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最新专利技术
  • 线圈结构及绕线方法
    线圈结构及绕线方法_浙江盾安人工环境股份有限公司_202311815292.X
    本申请提供一种线圈结构及绕线方法，涉及电磁线圈技术领域。该线圈结构包括线圈骨架、至少两个线圈和至少一个绝缘层；线圈骨架包括绕设轴和限位部，绕设轴沿自身轴向的两侧均连接有限位部；任意一限位部设有入口槽和/或出口槽；沿绕设轴径向，任意相邻两个线...
    2025-08-12
  • 磁性组件
    磁性组件_台达电子工业股份有限公司_202311805013.1
    本案提供一种磁性组件，包含磁芯组及绕线组，磁芯组包含上磁盖、下磁盖、第一中柱、第二中柱及第一侧柱，下磁盖与上磁盖相对设置，第一中柱设置于上磁盖及下磁盖之间，且与上磁盖的任一侧壁之间具有第一距离，第二中柱设置于上磁盖及下磁盖之间，且与上磁盖的...
    2025-08-12
  • 一种沥青基球形电容炭及其制备方法
    一种沥青基球形电容炭及其制备方法_呼和浩特旭阳中燃能源有限公司_202311827248.0
    本发明公开一种沥青基球形电容炭及其制备方法。本发明的制备方法以选自Pluronic F127、Pluronic P123中的一种或其组合为模板剂，采用模板法与一步炭化活化法制备得到沥青基球形电容炭，通过控制模板剂用量与活化条件，实现对沥青基...
    2025-08-12
  • 一种塑壳断路器
    一种塑壳断路器_河南森源电气股份有限公司_202311809129.2
    本发明属于过负荷保护断路开关领域，特别是涉及一种塑壳断路器。为了解决现有技术中的塑壳断路器中的带离子的电弧气体通过竖直向上的排气通道排出，而塑壳断路器的上方设有其他电器件，导致离子吸附到低压柜内的其他电器件上，造成低压柜的主母线的绝缘被破坏...
    2025-08-12
  • 继电器
    继电器_昆山国力源通新能源科技有限公司_202311807888.5
    本发明公开了一种继电器，包括：辅助触点组以及可上下往复运动的推动杆组，所述辅助触点组包括辅助静触杆和具有弹性的辅助接触片，所述推动杆组外架设有绝缘支架，所述辅助接触片固定于所述绝缘支架，所述辅助接触片设有接触端和开闭结构，所述辅助静触杆的一...
    2025-08-12
  • 半导体工艺设备以及刻蚀方法
    半导体工艺设备以及刻蚀方法_北京北方华创微电子装备有限公司_202311808417.6
    本发明提供一种半导体工艺设备以及刻蚀方法。其中，设备包括等离子体激发装置和工艺腔室：其中，等离子体激发装置包括相互连通的第一子腔、第二子腔和分别与第一子腔和第二子腔连接的第一射频组件和第二射频组件。第一子腔与第一气源连通，第一气源能够向第一...
    2025-08-12
  • 一种边缘进气匀气结构及等离子刻蚀机
    一种边缘进气匀气结构及等离子刻蚀机_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202311814506.1
    本发明公开了一种边缘进气匀气结构及等离子刻蚀机，包括气槽板和多个呈环状布置于气槽板的匀气喷嘴，其中，气槽板用于连通边缘气源和匀气喷嘴；边缘气源通过气槽板设置的进气气路向多个匀气喷嘴提供稳定的工艺气体，并通过设置在匀气喷嘴的喷气气路，以在中心...
    2025-08-12
  • 一种进气匀气结构及等离子刻蚀机
    一种进气匀气结构及等离子刻蚀机_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202311814511.2
    本发明公开了一种进气匀气结构及等离子刻蚀机，包括气槽板和匀气盘，其中，气槽板用于连通边缘气源和匀气盘；边缘气源通过气槽板设置的进气气路向匀气盘提供稳定的工艺气体，并通过设置在匀气盘的匀气气路，以在中心和边缘之间的区域喷射工艺气体。本发明的进...
    2025-08-12
  • 一种边缘进气匀气结构及等离子刻蚀机
    一种边缘进气匀气结构及等离子刻蚀机_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202311819891.9
    本发明公开了一种边缘进气匀气结构及等离子刻蚀机，包括气槽板，多个呈环状布置的匀气喷嘴，以及驱动匀气喷嘴围绕自身轴线转动的驱动组件，其中，气槽板连通边缘气源和匀气喷嘴；边缘气源通过气槽板设置的进气气路向匀气喷嘴的多条喷气气路提供稳定的工艺气体...
    2025-08-12
  • 电极板结构及离子束刻蚀系统
    电极板结构及离子束刻蚀系统_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202311820933.0
    本发明提供一种电极板结构及离子束刻蚀系统，其中电极板结构包括：载片台，可绕所述载片台的中心轴旋转；位于所述载片台内的多个相互独立温度区，多个所述温度区以所述载片台的中心轴呈同心圆形式分布；与各所述温度区连接的调测温装置，用于分别调节各所述温...
    2025-08-12
  • 一种中心进气匀气结构及等离子刻蚀机
    一种中心进气匀气结构及等离子刻蚀机_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202311835169.4
    本发明公开了一种中心进气匀气结构及等离子刻蚀机，包括中心进气盘和中心匀气盘，其中，中心进气盘与中心匀气盘形成中心喷气通路和多条边缘喷气通路，多条边缘喷气通路围绕中心喷气通路布置。本发明的中心进气匀气结构包括中心喷气通路和多条边缘喷气通路，通...
    2025-08-12
  • 一种上部进气匀气结构及等离子刻蚀机
    一种上部进气匀气结构及等离子刻蚀机_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202311839844.0
    本发明公开了一种上部进气匀气结构及等离子刻蚀机，包括中心进气组件和边缘进气组件，其中，所述中心进气组件形成多条中心喷气通路，所述边缘进气组件形成多条边缘喷气通路，多条所述边缘喷气通路围绕所述中心喷气通路布置。与现有技术相比向等离子体反应腔室...
    2025-08-12
  • 串联离子迁移谱仪及离子迁移率分析方法
    串联离子迁移谱仪及离子迁移率分析方法_株式会社岛津制作所_202311822719.9
    本发明涉及离子迁移率分析领域，具体提供了一种串联离子迁移谱仪和离子迁移率分析方法，其中，串联离子迁移谱仪通过在UMA的基础结构中增设离子解离装置，可以实现对目标迁移率范围内的离子以及该离子解离后的碎片离子的离子迁移谱分析，分辨率更高。并且将...
    2025-08-12
  • 半导体结构的制造方法
    半导体结构的制造方法_达尔科技股份有限公司_202311802660.7
    本发明提供了一种半导体结构的制造方法。所述半导体结构的制造方法包括在半导体衬底上方形成磊晶层；在所述磊晶层上方形成第一图案化硬掩膜；通过所述第一图案化硬掩膜进行第一注入工艺，以在所述磊晶层中形成第一掺杂区；通过所述第一图案化硬掩膜进行第二注...
    2025-08-12
  • 修复长形条形变的方法
    修复长形条形变的方法_东莞新科技术研究开发有限公司_202311801587.1
    本发明的修复长形条形变的方法包括：长形条由对接的两玻璃基板夹持，所述长形条通过紫外减粘剂将粘接在所述玻璃基板上；对所述长形条及所述玻璃基板进行第一次紫外光照射；对所述长形条及所述玻璃基板进行超声波震荡处理；以及对所述长形条及所述玻璃基板进行...
    2025-08-12
  • 半导体结构表面的聚酰亚胺层的去除方法及返工方法
    半导体结构表面的聚酰亚胺层的去除方法及返工方法_无锡华润上华科技有限公司_202311835196.1
    本申请涉及一种半导体结构表面的聚酰亚胺层的去除方法及聚酰亚胺层的返工方法。聚酰亚胺层的去除方法包括：采用第一等离子体工艺对所述聚酰亚胺层进行第一去除；采用有机溶液对所述聚酰亚胺层进行第二去除。如此，一方面可以保证聚酰亚胺层的去除率较高，提高...
    2025-08-12
  • 半导体基体的表面处理方法
    半导体基体的表面处理方法_东莞新科技术研究开发有限公司_202311804491.0
    本发明的半导体基体的表面处理方法包括：在半导体基体的表面上形成第一高分子层；在所述第一高分子层上形成第一金属层；在所述第一金属层上形成第二高分子层；以及在所述第二高分子层上形成第二金属层。该方法简单高效，能够在保持半导体基体的电学性能的同时...
    2025-08-12
  • 传片腔室、半导体工艺设备及校准晶圆的方法
    传片腔室、半导体工艺设备及校准晶圆的方法_北京北方华创微电子装备有限公司_202311811197.2
    本申请提供一种传片腔室、半导体工艺设备及校准晶圆的方法，该传片腔室包括：腔体、第一承载板、第二承载板、驱动机构和止挡件；第一承载板和第二承载板相对设置于腔体的内部，第一承载板和第二承载板用于承载晶圆；驱动机构与第二承载板连接，用于驱动第二承...
    2025-08-12
  • 工件台及半导体工艺设备
    工件台及半导体工艺设备_深圳熠炽科技有限公司_202311814173.2
    一种工件台及半导体工艺设备，包括：基板，具有相对的第一面和第二面，所述第一面用于承载待加工工件；所述基板包括：两两拼接的多个部件，所述多个部件的导热系数不同；其中，对于所述多个部件中任意相邻的两个部件，所述两个部件的拼接面的曲面形状贴合预设...
    2025-08-12
  • 一种加热装置及其等离子处理装置
    一种加热装置及其等离子处理装置_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202311814980.4
    本发明公开了一种加热装置及其等离子处理装置，该加热装置包含：一加热器基体，加热器基体中设置有多个水平方向分布的加热元件以加热加热器基体上方不同区域；多组由N个互相串联的加热元件构成的第一加热元件组；多组由M个加热元件构成的第二加热元件组，其...
    2025-08-12
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