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最新专利技术
  • 一种机车车顶高压部件运行状态智能监测装置
    一种机车车顶高压部件运行状态智能监测装置_北京启辰智达科技有限公司_202511232206.1
    本发明涉及机车状态异常监测技术领域， 尤其涉及一种机车车顶高压部件运行状态智能监测装置， 包括若干高速摄像头， 用以对机车车顶高压部件进行视频采集；交换机， 与若干所述高速摄像头相连；图像处理模块， 与所述交换机相连；调节模块， 与若干所述...
    2026-01-16
  • 变压器局部放电定位方法、系统、电子设备及存储介质
    变压器局部放电定位方法、系统、电子设备及存储介质_江西水利电力大学_202511249625.6
    本申请涉及电力设备监测的技术领域， 具体公开了一种变压器局部放电定位方法、系统、电子设备及存储介质， 方法包括获取初始超声信号， 并对初始超声信号进行降噪处理得到目标超声信号；对目标超声信号分别进行一阶求导及二阶求导得到能量算子值， 并根据...
    2026-01-16
  • 一种半导体激光器的老化筛选测试系统及测试方法
    一种半导体激光器的老化筛选测试系统及测试方法_中国电子科技集团公司第四十八研究所_202510826124.3
    本发明公开了一种半导体激光器的老化筛选测试系统及测试方法， 测试系统包括单片机、恒流源驱动单元、TEC温度控制单元、高低温环境箱、数据采集单元、工控机和显示单元；待测激光器安装于所述高低温环境箱内；所述单片机通过恒流源驱动单元和TEC温度控...
    2026-01-16
  • 一种氮化镓功率器件阈值电压监测电路
    一种氮化镓功率器件阈值电压监测电路_西南交通大学_202510853725.3
    本发明公开了一种氮化镓功率器件阈值电压监测电路， 包括恒流源输出模块和电压采样模块， 恒流源输出模块的输入端与供电电源连接， 其输出端分别与氮化镓功率器件的栅极和漏极连接， 电压采样模块分别与氮化镓功率器件的栅极和源极连接， 氮化镓功率器件...
    2026-01-16
  • 表面安装功率MOSFET老炼装置及方法
    表面安装功率MOSFET老炼装置及方法_济南晶恒电子有限责任公司_202510868993.2
    本发明涉及半导体器件可靠性测试技术领域， 具体为一种表面安装功率MOSFET老炼装置及方法， 包括：安装基板， 安装基板前板面上设有用以放置表面安装功率MOSFET的容槽， 容槽槽底的上部设有贯穿安装基板的穿槽；安装基板后端固定设有散热铜板...
    2026-01-16
  • 基于双极型线圈的压接型IGBT器件的电流测量方法及装置
    基于双极型线圈的压接型IGBT器件的电流测量方法及装置_华北电力大学_202510890172.9
    本发明提供了一种基于双极型线圈的压接型IGBT器件的电流测量方法及装置， 涉及电气工程技术领域， 该方法包括：在待测压接型IGBT器件的外侧套设滑轨， 其中， 滑轨包括滑道和嵌装在滑道上的至少两个滑动装置；将双极型线圈组固定设置在至少两个滑...
    2026-01-16
  • 压接型IGBT器件的电流分布状态测量方法及装置
    压接型IGBT器件的电流分布状态测量方法及装置_华北电力大学_202510890212.X
    本发明提供了一种压接型IGBT器件的电流分布状态测量方法及装置， 涉及电气工程技术领域， 该方法包括：在待测压接型IGBT器件的外侧套设旋转环；将双极型线圈组固定设置在旋转环上， 双极型线圈组的两个双极型线圈相对设置；将旋转环与传送带的一侧...
    2026-01-16
  • 一种倒装型LED芯片电致发光性能无损伤检测装置及方法
    一种倒装型LED芯片电致发光性能无损伤检测装置及方法_严群_202510908682.4
    本发明涉及一种倒装型LED芯片电致发光性能无损伤检测装置及方法， 属于LED检测技术领域。所述包括外部控制电源、带有电极阵列和沟道结构的测试板、软性导电介质材料、采集待测LED芯片光电参数的探测系统；LED芯片的电极通过软性导电介质材料与测...
    2026-01-16
  • 一种半导体实验室样品测试管控系统及方法
    一种半导体实验室样品测试管控系统及方法_江苏道达智能科技有限公司_202510970469.6
    本发明公开了一种半导体实验室样品测试管控系统及方法， 涉及半导体技术领域， 本发明包括：设备管理模块、样品管理模块、测试管理模块和测试分析模块。分析半导体在实验室样品测试过程中的各样品的运行符合指数， 判断样品是否存在异常状态， 若五异常状...
    2026-01-16
  • 一种晶圆测试设备及测试方法
    一种晶圆测试设备及测试方法_武汉光谷信息光电子创新中心有限公司_202511025769.3
    本申请涉及一种晶圆测试设备， 包括：电测试组件， 其设置在安装架上， 包括伸缩件， 所述伸缩件的固定端设有探针盘， 所述探针盘上设有多个与待测晶圆芯片的电极焊盘一一对应的探针， 所述探针盘上且位于探针之间设有多个通孔， 所述伸缩件的伸缩端设...
    2026-01-16
  • 一种基于组合观测器的并网逆变器IGBT故障诊断方法及系统
    一种基于组合观测器的并网逆变器IGBT故障诊断方法及系统_中国长江电力股份有限公司_202511204901.7
    本发明公开了一种基于组合观测器的并网逆变器IGBT故障诊断方法及系统， 旨在提高逆变器系统对开关器件故障的诊断鲁棒性和精度， 首先建立光伏并网逆变器的状态空间模型， 考虑逆变器电感电流、滤波电容电压、电网电感电流以及包括IGBT故障效应的总...
    2026-01-16
  • 一种PCS功率器件健康状态无创监测方法
    一种PCS功率器件健康状态无创监测方法_华北电力大学(保定)_202511213235.3
    本发明公开一种PCS功率器件健康状态无创监测方法， 包括：建立包含功率器件导通损耗与开关损耗的动态损耗模型；建立按功率器件数量与位置分布的多维老化分类框架；采用双路径验证机制分析老化对损耗特性的影响：通过实测数据校准将动态损耗模型的计算结果...
    2026-01-16
  • 一种功率循环试验中自动穿插静态特性测试的试验方法
    一种功率循环试验中自动穿插静态特性测试的试验方法_鲁欧智造(山东)数字科技有限公司_202511269324.X
    本发明涉及功率循环试验技术领域， 具体为一种功率循环试验中自动穿插静态特性测试的试验方法， 包括以下步骤：步骤一：对被测样品进行功率循环测试， 判断老化程度；并统计功率循环测试的循环数；步骤二， 判断功率循环测试的循环数是否达到预设值N， ...
    2026-01-16
  • 一种晶圆超声检测方法及设备
    一种晶圆超声检测方法及设备_物元半导体技术(青岛)有限公司_202511024458.5
    本申请提供一种晶圆超声检测方法及设备， 其中， 晶圆超声检测方法包括：沿二维螺旋路径对整个晶圆进行全局超声扫描， 获得若干初测回波信号构成全局回波信号组， 记录初测回波信号的位置坐标；基于全局回波信号组确定嫌疑气泡区域；嫌疑气泡区域至少存在...
    2026-01-16
  • 一种基于电路参数监控的自值守辅助系统和方法
    一种基于电路参数监控的自值守辅助系统和方法_武汉大学_202510817046.0
    本发明提供一种基于电路参数监控的自值守辅助系统和方法， 涉及甚低频波动探测和应用技术领域。该系统包括至少三个单片机监控模块， 每个单片机监控模块包括参数采集接口、控制输出接口、显示接口和通信接口；参数采集接口连接至所监控的目标设备， 用于采...
    2026-01-16
  • 一种电路输出信号同步性测试方法及相关设备
    一种电路输出信号同步性测试方法及相关设备_中国运载火箭技术研究院_202510825098.2
    本发明公开了一种电路输出信号同步性测试方法及相关设备， 其中， 自动测试设备包括数据处理单元和时间测量单元， 时间测量单元包括计数器， 待测器件上的待测管脚通过总线与数据处理单元进行信号传输， 先根据待测器件的时钟信号的时钟周期确定时间测量...
    2026-01-16
  • 一种探针卡与晶圆引脚接触高度自动检测系统和方法
    一种探针卡与晶圆引脚接触高度自动检测系统和方法_张芬_202510826502.8
    本发明公开了一种探针卡与晶圆引脚接触高度自动检测系统及方法。系统包括测试机、探针台和探针卡， 测试机控制探针台驱动件带动承接盘沿Z轴移动。检测方法为：先以较大步长B1上升承接盘， 每步进行接触检测；上升至高度H后切换为较小步长B2继续检测。...
    2026-01-16
  • 故障定位系统、方法、电子设备及空调器
    故障定位系统、方法、电子设备及空调器_广东美的暖通设备有限公司_202510899901.7
    本发明公开了一种故障定位系统、方法、电子设备及空调器， 其中， 故障定位系统应用于电子设备， 电子设备包括多个电路板， 故障定位系统包括：可控开关， 可控开关设置在多个电路板中的首个电路板上， 可控开关的一端适于输入预设电信号；检测线， 检...
    2026-01-16
  • 半导体测试结构及测试方法
    半导体测试结构及测试方法_广州增芯科技有限公司_202510901478.X
    本申请提供一种半导体测试结构及测试方法， 半导体测试结构包括：器件区， 器件区包括呈m*n阵列布置的多个测试器件；测试器件包括并列设置的第一晶体管和第二晶体管， 第一晶体管和第二晶体管分别包括源区、漏区、栅极及基体， 第一晶体管的源区和第二...
    2026-01-16
  • 一种片上EOS事件监测装置及系统
    一种片上EOS事件监测装置及系统_屹世半导体(上海)有限公司_202510902051.1
    本申请提供一种片上EOS事件监测装置及系统， 涉及IC芯片技术领域。本申请通过将目标芯片在待监测电压域下的多个芯片PAD经多个源跟随器和分压电路与EOS事件识别单元的第一识别输入端连接， 由EOS事件识别单元基于第一识别输入端处的实际输入电...
    2026-01-16
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