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最新专利技术
  • 显示装置的制造设备
    显示装置的制造设备_三星显示有限公司_202510830156.0
    公开了一种显示装置的制造设备，显示装置的制造设备包括：下腔室，被构造为支撑显示面板；上腔室，与下腔室相对，并且被构造为支撑盖构件；以及驱动器，被构造为驱动上腔室，并且控制上腔室以顺序地在第一方向上移动，在与第一方向相反的第二方向上第一次移动...
    2026-01-17
  • 一种钙钛矿晶硅叠层电池及其制备方法和应用
    一种钙钛矿晶硅叠层电池及其制备方法和应用_英利能源发展有限公司_202511288831.8
    本发明提供一种钙钛矿晶硅叠层电池及其制备方法和应用，涉及太阳能电池技术领域。本发明的钙钛矿晶硅叠层电池的制备方法，包括如下步骤：对晶硅底电池硅基底待涂布a表面进行抛光处理后再狭缝涂布制备钙钛矿顶电池，其中，所述抛光处理为对硅基底表面外周至少...
    2026-01-17
  • 显示面板的制备方法、显示面板及电子设备
    显示面板的制备方法、显示面板及电子设备_合肥维信诺科技有限公司_202511308766.0
    本申请提供一种显示面板的制备方法、显示面板及电子设备，涉及显示技术领域。在上述制备方法中，通过金属盐桥结构连接金属隔离结构与位于孔心区的像素电极层形成原电池结构，在酸性溶液刻蚀形成像素电极的过程中，可以吸引溶液中的阳离子在孔心区的像素电极层...
    2026-01-17
  • 一种晶硅叠层电池光伏组件
    一种晶硅叠层电池光伏组件_杭州柯能新能源有限公司_202511747105.8
    本发明公开了一种晶硅叠层电池光伏组件，属于太阳能电池技术领域，包括底板，所述底板上通过下层封装胶膜安装有晶硅电池，所述底板底部的边缘处装配有接线盒，所述晶硅电池上通过上层封装胶膜安装有玻璃盖板，所述玻璃盖板上设有钙钛矿电池，并经层压合并后形...
    2026-01-17
  • 一种基于半导体-铁电体梯度异质结的光感算一体器件及其制备方法与应用
    一种基于半导体-铁电体梯度异质结的光感算一体器件及其制备方法与应用_苏州大学_202511763006.9
    本发明公开了一种基于半导体‑铁电体梯度异质结的光感算一体器件及其制备方法与应用，通过在半导体内引入铁电材料，结合导电基底表面‑OH含量的精准调控，实现铁电材料在半导体中的成分梯度分布，进而达成对光感算一体器件响应度的高精度调制，精准控制其输...
    2026-01-17
  • 硅基钙钛矿叠层电池的制备方法、电荷传输层处理装置
    硅基钙钛矿叠层电池的制备方法、电荷传输层处理装置_苏州迈为科技股份有限公司_202511343333.9
    本申请涉及光电器件技术领域，具体涉及硅基钙钛矿叠层电池的制备方法、电荷传输层处理装置。本申请硅基钙钛矿叠层电池的制备方法，包括以下步骤：提供硅基底电池，将多片所述硅基底电池装载到载具中；硅基底电池具有相背设置的第一表面和第二表面；将装载有硅...
    2026-01-17
  • 哌嗪衍生物抑制钙钛矿碘迁移并修饰薄膜制备太阳能电池的方法
    哌嗪衍生物抑制钙钛矿碘迁移并修饰薄膜制备太阳能电池的方法_大连理工大学_202511392004.3
    哌嗪衍生物抑制钙钛矿碘迁移并修饰薄膜制备太阳能电池的方法，其属于钙钛矿太阳能电池的技术领域。该方法是将哌嗪衍生物用于钙钛矿层和电子传输层之间，使其具备修饰钙钛矿薄膜，抑制碘迁移的功能。通过将哌嗪衍生物溶液旋涂在钙钛矿表面得到修饰的钙钛矿吸光...
    2026-01-17
  • 掺杂甘氨酸衍生物的空穴传输层及其制备及应用方法
    掺杂甘氨酸衍生物的空穴传输层及其制备及应用方法_上海交通大学_202511408754.5
    一种掺杂甘氨酸衍生物的空穴传输层及其制备及应用方法，利用甘氨酸盐中的氨基(‑NH2)可以与Me‑4PACz的极性基团相作用，助力与Me‑4PACz在溶液中与在氧化镍表面的分散的同时，选择的其衍生物上所含有的苯环可以有助于空穴传输层的电子传导...
    2026-01-17
  • 一种钙钛矿薄膜的制备方法
    一种钙钛矿薄膜的制备方法_南京信息工程大学_202511511900.7
    本发明公开了一种钙钛矿薄膜的制备方法包括：S0：准备衬底；S1：配制钙钛矿前驱体溶液；S2：配制掺杂的反溶剂，向反溶剂中掺杂羰基‑甲基类聚合物得到掺杂的反溶剂；S3：将钙钛矿前驱体溶液涂覆于衬底表面，在衬底表面形成湿膜；S4：对S3得到的湿...
    2026-01-17
  • 一种钙钛矿薄膜及其制备方法和应用
    一种钙钛矿薄膜及其制备方法和应用_极电光能有限公司_202410828873.5
    本发明提供了一种钙钛矿薄膜及其制备方法和应用。所述制备方法包括：在衬底的界面层表面上涂覆钙钛矿前驱体溶液，得到钙钛矿湿膜；采用反溶剂萃取钙钛矿湿膜前驱体中的配体溶剂，得到所述钙钛矿薄膜；其中，所述钙钛矿前驱体溶液中包括配体溶剂，所述反溶剂包...
    2026-01-17
  • 一种高效OLED显示器件及其制备方法
    一种高效OLED显示器件及其制备方法_江苏创拓新材料有限公司_202511395516.5
    本发明涉及有机电致发光显示技术领域，具体涉及一种高效OLED显示器件及其制备方法。本发明所提供的一种高效OLED显示器件的制备方法是通过氟羟基化改性聚酰亚胺、选用双功能液晶分子及协同工艺，使制备得到的OLED显示器件载流子迁移率较传统器件提...
    2026-01-17
  • 一种柔性OLED显示模组全自动贴附设备
    一种柔性OLED显示模组全自动贴附设备_湖北富世华电子科技有限公司_202511456035.0
    本发明属于柔性OLED显示模组制造领域，具体是一种柔性OLED显示模组全自动贴附设备，包括压膜组件，压膜组件包括压膜架一和压膜架二，压膜架二包括传送架、两个定位架和多个定位支腿，多个定位支腿阵列分布在传送架上；压膜架一上的多个定位支腿，与压...
    2026-01-17
  • 用于制造面板的设备
    用于制造面板的设备_三星显示有限公司_202510849464.8
    一种用于制造面板的设备，包括：第一工艺室，在第一工艺室中，第一无机层沉积在基板上以覆盖设置在基板上的显示元件层；第二工艺室，接收在其上沉积有第一无机层的基板，从而在第一无机层上印刷有机层；第三工艺室，接收在其上印刷有有机层的基板，从而在有机...
    2026-01-17
  • 具有三维互穿网络结构的钙钛矿薄膜及其制备方法和应用
    具有三维互穿网络结构的钙钛矿薄膜及其制备方法和应用_中核光电科技(上海)有限公司_202511749110.2
    本发明是关于一种具有三维互穿网络结构的钙钛矿薄膜及其制备方法和应用。其由钙钛矿和弹性体聚合物在三维空间中相互贯穿构成；所述弹性体聚合物由弹性体寡聚物通过原位交联反应制得。所要解决的技术问题是如何提供一种具有三维互穿网络结构的钙钛矿薄膜，在钙...
    2026-01-17
  • 发光元件和包括发光元件的电子装置
    发光元件和包括发光元件的电子装置_三星显示有限公司_202510857848.4
    实施方式提供了发光元件和包括发光元件的电子装置。发光元件包括第一电极、设置在第一电极上的空穴传输区、设置在空穴传输区上的发光层、设置在发光层上的电子传输区、设置在电子传输区上的第二电极以及设置在空穴传输区和发光层之间和/或设置在发光层和电子...
    2026-01-17
  • 一种利用梯度阻挡层连接SiGe热电材料与电极的方法
    一种利用梯度阻挡层连接SiGe热电材料与电极的方法_哈尔滨工业大学_202511382497.2
    一种利用梯度阻挡层连接SiGe热电材料与电极的方法，涉及一种连接SiGe热电材料与电极的方法。为了解决SiGe热电材料与电极连接的连接温度高易造成热电材料的性能损伤、连接过程存在元素扩散的问题。本发明通过在阻挡层中添加金属元素，实现阻挡层与...
    2026-01-17
  • 基于激光蚀刻的全电极叠层陶瓷的制备方法
    基于激光蚀刻的全电极叠层陶瓷的制备方法_中国航发北京航空材料研究院_202511368080.0
    本发明提供一种叠层压电全电极结构的制备方法，包括如下步骤：根据随机行走原理和步骤4的测量和计算结果，能够得到第给N条电极的期望位置位于范围内；为保证激光蚀刻后第N条电极材料为裸露，激光蚀刻宽度要大于由于厚度不均导致的累积偏差值，并小于2倍的...
    2026-01-17
  • 一种基于压电式加速度传感器的内部电路连接方法
    一种基于压电式加速度传感器的内部电路连接方法_花园金波科技股份有限公司_202511374873.3
    本发明涉及压电式传感器技术领域，具体涉及一种基于压电式加速度传感器的内部电路连接方法。该方法通过优化传感器内部结构布局和电气连接方式，摒弃了传统焊接工艺，采用金属面接触导通与电路板焊盘直接连接的设计。主要包括：利用导电胶体将压电陶瓷正极通过...
    2026-01-17
  • 安装体、超声波传感器及重叠输送检测装置
    安装体、超声波传感器及重叠输送检测装置_精工爱普生株式会社_202510853300.2
    提供能够提高生产率的安装体、超声波传感器及重叠输送检测装置。电路基板(100)具备与电路部(110)电连接的第一布线层(130)，元件基板(200)具备：第一基板(210)、振动板(240)、压电元件、第二基板(220)以及与压电元件电连接...
    2026-01-17
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511314126.0
    一种制造半导体器件的方法包括：提供衬底，该衬底限定逻辑区域和存储器区域；在逻辑区域和存储器区域上沉积底部电极层；在底部电极层上方沉积磁隧道结(MTJ)层；在MTJ层上方沉积第一导电层；在第一导电层上方沉积牺牲层；蚀刻存储器区域中的牺牲层，以...
    2026-01-17
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