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最新专利技术
  • 一种基于垂直打线的HBPOP封装方法
    一种基于垂直打线的HBPOP封装方法_华天科技(南京)有限公司_202511275633.8
    本发明提供了一种基于垂直打线的HBPOP封装方法，其优化手机内芯片布局空间，并且整体厚度不会增加。其特征在于：其使用垂直打线工艺将基板的电路引出，且在塑封体表面用RDL重新长出焊接点，然后再将LPDDR芯片和RDL层的重布焊接点连接。
    2026-01-26
  • 一种基于TMV工艺的HBPOP封装方法
    一种基于TMV工艺的HBPOP封装方法_华天科技(南京)有限公司_202511275635.7
    本发明提供了一种基于TMV工艺的HBPOP封装方法，其工艺难度低，设备要求度不高，且最终产品厚度可以降低约50um，从而使得电子产品的厚度减薄。其特征在于：通过打线工艺连接基板和转接板，并采用TMV工艺，将LPDDR芯片和转接板进行连接。
    2026-01-26
  • 一种用于混合键合工艺的纳米孪晶铜焊盘制备方法
    一种用于混合键合工艺的纳米孪晶铜焊盘制备方法_东南大学_202511280991.8
    本发明公开了一种用于混合键合工艺的纳米孪晶铜焊盘制备方法，使用刻蚀的方法在晶圆表面的介电材料薄膜内刻蚀出介电孔；使用物理气相沉积的方法在晶圆上先后沉积黏附层和种子层；使用直流反向电镀工艺，铜片作为阳极，带有黏附层和种子层的晶圆作为阴极，电镀...
    2026-01-26
  • 器件倒装焊封装方法和倒装焊器件
    器件倒装焊封装方法和倒装焊器件_中国科学技术大学_202511633650.4
    本发明提供了一种器件倒装焊封装方法和倒装焊器件，属于半导体器件封装技术领域。该器件倒装焊封装方法包括：提供沉积有第一片上金属的倒装芯片和沉积有第二片上金属的基板芯片，第一片上金属相背离倒装芯片一侧沉积有在空间上彼此隔离的互连金属阵列和第一限...
    2026-01-26
  • 回流治具
    回流治具_北京砺睿微电子科技有限公司_202511650612.X
    本申请公开了一种回流治具，涉及半导体领域。一种回流治具，包括：可相对扣合的第一盖板、第二盖板，以及多个压件；所述第一盖板设有第一窗口，所述第二盖板设有与所述第一窗口相对设置的第二窗口；多个所述压件分布于所述第一窗口及所述第二窗口中至少一者的...
    2026-01-26
  • 键合装置、方法及存储介质
    键合装置、方法及存储介质_拓荆键科(海宁)半导体设备有限公司_202410733025.6
    本发明提供了键合装置、方法及存储介质。所述键合装置包括第一吸盘、第二吸盘及控制器。所述第一吸盘包括吸附部和反光部。所述吸附部位于所述第一吸盘的中心区域。所述反光部环绕所述吸附部的边缘。所述第二吸盘用于吸附待键合的第二样品。所述控制器连接光源...
    2026-01-26
  • 一种半导体封装用的芯片贴装工艺
    一种半导体封装用的芯片贴装工艺_江苏纳沛斯半导体有限公司_202511233708.6
    本发明公开了一种半导体封装用的芯片贴装工艺，包括以下步骤：S1、对基板的芯片贴装区域进行表面清洗活化处理；S2、通过印刷工艺将粘接材料涂覆于所述芯片贴装区域，形成面积小于待贴装芯片面积的胶体图案；S3、对所述胶体图案进行预热或预固化处理，使...
    2026-01-26
  • 检测方法、装置、设备、介质及程序产品
    检测方法、装置、设备、介质及程序产品_北京超弦存储器研究院_202410732697.5
    本公开涉及一种检测方法、装置、设备、介质及程序产品。所述方法包括获取标准半导体产品上量测区域内预设宽度的对准图形的基准偏移量‑倾斜度关联关系；获取待测半导体产品的当前偏移量‑倾斜度关联关系；根据基准偏移量‑倾斜度关联关系、当前偏移量‑倾斜度...
    2026-01-26
  • 晶圆检测方法
    晶圆检测方法_上海光通信有限公司_202410742134.4
    本发明提供了一种晶圆检测方法，包括提供包括若干制程模组的半导体机台，每个制程模组均包括多个制程单元；利用半导体机台对晶圆执行半导体工艺，每个制程模组分别执行半导体工艺中的一个制程，每个制程单元分别对一个晶圆执行相应的制程；当制程单元经过的晶...
    2026-01-26
  • 半导体装置及其检测方法
    半导体装置及其检测方法_华邦电子股份有限公司_202410914612.5
    本发明提供一种半导体装置及其检测方法。检测方法包括施加控制信号至形成于基板中的第一开口式硅穿孔；写入数据信号至形成于基板中的第二开口式硅穿孔，其中第二开口式硅穿孔的底部具有掺杂区；从第二开口式硅穿孔读取输出信号；以及根据输出信号判断第二开口...
    2026-01-26
  • 边缘形状测定装置和边缘形状测定方法
    边缘形状测定装置和边缘形状测定方法_不二越机械工业株式会社_202510650265.4
    本发明提供边缘形状测定装置和边缘形状测定方法，能够准确地测定晶片的边缘形状而无需在位移传感器的扫描时进行焦点对准。其特征在于，具有测定平板状的晶片(W)的边缘形状的位移传感器(12)，位移传感器(12)构成为，以晶片(W)的内部的规定的点为...
    2026-01-26
  • 用于检测半导体结构中的裂纹的设备
    用于检测半导体结构中的裂纹的设备_意法半导体国际公司_202510721803.4
    本公开的实施例涉及用于检测半导体结构中的裂纹的设备。用于检测电子芯片中的裂纹的裂纹检测设备包括：第一导电线，该第一导电线用于检测位于半导体衬底内部和/或顶部上的半导体结构中的裂纹，互连结构，该互连结构被耦合到半导体结构的第一表面。第一导电线...
    2026-01-26
  • 一种用于半导体设备的温度校准方法
    一种用于半导体设备的温度校准方法_江苏天芯微半导体设备有限公司_202510743071.9
    本发明提供一种用于半导体设备的温度校准方法，包括以下步骤：S1、获得参照腔体在第n对比工艺温度Tn下的对比能量密度En；并获得在该工艺温度Tn下参照腔体的工艺结果；S2、根据该工艺结果，获取工艺腔体达到相同工艺结果所需第n工艺温度tn；获得...
    2026-01-26
  • 半导体工艺腔室、水平度和/或对中性的检测方法、半导体加工设备和存储介质
    半导体工艺腔室、水平度和/或对中性的检测方法、半导体加工设备和存储介质_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511122352.9
    本发明涉及半导体加工技术领域，具体涉及一种半导体工艺腔室、水平度和/或对中性的检测方法、半导体加工设备和存储介质。所提供的半导体工艺腔室，包括：腔体，所述腔体内设有被测物体；多组测距传感器，设于腔体的内侧壁，多组所述测距传感器沿着腔体的高度...
    2026-01-26
  • 光伏组件膜带检测方法、系统、装置和计算机设备
    光伏组件膜带检测方法、系统、装置和计算机设备_通威太阳能(盐城)有限公司_202511141603.8
    本申请涉及一种光伏组件膜带检测方法、系统、装置、计算机设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：获取待检测的光伏组件的结构信息；光伏组件包括多个电池片、以及设置于相邻电池片之间的反光膜带；在光伏组件到达光照设备的辐照区域的情况...
    2026-01-26
  • 基于Hermite插值的动态overlay补偿量测效率提高方法
    基于Hermite插值的动态overlay补偿量测效率提高方法_上海芯无双仿真科技有限公司_202511159419.6
    本发明提供基于Hermite插值的动态overlay补偿量测效率提高方法，涉及半导体芯片制造技术领域，采用通过部分量测结合二维Hermite插值技术，显著突破了传统overlay控制中全量测的效率瓶颈，传统方法需对晶圆所有射点进行量测，耗时...
    2026-01-26
  • 一种晶元芯片生产用自动检测设备
    一种晶元芯片生产用自动检测设备_天津蓝海智能科技有限公司_202511191232.4
    本发明公开了一种晶元芯片生产用自动检测设备，涉及芯片检测技术领域。该晶元芯片生产用自动检测设备，包括：检测仓，所述检测仓的内部装配有具有定位作用的定位探头，所述检测仓的内部装配有由线性电机一驱动的移动杆一；检测探头，所述检测探头装配在移动杆...
    2026-01-26
  • 一种MLED阵列检测探针卡及制备方法
    一种MLED阵列检测探针卡及制备方法_湖北光谷实验室_202511227263.0
    本发明属于探针卡领域，公开了一种MLED阵列检测探针卡及制备方法。其制备方法包括：(1)选用带有绝缘层的硅基衬底，在绝缘层表面制备预设图案的光刻胶掩膜；在光刻胶掩膜上进行绝缘层的图形转移，随后进行深硅刻蚀，形成目标图案的刻蚀结构；在刻蚀结构...
    2026-01-26
  • 一种封装后半导体芯片双面快速检测设备
    一种封装后半导体芯片双面快速检测设备_深圳市弘辽科技有限公司_202511286521.2
    本发明涉及芯片检测领域，尤其涉及一种封装后半导体芯片双面快速检测设备。本发明提供一种能够自动输送并夹持芯片翻面连续进行双面检测，无需停机上料，提高检测的稳定性和效率的封装后半导体芯片双面快速检测设备。一种封装后半导体芯片双面快速检测设备，包...
    2026-01-26
  • 部分地布置到沟槽中的栅极层
    部分地布置到沟槽中的栅极层_德克萨斯仪器股份有限公司_202511303102.5
    本申请公开了一种部分地布置到沟槽中的栅极层。根据一些示例，一种系统包括具有外表面(100)的衬底层(65)。该系统包括多个沟槽(90、92、94、96)，该多个沟槽从外表面延伸进入衬底层。该系统然后包括多个有源区(102、104、106)，...
    2026-01-26
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