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最新专利技术
  • 一种高屏蔽性能的信号传输用控制电缆
    一种高屏蔽性能的信号传输用控制电缆_苏州市凯鼎特种电缆有限公司_202510388793.7
    本发明公开了一种高屏蔽性能的信号传输用控制电缆，属于电磁屏蔽材料技术领域，用于解决现有技术中控制电缆的屏蔽性能和抗冲击性能有待进一步提高的技术问题；本发明包括若干根银包铜导线绞合而成的导体层、绝缘层、屏蔽层和外护套层，是通过制备铁钴合金并在...
    2025-12-04
  • 一种抗电磁干扰电力电缆及其制备方法
    一种抗电磁干扰电力电缆及其制备方法_镇江嘉润兴建材有限公司_202510394804.2
    本发明公开了一种抗电磁干扰电力电缆及其制备方法，涉及电缆技术领域。本发明以(4‑乙烯基苯基)甲磺酸钠改性的交联聚乙烯为原料，达到耐腐蚀效果；然后与丙烯酸酯、助剂混合均匀后在高温下进行第一次喷涂，在导体外形成绝缘层，延长电缆的使用寿命；再通过...
    2025-12-04
  • 一种旋转电位器及角度测量装置、角度测量方法
    一种旋转电位器及角度测量装置、角度测量方法_东风电子科技股份有限公司_202510395297.4
    本发明公开了一种旋转电位器及角度测量装置、角度测量方法，涉及角度测量技术领域，所述旋转电位器包括电阻体、第一电刷和第二电刷，所述电阻体中部设有电位器中心轴，所述电阻体的一端用于与电源连接，另一端用于接地，所述第一电刷的一端设于所述电位器中心...
    2025-12-04
  • 一种平面变压器生产用连续化叠层装置
    一种平面变压器生产用连续化叠层装置_湖南力王新能源有限公司_202510395255.0
    本发明公开了一种平面变压器生产用连续化叠层装置，涉及平面变压器技术领域，包括基座，基座中部设置有滑槽，且滑槽两侧位于基座内部设置有滑道，基座上方设置有多组与滑槽、滑道相匹配的叠层工作台，且叠层工作台底部设置有输出机构，叠层工作台内部设置有可...
    2025-12-04
  • 一种线圈固化系统
    一种线圈固化系统_陕西星环聚能科技有限公司_202510395084.1
    本申请提供一种线圈固化系统，用于对设置在密闭容器内的线圈进行固化，所述线圈采用中空导体绕制，所述线圈固化系统包括设置在所述密闭容器外的线圈加热装置和温度传感器，所述线圈加热装置中具有热媒，所述线圈加热装置与所述中空导体的出线端连通，通过控制...
    2025-12-04
  • 一种介电电容及其制备工艺与电力电子设备
    一种介电电容及其制备工艺与电力电子设备_昆山清元电子科技有限公司_202510389516.8
    本发明提供了一种介电电容及其制备工艺与电力电子设备，所述介电电容包括依次层叠设置的基体、Aurivillius化合物薄膜及插齿电极；所述插齿电极包括两个相互交叉的齿电极，所述齿电极包括插齿部分与引脚；所述插齿部分包括插齿连接侧边，及与所述插...
    2025-12-04
  • 一种磁性开关及其控制方法
    一种磁性开关及其控制方法_天津宜科自动化股份有限公司_202510392806.8
    本发明提供了一种磁性开关及其控制方法，方法包括如下步骤：获取当前水平磁场强度检测装置检测的磁场强度，作为当前磁场强度，以及获取当前垂直磁场强度检测装置检测的两个电平状态，分别作为当前第一电平状态和当前第二电平状态；基于所述磁性开关的当前工作...
    2025-12-04
  • 一种大气压光电离快速脱溶剂装置及方法
    一种大气压光电离快速脱溶剂装置及方法_上海交通大学_202510397654.0
    本发明涉及一种大气压光电离快速脱溶剂装置及方法，该装置包括：取样阀，所述取样阀安装在高压反应器的取样管上并可按照预设频率开关；雾化单元，所述雾化单元安装在所述取样阀下游的所述取样管上，用于对样品溶剂进行雾化；以及拉瓦尔喷管，所述拉瓦尔喷管的...
    2025-12-04
  • 化学机械研磨后的清洗方法、系统及存储介质
    化学机械研磨后的清洗方法、系统及存储介质_上海华力集成电路制造有限公司_202510397399.X
    本发明提供了一种化学机械研磨后的清洗方法、系统及存储介质，清洗方法包括：将化学机械研磨后的晶圆放置在夹持单元上；驱动旋转单元转动以带动夹持单元和晶圆共同旋转；向晶圆的表面输送清洗剂；通过控制单元控制刷洗单元重复执行以下步骤SA1‑步骤SA2...
    2025-12-04
  • 一种防止晶圆隐形切割后翘曲的方法
    一种防止晶圆隐形切割后翘曲的方法_宏茂微电子(上海)有限公司_202510395884.3
    本发明涉及晶圆技术领域，具体地说是一种防止晶圆隐形切割后翘曲的方法。包括如下步骤：S1，提供一个晶圆，晶圆表面设有若干纵向切割道、横向切割道；S2，将晶圆背面朝上，正面朝下设置在隐形激光切割机的台面上；S3，通过隐形激光切割机对纵向切割道、...
    2025-12-04
  • 一种高可靠性的高精度多层陶瓷基板的制备方法
    一种高可靠性的高精度多层陶瓷基板的制备方法_江苏富乐华功率半导体研究院有限公司_202510390082.3
    本发明公开了一种高可靠性的高精度多层陶瓷基板的制备方法，涉及多层陶瓷基板技术领域；具体包括以下步骤：S1：陶瓷微孔加工；S2：磁控溅射；S3：溅射陶瓷图形化；S4：丝印填孔；S5：贴箔烧结；S6：金属箔图像蚀刻和对位丝印；S7：多层陶瓷基板...
    2025-12-04
  • 半导体器件的封装方法
    半导体器件的封装方法_新光科技新加坡有限公司_202510389255.X
    本发明提供了一种半导体器件的封装方法，包括：提供基底芯片，基底芯片包括相对的正面和背面；在基底芯片的正面形成若干组间隔设置的光电转换模块，光电转换模块通过通孔连接基底芯片；在相邻光电转换模块之间的基底芯片的正面上形成防护盖，防护盖包括内表面...
    2025-12-04
  • 一种大功率贴片桥封装及其生产工艺
    一种大功率贴片桥封装及其生产工艺_安徽辰达半导体有限公司_202510389021.5
    本发明公开了一种大功率贴片桥封装及其生产工艺，涉及贴片桥封装技术领域，包括外壳，所述外壳的内部设置有多个芯片，每个所述芯片均安装在框架上，每个所述框架上均连接有引脚，所述引脚上电镀有电镀层。所述外壳由环氧树脂胶通过模具注塑形成的。括以下步骤...
    2025-12-04
  • 微凸块的制备方法
    微凸块的制备方法_广东芯成汉奇半导体技术有限公司_202510390674.5
    本发明公开一种微凸块的制备方法，包括如下步骤：S1、在晶圆的硅面设置金属种子层，金属种子层包括叠设第一种子层以及第二种子层，第二种子层的材质为铜；S2、在金属种子层上铺设光刻胶层并形成若干成型孔；S3、在成型孔内依次叠设第一金属层、第二金属...
    2025-12-04
  • 直接混合键合方法
    直接混合键合方法_上海华力集成电路制造有限公司_202510398516.4
    本发明提供一种直接混合键合方法，在电子元件的衬底之上的电介质层中形成第一开口以定义出功能键合键合图形，功能键合图形具有不同的尺寸；以及在电介质层中第一开口周围的空白区域上形成第二开口以定义出伪键合图形，每个第二开口从俯视角度观察，第二开口的...
    2025-12-04
  • 晶圆缺陷检测方法和装置
    晶圆缺陷检测方法和装置_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202510391095.2
    本发明提供了一种晶圆缺陷检测方法和装置，涉及半导体技术领域，所述晶圆缺陷检测方法，包括：对晶圆进行激光扫描，得到所述晶圆上缺陷的第一位置信息和第一尺寸信息；根据所述第一位置信息和所述第一尺寸信息，利用光学显微镜对所述晶圆进行光学扫描以及利用...
    2025-12-04
  • 一种晶圆扩膜装置及晶圆测试设备
    一种晶圆扩膜装置及晶圆测试设备_苏州联讯仪器股份有限公司_202510393933.X
    本发明提供了一种晶圆扩膜装置及晶圆测试设备，涉及晶圆测试技术领域。本发明中在晶圆扩膜装置的结构上新增了卡扣结构，每个卡扣结构具有与第二承载台可转动连接的卡接板，卡接板具有与被测晶圆分离的自由状态以及与被测晶圆的钢环卡接的卡接状态，卡接板设置...
    2025-12-04
  • 浸润式光刻机CTC晶圆自动更换方法和系统
    浸润式光刻机CTC晶圆自动更换方法和系统_上海华力集成电路制造有限公司_202510398547.X
    本发明公开了一种浸润式光刻机CTC晶圆自动更换方法，包括：提供装有新CTC晶圆的FOUP，通过EAP进行下货作业。track机台对新CTC晶圆进行HMDS预处理作业。新CTC晶圆从track机台传送到浸润式光刻机并通过第一指令进行CTC晶圆...
    2025-12-04
  • 键合工艺方法
    键合工艺方法_上海华力集成电路制造有限公司_202510398612.9
    本发明公开了一种键合工艺方法，包括：将第一晶圆放置在键合设备的顶部真空吸盘上，顶部真空吸盘上包括多圈真空吸孔，将顶部真空吸盘的外圈真空吸孔的真空度设置为大于内圈真空吸孔的真空度，以保证第一晶圆的中心内圈呈下沉的形态。进行键合，在键合时，中心...
    2025-12-04
  • 键合片的处理方法及键合片
    键合片的处理方法及键合片_上海新傲芯翼科技有限公司_202510397707.9
    本发明提供一种键合片的处理方法及键合片，所述处理方法包括：提供键合片，所述键合片包括支撑衬底、器件层和埋氧层，所述埋氧层将所述支撑衬底和所述器件层隔离开来，所述支撑衬底的背面形成有氧化层；对键合片执行研磨工艺；以及，对所述键合片进行热氧化处...
    2025-12-04
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