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最新专利技术
  • 一种中波数字广播发射机
    一种中波数字广播发射机_陕西如意广播电视设备有限公司_202511076829.4
    本发明公开了一种中波数字广播发射机，具体涉及广播发射机领域，包括底框架，所述底框架的前后端分别设置有前端板和后端板，所述底框架的顶部设置有盖板，所述底框架两侧边的上下两侧位置处均向内凹陷形成凹面槽，所述凹面槽的一侧固定有固定框，上下两个所述...
    2025-11-01
  • 一种无线电测试系统用故障检测方法
    一种无线电测试系统用故障检测方法_陕西信泰航空技术股份有限公司_202511074374.2
    本发明涉及数据处理技术领域，具体涉及一种无线电测试系统用故障检测方法，包括：在无线电设备通信过程中，根据当前时刻与之前若干时刻的通信频率大小，以及相邻时刻的通信频率差异，确定当前时刻的无线电设备通信稳定性，根据当前时刻与之前若干时刻的陀螺仪...
    2025-11-01
  • 一种面向卫星通信的量子安全通信方法、电子设备、介质
    一种面向卫星通信的量子安全通信方法、电子设备、介质_之江实验室_202511072546.2
    本发明公开了一种面向卫星通信的量子安全通信方法、电子设备、介质，包括：卫星客户端基于QUIC协议向地面服务端发送握手消息，地面服务端响应握手消息，从而完成握手。卫星客户端基于DTLS协议向地面服务端发送握手消息，地面服务端响应握手消息，使得...
    2025-11-01
  • 一种基于全同态加密的声纹验证方法、装置、设备及介质
    一种基于全同态加密的声纹验证方法、装置、设备及介质_泉州职业技术大学_202511074820.X
    本发明涉及计算机技术领域，提供一种基于全同态加密的声纹验证方法、装置、设备及介质，方法包括第一服务器接收经过公钥加密的密文测试i‑vector特征向量和密文注册i‑vector特征向量，第二服务器接收公私钥对；根据接收的密文测试i‑vect...
    2025-11-01
  • 一种单片机的数据传输方法
    一种单片机的数据传输方法_临海市新睿电子科技股份有限公司_202511073858.5
    本申请涉及一种单片机的数据传输方法，一种单片机的数据传输方法包括向4G通信模块发送拨号指令，当4G通信模块基于接收到的拨号指令而切换至点对点协议数据模式时，基于LwIP协议栈构建点对点协议会话，基于点对点协议会话，执行协商操作；若协商操作协...
    2025-11-01
  • 高鲁棒性的数据实时同步方法、系统、存储介质及电子设备
    高鲁棒性的数据实时同步方法、系统、存储介质及电子设备_广东省城乡规划设计研究院科技集团股份有限公司_202511072297.7
    本发明提供一种高鲁棒性的数据实时同步方法、系统、存储介质及电子设备，涉及数据同步技术领域，通过引入混合时间戳、分片增量校验和计算、采用基于消息队列的可靠传输机制与幂等处理协议，能够显著降低不同系统间的数据同步延迟，实现近乎实时的信息共享；同...
    2025-11-01
  • 多电荷耦合器件拼接宽幅相机在轨辐射定标方法
    多电荷耦合器件拼接宽幅相机在轨辐射定标方法_中国科学院空天信息创新研究院_202511071915.6
    本发明提供了一种多电荷耦合器件拼接宽幅相机在轨辐射定标方法，包括：获取具有多个电荷耦合器件的宽幅相机过境定标场时得到的拼接遥感图像数据；确定任意一个电荷耦合器件的绝对辐射定标系数作为参考电荷耦合器件，与参考电荷耦合器件的遥感图像数据有重叠区...
    2025-11-01
  • 一种水稻秧盘视觉定位装置
    一种水稻秧盘视觉定位装置_扬州大学_202511076472.X
    本发明公开了智能化农业机械领域内的一种水稻秧盘视觉定位装置，包括两个基座和两个仿生眼机构，仿生眼机构包括仿生眼球、眼眶和仿生肌肉组件，仿生眼球前部设有微型摄像头，仿生肌肉组件包括上柔性绳、下弹性绳、左弹性绳和右柔性绳，上柔性绳一端与仿生眼球...
    2025-11-01
  • 一种麦克风低噪声模拟前端AFE电路
    一种麦克风低噪声模拟前端AFE电路_成都能海昇芯科技有限责任公司_202511073556.8
    本发明公开了一种麦克风低噪声模拟前端AFE电路，属于麦克风技术领域。包括麦克风等效模型电路，所述麦克风等效模型电路的输出端连接运算放大器AMP1的正输入端；所述运算放大器AMP1与两个电阻形成负反馈；所述运算放大器AMP1包括运算放大器输入...
    2025-11-01
  • 发声装置和电子设备
    发声装置和电子设备_歌尔股份有限公司_202511074198.2
    本发明公开了一种发声装置和电子设备，涉及电声换能技术领域，其中，发声装置包括壳体、沿第一方向安装于壳体两侧的第一发声单体和第二发声单体，第一发声单体和第二发声单体之间形成有前音腔，壳体开设有与前音腔相连通的出音孔；第一振动系统对应前音腔设置...
    2025-11-01
  • 基于无线适配器的音频输出路径切换方法、无线适配器及音频输出路径切换系统
    基于无线适配器的音频输出路径切换方法、无线适配器及音频输出路径切换系统_深圳市丰禾原电子科技有限公司_202511078874.3
    本申请公开了一种基于无线适配器的音频输出路径切换方法、无线适配器及音频输出路径切换系统，该音频输出路径切换方法包括：检测与其无线连接的蓝牙设备的连接状态和佩戴状态；当检测到蓝牙设备处于断开连接或未佩戴状态时，无线适配器向主机设备发送第一控制...
    2025-11-01
  • 一种高电流密度IGBT器件
    一种高电流密度IGBT器件_浙江翠展微电子有限公司_202511072827.8
    一种高电流密度IGBT器件，其包括P型集电区，N型漂移区，P型基区，N型发射区，栅极沟槽，发射极沟槽，绝缘介质层，以及发射极金属。在平行于器件表面的方向上，所述栅极沟槽呈连续的弓字形弯折结构并沿水平方向延伸，所述发射极沟槽位于相邻的两个栅极...
    2025-11-01
  • 一种半导体芯片的制造方法
    一种半导体芯片的制造方法_弘润半导体(苏州)有限公司_202511074637.X
    本发明公开了一种半导体芯片的制造方法，涉及芯片制造领域，包括，选择晶圆进行沉积，在晶圆沉积的过程中采集沉积数据，并输入预构建的薄膜沉积优化模型，得到双层结构的晶圆，对双层结构的晶圆进行涂覆后定义引导模板，随后进行表面化学修饰并将PS圆柱嵌入...
    2025-11-01
  • 一种SiC MOSFET器件及其制备方法
    一种SiC MOSFET器件及其制备方法_旭矽半导体(上海)有限公司_202511074849.8
    本发明公开了一种SiC MOSFET器件及其制备方法，应用于半导体技术领域，该器件中外延硅片上半部分中通过注入自下而上形成有P体区和N型有源区；N型有源区的上表面向下刻蚀有源极沟槽，源极沟槽的下表面伸入外延硅片中未被注入的区域；源极填充于源...
    2025-11-01
  • 具有高K栅介质层和金属栅电极的金属氧化物半导体场效应晶体管
    具有高K栅介质层和金属栅电极的金属氧化物半导体场效应晶体管_杭州谱析光晶半导体科技有限公司_202511073023.X
    本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了具有高K栅介质层和金属栅电极的金属氧化物半导体场效应晶体管，所述的金属氧化物半导体场效应晶体管由若干个相互并列的MOS元胞组成，单个所述MOS元胞包括漏极、半导体外延层、源极、栅极以及栅氧化层，所述栅...
    2025-11-01
  • 一种硅基太阳能电池及其制备方法
    一种硅基太阳能电池及其制备方法_深圳众诚达应用材料股份有限公司_202511074206.3
    本申请涉及太阳能电池技术领域，提供了一种硅基太阳能电池及其制备方法，制备方法包括：提供硅基太阳能电池前驱体；在硅基太阳能电池前驱体表面上制备透明导电层，且透明导电层含有多条相互平行的线型凹槽；在凹槽底部制备钝化层；在透明导电层表面上制备金属...
    2025-11-01
  • 太阳能电池及光伏组件
    太阳能电池及光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202511080438.X
    本公开涉及光伏领域，提供一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括基底、多个第一栅线和多个第二栅线，基底包括中间区以及位于中间区在第一方向相对两侧的边缘区；在沿第一方向上，位于边缘区上的第一栅线的宽度大于位于中间区上的第一栅线的宽度；第二栅线...
    2025-11-01
  • 一种发光二极管外延结构及其制备方法
    一种发光二极管外延结构及其制备方法_江西兆驰半导体有限公司_202511071987.0
    本发明涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种发光二极管外延结构及其制备方法。所述发光二极管外延结构，包括依次设置的衬底、h‑BN/O2层、低温GaN缓冲层、N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层；本发明通过在异质衬底和G...
    2025-11-01
  • 一种氮化物微型共振腔发光二极管芯片的制备方法及芯片
    一种氮化物微型共振腔发光二极管芯片的制备方法及芯片_北京大学_202511077416.8
    本发明属于微型发光二极管显示技术领域，提供了一种氮化物微型共振腔发光二极管芯片的制备方法及芯片，方法包括：第一分布式布拉格反射镜阵列单元制备、选区外延生长、氮化物发光二极管外延结构制备、P型透明电极层蒸镀、第二分布式布拉格反射镜叠层制备、N...
    2025-11-01
  • 一种发光二极管芯片及其制备方法
    一种发光二极管芯片及其制备方法_江西兆驰半导体有限公司_202511071985.1
    本发明涉及LED的技术领域，本发明公开了一种发光二极管芯片及其制备方法，所述发光二极管芯片包括衬底和层叠于衬底上的外延层；外延层上形成有N型导电台阶和隔离槽；外延层上设置有电流扩展层和防脱落层，防脱落层覆盖所述电流扩展层，防脱落层上形成有贯...
    2025-11-01
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