
    电容结构及其形成方法_浙江创芯集成电路有限公司_202511823185.0
    本发明提供一种电容结构及其形成方法，所述方法包括：形成底层介质层；在所述底层介质层内形成底层金属极板；在所述底层金属极板上形成介质叠层；在所述介质叠层上形成顶层介质层；在所述顶层介质层内形成顶层金属极板，所述顶层金属极板具有窄部和宽部，呈上...
    2026-01-20
  • 超高压快恢复二极管的制备方法及其制得的二极管
    超高压快恢复二极管的制备方法及其制得的二极管_蓝芯芯电子科技(深圳)有限公司_202511545343.0
    本发明提供一种超高压快恢复二极管的制备方法及其制得的二极管，涉及半导体器件制造领域。该方法包括：制备第一外延，在第一N型Si衬底表面生长100‑150um的第一N型Si外延层；制备第二外延，在第二N型Si衬底表面依次生长1‑10um的P型S...
    2026-01-20
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511331208.6
    本申请涉及半导体技术领域，提供了一种半导体器件及其制备方法，其中，半导体器件包括：衬底；外延层；位于外延层的内部且与外延层掺杂类型相反的第一注入区，第一注入区包括相连的第一部分和第二部分，第二部分沿外延层的厚度方向由第一部分延伸至外延层远离...
    2026-01-20
  • 肖特基二极管器件及其制备方法
    肖特基二极管器件及其制备方法_珠海零边界集成电路有限公司_202511533427.2
    本申请公开了一种肖特基二极管器件及其制备方法，属于功率半导体技术领域。肖特基二极管器件包括：N型衬底层，N型缓冲层，第一N型外延层，第一P型区，第二N型外延层，第二P型区，阳极欧姆金属接触层，阳极肖特基金属接触层，阳极金属层，阴极金属层。其...
    2026-01-20
  • 锗硅异质结双极晶体管及其制备方法
    锗硅异质结双极晶体管及其制备方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511372504.0
    本申请公开了一种锗硅异质结双极晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域。所述锗硅异质结双极晶体管及其制备方法，第二开口(发射区开口)与形成在第一开口内的、作为本征集电区的外延集电区，在竖直方向上是保持对齐的，因此，可以在实现来自单晶发射区注入...
    2026-01-20
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