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最新专利技术
  • 一种智能高速固态硬盘自动散热及防震装置
    一种智能高速固态硬盘自动散热及防震装置_山东电子职业技术学院_202511531903.7
    本发明涉及固态硬盘技术领域，公开了一种智能高速固态硬盘自动散热及防震装置，包括内设腔体的安装壳，安装壳的外侧壁开设有槽口，安装壳的上端面安装有盖板，安装壳的外侧壁开设有滑槽，滑槽内滑动安装有滑板，腔体内设有驱动组件；盖板的上端面开设有散热口...
    2026-02-11
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社半导体能源研究所_202511362740.4
    本发明提供一种新颖的半导体装置。该半导体装置包括驱动电路及第一晶体管层至第三晶体管层。第一晶体管层包括具有第一晶体管及第一电容器的第一存储单元。第二晶体管层包括具有第二晶体管及第二电容器的第二存储单元。第三晶体管层包括切换电路及放大电路。第...
    2026-02-11
  • 记忆体电路及其制造方法
    记忆体电路及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510575400.3
    一种记忆体电路及其制造方法，记忆体电路包括记忆体单元阵列、乘法累加(MAC)电路、第一及第二驱动器电路。记忆体单元阵列用以储存权重信号的第一集合或第二集合。权重信号的第二集合相对于权重信号的第一集合进行转置。MAC电路用以回应于输入数据的集...
    2026-02-11
  • 内容可寻址存储器匹配线结构及其高可靠搜索方案
    内容可寻址存储器匹配线结构及其高可靠搜索方案_南京航空航天大学_202511371036.5
    本发明提供了一种内容可寻址存储器匹配线结构及其高可靠搜索方案，涉及集成电路设计领域。该匹配线结构包括完全相同的n位CAM电路单元、匹配线、采样晶体管以及用于连接CAM电路单元与匹配线的反相器和放电晶体管。n位CAM电路单元内部均由磁隧道结/...
    2026-02-11
  • 外围电路、存储器装置及存储器系统
    外围电路、存储器装置及存储器系统_长江存储控股股份有限公司_202410831189.2
    本公开实施例公开了一种外围电路、存储器装置及系统、存储器装置的控制方法；所述外围电路包括：锁存器，被配置为存储第一数据，第一数据包括第一操作参数；数模转换器，与锁存器耦接；数模转换器被配置为：将第一操作参数转换为第一电压参数；电压发生电路，...
    2026-02-11
  • 用于产生刷新地址的设备和方法
    用于产生刷新地址的设备和方法_美光科技公司_202511396537.9
    本申请涉及用于产生刷新地址的设备和方法。用于计算目标刷新地址的设备和方法可包含可用于计算与侵害者行具有多种空间关系的受害者行地址的电路。由所述电路计算的所述受害者行地址的所述空间关系可至少部分地基于提供到所述电路的控制信号的状态。也就是说，...
    2026-02-11
  • 一种数据生成装置、数据生成方法及电子设备
    一种数据生成装置、数据生成方法及电子设备_北京航空航天大学_202510887621.4
    本发明提供一种数据生成装置、数据生成方法及电子设备，所述数据生成装置包括：写晶体管、读晶体管和存储单元，存储单元用于在周期性脉冲信号下提供分布概率满足温度限制条件的输出数据；周期性脉冲信号的单个脉冲信号包括第一写脉冲信号、第二写脉冲信号和读...
    2026-02-11
  • 一种高耐久高电流可靠性的铁电晶体管读写方法
    一种高耐久高电流可靠性的铁电晶体管读写方法_北京大学_202511352770.7
    本发明公开了一种高耐久高电流可靠性的铁电晶体管读写方法，使用的铁电晶体管包括一P型掺杂的半导体衬底，一N型掺杂的源极，一P型掺杂的漏极，一铁电栅叠层和一控制栅；在写入与读出操作过程中分别对源极，漏极和控制栅施加对应电平或浮置操作。在写入过程...
    2026-02-11
  • 具有改良连线负载的电路模块与相关方法
    具有改良连线负载的电路模块与相关方法_円星科技股份有限公司_202511581356.3
    一种具有改良连线负载的电路模块，以及为电路模块改良连线负载的方法。该电路模块包含一第一连线、一第一开关、一第二连线、一第二开关与一第二驱动器。该第一开关可开启与关闭以导通与不导通于该第一连线与一第一节点之间。该第二开关可开启与关闭以导通与不...
    2026-02-11
  • 基于IGZO的三维快速读取存储器和存算架构
    基于IGZO的三维快速读取存储器和存算架构_中国科学院微电子研究所_202511160028.6
    本申请公开了一种基于IGZO的三维快速读取存储器和存算架构，涉及电路设计技术领域。上述架构包括：存储层，由L层IGZO‑3T0C阵列堆叠而成，用于存储目标数据，其中，每层所述IGZO‑3T0C阵列包括多个存储单元，所述L为大于1的正整数；放...
    2026-02-11
  • 基于单片三维集成的向量检索加速器
    基于单片三维集成的向量检索加速器_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511347824.0
    本发明涉及向量检索技术领域，特别涉及一种基于单片三维集成的向量检索加速器，包括：CMOS逻辑层，用于编码查询向量和导入候选冷数据；阻变存储器RRAM计算‑存储一体层，设在CMOS逻辑层之上，用于对编码后的查询向量进行低精度距离计算，得到第一...
    2026-02-11
  • 一种基于RRAM的全模拟域感存算一体方法及系统
    一种基于RRAM的全模拟域感存算一体方法及系统_南方科技大学_202511137918.5
    本发明涉及数据处理技术领域，公开了一种基于RRAM的全模拟域感存算一体方法及系统，所述方法包括：图像传感器像素阵列采集图像光信号，并将所述图像光信号转换为PWM信号后输入至RRAM存内计算阵列；RRAM存内计算阵列将所述PWM信号的脉冲宽度...
    2026-02-11
  • 存储器及信号处理方法
    存储器及信号处理方法_华为技术有限公司_202511198173.3
    本申请公开了一种存储器及信号处理方法。该存储器包括：锁存电路、译码电路、存储阵列、读电路和写电路。其中，存储阵列包括M行N列位单元，每1个位单元用于存储1比特数据，位单元包括第一端口和第二端口；锁存电路用于接收第一地址、第二地址；译码电路用...
    2026-02-11
  • 一种数据刷新方法、存储器、电子设备和计算机存储介质
    一种数据刷新方法、存储器、电子设备和计算机存储介质_新存微科技(北京)有限责任公司_202511132160.6
    本申请公开一种数据刷新方法、存储器、电子设备和计算机存储介质。所述数据刷新方法包括：接收数据刷新指令；响应于所述数据刷新指令，从目标存储单元的目标地址中读取历史存储数据，并将所述历史存储数据发送至数据锁存器；从所述数据锁存器中获取所述历史存...
    2026-02-11
  • 一种基于氧化物忆阻器的群编码计算实现方法
    一种基于氧化物忆阻器的群编码计算实现方法_北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司_202511435325.7
    本发明提供一种基于氧化物忆阻器的群编码计算实现方法，属于半导体(semiconductor)和CMOS混合集成电路技术领域。本发明基于1T1S神经元，构建了偏好特征动态调控电路，将偏好特征动态调控电路与1T1S神经元直接级联，利用非易失性氧...
    2026-02-11
  • 一种基于EEPROM的无人值守航站数据烧写电路
    一种基于EEPROM的无人值守航站数据烧写电路_华软科技股份有限公司_202511426464.3
    本申请公开了一种基于EEPROM的无人值守航站数据烧写电路，包括微控制器模块、EEPROM模块和供电模块，微控制器模块与EEPROM模块电连接，供电模块的输出端与微控制器模块的输入端和EEPROM模块的输入端电连接，微控制器模块用于协调和控...
    2026-02-11
  • 存储电路、存储器和执行写操作的方法
    存储电路、存储器和执行写操作的方法_昕原半导体(杭州)有限公司_202511206352.7
    本发明公开了一种存储电路，存储电路包括：存储单元，存储单元包括位线；第一开关单元，第一开关单元与位线连接，第一开关单元用于在对存储单元执行写操作时导通，以向位线提供第一工作电压；耦合单元，耦合单元与第一开关单元连接，耦合单元用于在对存储单元...
    2026-02-11
  • 存储电路、存储器和执行写操作的方法
    存储电路、存储器和执行写操作的方法_昕原半导体(杭州)有限公司_202511206355.0
    本发明公开了一种存储电路，存储电路包括：存储单元，存储单元包括位线；第一开关单元，第一开关单元与位线连接，第一开关单元用于在接收到写操作指令时导通，以向所述位线提供第一工作电压；储能单元，所述储能单元的第一端用于接收第一电平信号，所述储能单...
    2026-02-11
  • 一种延长嵌入式闪存存储数据保留时长的方法及系统
    一种延长嵌入式闪存存储数据保留时长的方法及系统_四川矽容微电子科技有限公司_202511438468.3
    本发明涉及闪存存储数据技术领域，提供了一种延长嵌入式闪存存储数据保留时长的方法及系统，包括通过筛选介电层厚度均匀且编程电压稳定的存储区域作为高质量存储区，将关键数据分级存储并优先写入高质量区域，同时对普通区域填充结构化虚拟数据以稳定电荷环境...
    2026-02-11
  • NAND Flash的数据储存系统及数据储存方法
    NAND Flash的数据储存系统及数据储存方法_四川矽容微电子科技有限公司_202511439712.8
    本申请涉及计算机NAND芯片的储存技术领域，具体而言，涉及一种NAND Flash的数据储存系统及数据储存方法，包括：云端库存管理平台；无线仓储装置，设置有多个用于储存硬盘的储存位置，每个储存位置内设置有无线充电模组；能量接收模组，内置于各...
    2026-02-11
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