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最新专利技术
  • 供给高输出RF电力的方法及装置
    供给高输出RF电力的方法及装置_株式会社多元美达克斯_202380097356.9
    本发明公开一种供给高输出RF(Radio Frequency)电力的方法及装置。根据本公开的一实施例，一种供给高输出RF电力的装置，可包括：LLRF(Low Level Radio Frequency低电平射频)模块，其向第一电力放大器供给...
    2025-11-22
  • 印刷基板以及电力转换装置
    印刷基板以及电力转换装置_三菱电机移动出行株式会社_202380097165.2
    得到一种印刷基板以及电力转换装置，能够防止因异常时的过电流等导致的保险丝熔断后的保险丝端子间的短路或绝缘不良。印刷基板(10)包括：具有通孔(3a)的基板(2)；以及保险丝(1)，其配置成与通孔(3a)相对且经由连接端子(1b)安装至该基板...
    2025-11-22
  • 印刷电路板及印刷电路板的制备方法
    印刷电路板及印刷电路板的制备方法_新华三技术有限公司_202480000618.X
    本申请提供一种印刷电路板及印刷电路板的制备方法。印刷电路板包括主体层。主体层包括多个层叠设置的绝缘膜层，相邻所述绝缘膜层的介电常数不同；所述主体层设有贯穿所述主体层的通孔，所述通孔包括贯穿各所述绝缘膜层的过孔；相邻两个所述绝缘膜层中，其中一...
    2025-11-22
  • 传输电路基板和层叠膜
    传输电路基板和层叠膜_AGC株式会社_202480023590.1
    本发明提供一种即使在高频频带下传输损失也小且电气特性优异的传输电路基板和构成该传输电路基板的层叠膜。一种传输电路基板，其中，第1层叠膜、金属图案层和第2层叠膜依次层叠，所述第1层叠膜中，包含四氟乙烯类聚合物的第1树脂层、聚酰亚胺层、包含四氟...
    2025-11-22
  • 包括可变形印刷电路板的电子装置
    包括可变形印刷电路板的电子装置_三星电子株式会社_202480026586.0
    根据实施例的电子装置包括：第一壳体；第二壳体；铰链结构，可移动地联接第一壳体和第二壳体；以及第一印刷电路板，具有根据第二壳体相对于第一壳体的移动而可变形的至少一部分，其中第一印刷电路板包括：第一导电层；布置在第一导电层上的第二导电层；从第一...
    2025-11-22
  • 树脂多层基板以及电路模块
    树脂多层基板以及电路模块_株式会社村田制作所_202480026901.X
    树脂多层基板(1)具备：至少一层树脂绝缘层(10)；第1导体层(20)，层叠在树脂绝缘层(10)；第2导体层(30)，在与第1导体层(20)相反侧层叠在树脂绝缘层(10)；以及层间连接导体(40)，设置为在第1导体层(20)和第2导体层(3...
    2025-11-22
  • 用于电子部件的防潮性承载带和盖
    用于电子部件的防潮性承载带和盖_霍尼韦尔国际公司_202480020669.9
    提供了用于封装产品诸如电子设备的部件的多层封装件，并且这些多层封装件特别适用于制造承载带。这些封装件包括容器部件和至少一个覆盖件部件，该容器部件和至少一个覆盖件部件中的每一者包含氟聚合物(含氟聚合物)层。多层容器膜被成型为包括从一个或两个平...
    2025-11-22
  • 气冷紧凑型功率系统
    气冷紧凑型功率系统_马雷尔动力解决方案股份有限公司_202480020893.8
    一种装置，具有汇流条、热管和设备，该设备具有金属结构、金属元件和晶体管。金属结构可以包括平坦且相对面向的第一表面和第二表面。金属元件可以包括平坦且相对面向的第一表面和第二表面。晶体管可以包括第一端子和第二端子，当该晶体管被激活时，电流在该第...
    2025-11-22
  • 逆变器装置
    逆变器装置_LS电气株式会社_202480023511.7
    本发明公开一种逆变器装置。本发明一方面的逆变器装置可以包括：电力转换模块，构成为将直流电源和交流电源中的任一方转换为另一方；冷却模块，构成为与所述电力转换模块结合，接收所述电力转换模块产生的热；以及盖构件，容纳所述电力转换模块，与所述冷却模...
    2025-11-22
  • 电气设备
    电气设备_株式会社自动网络技术研究所_202480026044.3
    电气设备(1)具备：发热元件；汇流条(20)，与发热元件连接；及保持部件(10)，保持发热元件和汇流条(20)，汇流条(20)具备：导体部(CP)；及绝缘部件(NP)，具有比导体部(CP)高的辐射率，覆盖导体部(CP)的外表面的至少一部分，...
    2025-11-22
  • 一种基于定位特征间隙宽度的分配体积调整
    一种基于定位特征间隙宽度的分配体积调整_伊利诺斯工具制品有限公司_202480024757.6
    一种利用分配系统在电子基板上沉积材料的方法包括：获取第一部件的第一特征和第二部件的相邻第二特征的图像；执行测量命令以测量第一部件的第一特征与第二部件的第二特征之间的间隙的实际距离；将间隙的长度分割成多个段，以基于间隙宽度确定每个段的间隙宽度...
    2025-11-22
  • 双通道单一内栅极三维(3D)动态随机存取存储器(DRAM)装置
    双通道单一内栅极三维(3D)动态随机存取存储器(DRAM)装置_应用材料公司_202480027233.2
    一种存储器单元阵列包括：在第一方向上堆叠的多个存储器层级，多个存储器层级中的每一者包括单元晶体管及电连接至漏极区域的单元电容器，该单元晶体管具有电连接至在第一方向上延伸的位线的源极区域、漏极区域、字线层、电连接至源极区域及漏极区域并在第一方...
    2025-11-22
  • 形成微电子装置的方法和相关微电子装置、存储器装置和电子系统
    形成微电子装置的方法和相关微电子装置、存储器装置和电子系统_美光科技公司_202480023304.1
    一种形成微电子装置的方法包含形成第一组合件，所述第一组合件包含半导体基底结构、第一电路系统区和第二电路系统区，所述第一电路系统区包含所述半导体基底结构的第一边界处的第一装置，所述第二电路系统区包含所述半导体基底结构的从所述第一边界竖直地偏移...
    2025-11-22
  • 具有不同宽度支撑柱结构的三维存储器设备及其制造方法
    具有不同宽度支撑柱结构的三维存储器设备及其制造方法_桑迪士克科技股份有限公司_202480024149.5
    一种形成三维存储器设备的方法包括：形成绝缘层和牺牲材料层的交替堆叠；穿过该交替堆叠形成存储器开口；在该存储器开口中形成存储器开口填充结构；穿过该交替堆叠形成第一支撑开口和第二支撑开口；横向扩展该第一支撑开口而不扩展该第二支撑开口；分别在该横...
    2025-11-22
  • 具有包含局部互连件的半导体柱的外围电路及其形成方法
    具有包含局部互连件的半导体柱的外围电路及其形成方法_桑迪士克科技股份有限公司_202480022257.9
    一种设备结构包括第一场效应晶体管、第二场效应晶体管和局部互连结构。该局部互连结构包括接触第一场效应晶体管的有源区域的顶表面的第一半导体柱结构、接触第一半导体柱结构的顶表面的金属结构、以及接触第二场效应晶体管的电节点的第二半导体柱结构。
    2025-11-22
  • 存储元件
    存储元件_株式会社半导体能源研究所_202480025762.9
    提供一种占有面积得到减小的存储元件。作为与一种存储元件的SOT‑MTJ元件(自旋轨道转矩磁隧道结元件)连接的晶体管，使用纵向沟道型晶体管。通过使用纵向沟道型晶体管，可以减小存储元件的占有面积。另外，通过将氧化物半导体用于纵向沟道型晶体管的沟...
    2025-11-22
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_株式会社半导体能源研究所_202480019929.0
    本发明提供一种包括通态电流大的晶体管的半导体装置。该半导体装置包括晶体管及第一绝缘层。晶体管包括半导体层、第一导电层及第二导电层。第一绝缘层位于第一导电层上。第二导电层位于第一绝缘层上。第一绝缘层包括到达第一导电层的第一开口。第二导电层在与...
    2025-11-22
  • 半导体集成电路装置
    半导体集成电路装置_株式会社索思未来_202480022372.6
    在半导体集成电路装置中，包括连接在VSS与输出端子(PAD)之间的晶体管(N1)的输出晶体管部(30N)包括具有作为沟道的纳米片(32)的有源区域(31)。电源布线(25)及输出布线(26)以俯视时与有源区域(31)重叠的方式布置在晶体管(...
    2025-11-22
  • 用于具有中间介电隔离层的互补式场效晶体管的改善的材料及方法
    用于具有中间介电隔离层的互补式场效晶体管的改善的材料及方法_应用材料公司_202480027262.9
    本揭示的实施例有利地提供半导体装置，特定言之提供CFET，以及制造此类装置的方法，该等装置具有完全应变的超晶格结构并且沟道层实质上不含缺陷且释放层经保护以在移除中间牺牲层期间免遭材料损耗。本文所描述的CFET包含基板上的竖直堆叠的超晶格结构...
    2025-11-22
  • 用于互补场效应晶体管的多阈值电压整合方案
    用于互补场效应晶体管的多阈值电压整合方案_应用材料公司_202480027270.3
    描述了制造电子器件的方法。本公开的实施例有利地提供了制造电子器件(例如，互补场效应晶体管(CFET))的方法，该电子器件满足减小的厚度、减少的泄漏、较低的热预算、及Vt要求(包括多Vt)，并且具有改进的器件效能及可靠性。方法的一些实施例包括...
    2025-11-22
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