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最新专利技术
  • 一种异质芯片集成的高温封装结构及其封装方法
    一种异质芯片集成的高温封装结构及其封装方法_无锡中微高科电子有限公司_202511369178.8
    本发明涉及半导体封装技术领域，具体公开了一种异质芯片集成的高温封装结构及其封装方法，该封装结构包括两颗异质芯片、陶瓷管壳、过渡片、高温焊料、键合金丝、键合铝丝和平封盖板，陶瓷管壳包括封口环、键和指区域、芯片装片区和芯片互联区，第一过渡片和第...
    2026-02-14
  • 芯片封装结构
    芯片封装结构_北京有竹居网络技术有限公司_202410841126.5
    本公开公开一种芯片封装结构，包括：电路板组件，包括电路板；芯片组件，设置在所述电路板上并且包括沿平行于所述电路板的方向并排设置的至少两个芯片层叠结构，每个所述芯片叠层结构包括基板和设置在所述基板上的芯片；桥接组件，沿所述电路板的厚度方向设置...
    2026-02-14
  • 具有改进的引线结构的引线框架封装
    具有改进的引线结构的引线框架封装_意法半导体国际公司_202510828576.5
    本公开涉及具有改进的引线结构的引线框架封装。提供了示例引线框架封装、制造引线框架封装的方法以及包括具有改进的导电引线结构的引线框架封装的电系统。示例引线框架封装包括热耦合到管芯焊盘的半导体IC。模制材料包围半导体IC，从而限定引线框架封装的...
    2026-02-14
  • 半导体器件和制造该半导体器件的方法
    半导体器件和制造该半导体器件的方法_安世有限公司_202510841892.6
    根据本公开的第一实例，提出了一种半导体器件，该半导体器件包括：管芯，该管芯构成半导体器件的顶层，优选地由硅树脂制成；引线框架，该引线框架构成半导体器件的底层，具有在6.3×107西门子至1×106西门子之间的范围内、更优选地1×107西门子...
    2026-02-14
  • 基板，特别是用于半导体封装中以用于安装半导体管芯元件的引线框架基板
    基板，特别是用于半导体封装中以用于安装半导体管芯元件的引线框架基板_安世有限公司_202510842218.X
    基板，特别是用于半导体封装中以用于安装半导体管芯元件的引线框架基板，其中所述基板由分层配置组成，所述分层配置至少包括：第一材料的第一层，所述第一材料的所述第一层包括第一表面侧和与所述第一表面侧相对的第二表面侧，所述第一表面侧被布置成接收半导...
    2026-02-14
  • 一种半导体功率器件的散热装置
    一种半导体功率器件的散热装置_东莞市隆慧电子科技有限公司_202511708997.0
    本发明涉及半导体功率技术领域，具体涉及一种半导体功率器件的散热装置，包括引线框架，所述引线框架上固定有芯片，所述芯片上设有铜带，所述铜带包括矩形铜板，矩形铜板与芯片焊接，矩形铜板上设有四个第一变形区域和四个第二变形区域，四个第一变形区域绕矩...
    2026-02-14
  • 一种半导体封装框架以及制备方法
    一种半导体封装框架以及制备方法_深圳市五新材料科技有限公司_202511750218.3
    本申请涉及半导体封装技术领域，提供了一种半导体封装框架以及制备方法，包括：载板，其上设有粘接层，粘接层平铺在载板上；若干电极，若干电极通过粘接层矩阵且成对粘接在载板上；若干半导体芯片，若干个半导体芯片分别焊接在成对设置的两个电极上；封装框架...
    2026-02-14
  • 基板及其制备方法、集成无源器件、电子装置
    基板及其制备方法、集成无源器件、电子装置_北京京东方光电科技有限公司_202410831909.5
    本公开提供了一种基板及其制备方法、集成无源器件、电子装置，属于半导体技术领域。基板，包括：基底，所述基底的表面设置有过孔结构，所述基底包括包围至少部分所述过孔结构的掺杂区域，所述掺杂区域为包含有掺杂离子的基底。本公开实施例能够实现更高深宽比...
    2026-02-14
  • 半导体结构以及半导体集成结构
    半导体结构以及半导体集成结构_长鑫科技集团股份有限公司_202410846462.9
    本公开实施例提供了一种半导体结构，包括：衬底，衬底上覆盖有介质层，介质层包括第一区域和环绕第一区域的第二区域；设置在第一区域的介质层中的第一导电垫，第一导电垫的顶表面具有凹陷或凸起的部分，介质层覆盖所述第一导电垫的顶表面；设置在第二区域的介...
    2026-02-14
  • 一种三相低压MOSFET封装集成功率模块
    一种三相低压MOSFET封装集成功率模块_华侨大学_202511756127.0
    本发明提供了一种三相低压MOSFET封装集成功率模块，其将驱动组件、直流母线电容等模块集成于铝壳封装内。三片DBC基板分别承载U、V、W相桥臂，每相由若干并联MOSFET芯片构成上下桥臂，芯片漏极直接焊接于DBC上铜层，栅极经铜柱与上层驱动...
    2026-02-14
  • 电子装置封装
    电子装置封装_日月光半导体制造股份有限公司_202411806040.5
    本公开涉及一种电子装置封装，其包含第一衬底、所述第一衬底上方的第二衬底以及连接于所述第一衬底与所述第二衬底之间的集成电路IC。所述IC经配置以调节电力信号，其中所述IC与所述第二衬底之间的电力信号路径在所述第一衬底上的投影完全在所述IC在所...
    2026-02-14
  • 半导体结构和半导体器件
    半导体结构和半导体器件_长鑫科技集团股份有限公司_202410815372.3
    本申请涉及一种半导体结构和半导体器件，其中半导体结构，包括：衬底；沟槽组，位于衬底内；沟槽组至少包括第一沟槽、第二沟槽、第三沟槽，第一沟槽、第二沟槽和第三沟槽依次相邻且相互平行设置；第一沟槽的长度小于第三沟槽的长度；接触插塞，至少位于第一沟...
    2026-02-14
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202410831053.1
    一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底，基底中形成有互连层；通孔互连结构，位于基底中并与互连层电连接；衬垫层，位于通孔互连结构的侧壁和基底之间；一个或多个间隔分布的应力缓冲结构，嵌于衬垫层侧部的基底中，并与衬垫层的侧壁相连，应力缓...
    2026-02-14
  • 一种芯片封装结构、其制作方法及电子设备
    一种芯片封装结构、其制作方法及电子设备_华为技术有限公司_202410836107.3
    本申请提供了一种芯片封装结构、其制作方法及电子设备。芯片封装结构包括：第一重布线层、桥接芯片、第一芯片、第二芯片、有机膜层和导电通孔。第一重布线层和桥接芯片叠层设置，第一芯片和第二芯片位于桥接芯片背离第一重布线层的一侧，第一芯片通过桥接芯片...
    2026-02-14
  • 扇出型晶圆级封装单元打线接合在电子元件上的模块
    扇出型晶圆级封装单元打线接合在电子元件上的模块_华东科技股份有限公司_202410840192.0
    本发明公开一种扇出型晶圆级封装单元打线接合在电子元件上的模块，包括载板、第一裸晶、第一介电层、多条第一导接线路、第二介电层、多条第二导接线路、第二裸晶、电子元件、至少一第一焊线、至少两条第二焊线及至少一第三焊线；其中各第二导接线路是由填注设...
    2026-02-14
  • 扇出型晶圆级封装单元
    扇出型晶圆级封装单元_华东科技股份有限公司_202410840229.X
    本发明公开一种扇出型晶圆级封装单元，包括载板、至少一下层裸晶、第一介电层、至少一第一导接线路、第二介电层、至少一第二导接线路、至少一上层裸晶、第三介电层、至少一第三导接线路、第四介电层、至少一第四导接线路及外护层；其中该至少一下层裸晶与该至...
    2026-02-14
  • 半桥系统、芯片及半桥系统的制备方法
    半桥系统、芯片及半桥系统的制备方法_湖北九峰山实验室_202511392546.0
    本发明提供了一种半桥系统、芯片及半桥系统的制备方法，涉及功率技术领域，半桥系统包括依次连接的上管和下管；且，上管的源极与下管的漏极连接；上管的源极与下管的漏极之间设置有混合键合，上管的源极与下管的漏极通过混合键合形成互联，且，上管的源极与下...
    2026-02-14
  • 一种检测晶边清洗宽度的测试片及方法
    一种检测晶边清洗宽度的测试片及方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202410781184.3
    本发明公开了一种检测晶边清洗宽度的测试片及方法，测试片包括：基片；检测膜层，设于所述基片的表面上；所述检测膜层包括水溶性膜层、酸碱指示膜层或遇水变透明膜层；所述检测膜层用于在所述测试片经过晶边清洗后，在所述测试片的边缘上显现出能够被检测洗边...
    2026-02-14
  • 晶片结构及芯片结构
    晶片结构及芯片结构_联咏科技股份有限公司_202410819897.4
    本发明公开一种晶片结构及芯片结构，其中晶片结构包括衬底、切割道、芯片线路图案以及周边金属图案。切割道于所述衬底上定义出芯片单元。芯片线路图案设置于所述芯片单元的中心区域。周边金属图案设置于所述芯片单元的周边区域，其环绕所述中心区域。所述周边...
    2026-02-14
  • 半导体测试结构以及半导体结构的测试方法
    半导体测试结构以及半导体结构的测试方法_联芯集成电路制造(厦门)有限公司_202410840238.9
    本发明公开一种半导体测试结构以及半导体结构的测试方法，其中半导体测试结构包含一基底，多个栅极结构位于该基底上，多个薄膜电阻层，各该薄膜电阻层分别位于该多个栅极结构中的其中一个栅极结构的上方，且该多个薄膜电阻层位于一介电层中，一测试线路层，位...
    2026-02-14
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