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最新专利技术
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_上海积塔半导体有限公司_202511418834.9
    本申请涉及半导体器件及其制备方法，半导体器件包括衬底；第一阱区和第二阱区，位于衬底内，第二阱区位于第一阱区一侧并与第一阱区接触，且第一阱区的掺杂类型与第二阱区的掺杂类型相反；第一掺杂区，位于第一阱区内，第一掺杂区的掺杂类型与第一阱区的掺杂类...
    2026-01-18
  • 一种太阳电池及其制作方法、光伏组件
    一种太阳电池及其制作方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202511768626.1
    本申请涉及太阳电池技术领域，尤其涉及一种太阳电池及其制作方法、光伏组件。该太阳电池，包括硅衬底、图形化的背面掺杂层以及背面钝化减反射层。硅衬底包括相对设置的背面和正面。背面掺杂层局部设置在背面上，且背面掺杂层的设置区域为掺杂区域，背面除掺杂...
    2026-01-18
  • 一种硅异质结太阳电池及其铜电镀金属化方法
    一种硅异质结太阳电池及其铜电镀金属化方法_南开大学_202511416429.3
    本发明公开了一种硅异质结太阳电池及其铜电镀金属化方法，晶硅异质结太阳电池包含晶硅衬底，其正面分别设置有第一本征非晶硅层、第一掺杂非晶硅/微晶硅层、第一透明导电氧化物层和第一叠层栅线电极，晶硅衬底的背面依次设置第二本征非晶硅层、第二掺杂非晶硅...
    2026-01-18
  • 异质结太阳电池及其制备方法、光伏组件
    异质结太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202511746566.3
    本申请涉及太阳电池领域，公开一种异质结太阳电池及其制备方法、光伏组件。异质结太阳电池包括：硅基底，硅基底的受光面上还依次设置有第一钝化层、第一掺杂硅层、第一透明导电层，其中，第一透明导电层包括第一厚度区和第二厚度区，第一厚度区上设置有第一透...
    2026-01-18
  • 一种TBC电池及其制备方法和光伏组件
    一种TBC电池及其制备方法和光伏组件_TCL中环新能源科技股份有限公司_202511394902.2
    本发明提供了一种TBC电池及其制备方法和光伏组件，涉及太阳能电池的技术领域，所述TBC电池的正面结构包括：依次层叠设置于硅基体的正面的N+前表面场层、正面磷硅玻璃层、钝化膜层和减反射膜层；其中，所述N+前表面场层为通过磷扩散在前表面掺入磷原...
    2026-01-18
  • 光伏组件及其制造方法
    光伏组件及其制造方法_如果新能源科技(江苏)股份有限公司_202511549720.8
    本申请涉及一种光伏组件及其制造方法。光伏组件包括沿第一方向和/或第二方向间隔排列的多个电池串及沿第一方向和/或第二方向排列的多个旁路单元串；多个电池串通过串联与并联中的至少一种方式连接，每电池串包括沿第一方向间隔排列的串联连接的多个电池单元...
    2026-01-18
  • 一种光伏组件
    一种光伏组件_上海海优威新材料股份有限公司_202410766707.7
    本申请涉及一种光伏组件, 尤其是具有良好阻隔氧气以及Na+离子作用的抗PID封胶膜的光伏组件。此种抗PID封装胶膜至少包括了一层基体树脂, 以及一层PVA层。聚乙烯醇(PVA；Poly(vinyl alcohol))配合着基体树脂的结合, ...
    2026-01-18
  • 胶膜铺设方法、光伏组件的制备方法和光伏组件
    胶膜铺设方法、光伏组件的制备方法和光伏组件_天合光能股份有限公司_202410805956.2
    本申请实施例涉及一种胶膜铺设方法、光伏组件的制备方法和光伏组件，胶膜铺设方法包括：提供第一盖板；于第一盖板的表面设置层叠的第一胶膜层、目标器件和第二胶膜层；切割第一胶膜层和第二胶膜层；去除投影位于切割轨迹与所述第一盖板的外轮廓之间的所述第一...
    2026-01-18
  • 太阳电池及其制备方法
    太阳电池及其制备方法_深圳现象光伏科技有限公司_202511431462.3
    本申请涉及太阳电池及其制备方法。本申请的太阳电池包括衬底、太阳电池主体以及封装结构。太阳电池主体设置于衬底和封装结构之间，封装结构和衬底共同实现对太阳电池主体的封装。封装结构包括基材层；基材层设置于衬底的表面上并包覆太阳电池主体。基材层的材...
    2026-01-18
  • 柔性叠瓦太阳能电池组件及所用的纤维基导电粘接材料
    柔性叠瓦太阳能电池组件及所用的纤维基导电粘接材料_中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所_202410763826.7
    本发明公开了一种柔性叠瓦太阳能电池组件及所用的纤维基导电粘接材料。其中的纤维基导电粘接材料包括纤维编织基体、金属导电层以及粘结层；纤维编织基体由多个纤维束编织形成；粘结层包括多个不连续胶体，不连续胶体分布于多个纤维束之间的间隙区域，金属导电...
    2026-01-18
  • 太阳电池及其制备方法、光伏组件
    太阳电池及其制备方法、光伏组件_常州时创能源股份有限公司_202510274238.1
    本申请公开了一种太阳电池及其制备方法、光伏组件，其中，太阳电池包括电池片基体及多条导电丝。多条导电丝沿第一方向间隔设于电池片基体上，每一导电丝均沿第二方向延伸有第一突出段和第二突出段，第一突出段与第二突出段分别突出于电池片基体的边缘。第一突...
    2026-01-18
  • 电池串、光伏组件及光伏系统
    电池串、光伏组件及光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511310303.8
    本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种电池串、光伏组件及光伏系统，包括若干焊带；汇流条，包括连接部和非连接部，连接部连接焊带，连接部包括第一应力释放区，第一应力释放区至少部分与焊带交叠。本申请在焊接焊带与汇流条时，可以对焊接挤压产生的应...
    2026-01-18
  • 高效太阳能电池串及电池组件
    高效太阳能电池串及电池组件_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202511535273.0
    本发明提供一种高效太阳能电池串及电池组件，属于光伏领域，电池串包括：沿第一方向排列的多个电池片，其中，每一电池片的第一表面沿所述第一方向划分为绒面区和钝化区，所述钝化区位于所述电池片分切时被激光切割的切割侧，且所述钝化区无PN结；每相邻的两...
    2026-01-18
  • 一种背接触电池组件及光伏系统
    一种背接触电池组件及光伏系统_天津爱旭太阳能科技有限公司_202511737862.7
    本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种背接触电池组件及光伏系统，包括与第一汇流条电连接的第一电池串、与第二汇流条连接的第二电池串，与第一汇流条焊接的第一焊带最靠近第一汇流条的第一引线折弯处，且最靠近第一电池串的第一边缘，与第二汇流条焊接...
    2026-01-18
  • 一种应用于水下光通讯的自支撑SiC/GaN异质结纳米阵列及其制备方法和应用
    一种应用于水下光通讯的自支撑SiC/GaN异质结纳米阵列及其制备方法和应用_宁波工程学院_202511165131.X
    本发明属于紫外光电探测技术领域，涉及一种应用于水下光通讯的自支撑SiC/GaN异质结纳米阵列及其制备方法和应用。本发明自支撑SiC纳米线阵列表层成功负载GaN薄层，并且不影响原始的纳米线阵列结构，使光阳极具有较大的比表面积，这不仅有利于光阳...
    2026-01-18
  • 一种金刚石/氧化镓紫外探测器及其制备方法
    一种金刚石/氧化镓紫外探测器及其制备方法_江南大学_202511398081.X
    本发明公开了一种金刚石/氧化镓紫外探测器及其制备方法，所述金刚石/氧化镓紫外探测器由下至上依次包括单晶金刚石衬底、本征单晶金刚石外延层、指型欧姆电极、氧化镓层、指型肖特基电极；指型欧姆电极包括相连的欧姆电极条阵列和欧姆电极pad；指型肖特基...
    2026-01-18
  • 氮化镓异质结紫外探测器及其制备方法
    氮化镓异质结紫外探测器及其制备方法_湖北九峰山实验室_202511738310.8
    本发明提供了一种氮化镓异质结紫外探测器及其制备方法，氮化镓异质结紫外探测器包括依次叠设的第一电极、衬底、二维h‑BN层、非掺GaN成核层、p型GaN层以及第二电极。本发明插入了二维h‑BN层，作为外延模板，简化了制备工艺并降低成本，实现了高...
    2026-01-18
  • 一种双波段光电探测锰锌铁氧体垂直场效应晶体管及制备方法
    一种双波段光电探测锰锌铁氧体垂直场效应晶体管及制备方法_电子科技大学_202511390757.0
    本发明公开了一种双波段光电探测锰锌铁氧体垂直场效应晶体管及制备方法，包括从下到上依次叠置的衬底、栅氧化层、第一沟道；源极和第一沟道之间设置有第二沟道；源极相对侧设置有漏极和栅极；所述第一沟道为石墨烯薄膜，第二沟道为锰锌铁氧体薄膜；第一沟道和...
    2026-01-18
  • 图像传感器封装结构
    图像传感器封装结构_同欣电子工业股份有限公司_202511400129.6
    图像传感器封装结构包含基板、图像感测芯片、金属线、支撑件、透光板体、第一及第二无源器件、封胶层、承载座及透镜模块。图像感测芯片位于基板的上表面。金属线电性连接图像感测芯片及上表面。支撑件位于上表面并围绕图像感测芯片及金属线。透光板体位于支撑...
    2026-01-18
  • 用于锑化镓基红外探测器的抗界面扩散倒焊结构及方法
    用于锑化镓基红外探测器的抗界面扩散倒焊结构及方法_山西创芯光电科技有限公司_202511748079.0
    本申请提供了一种用于锑化镓基红外探测器的抗界面扩散倒焊结构及方法，属于红外探测器技术领域；解决了现有技术难以有效抑制锑和焊料原子在高温工艺下的互扩散问题；该结构包括锑化镓基红外探测器芯片和读出电路，锑化镓基红外探测器芯片和读出电路的电极焊盘...
    2026-01-18
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