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最新专利技术
  • 用于电池模块的测量治具
    用于电池模块的测量治具_株式会社LG新能源_202380080535.1
    根据实施例的测量仪器是用于电池模块的测量治具，并且包括：支撑件，该支撑件跨越电池模块定位并且具有用于与测量仪器紧固的多个紧固部；和固定板，该固定板连接到支撑件并且支撑在电池模块上。
    2025-08-09
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202311817513.7
    本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底的表面形成下电极层膜、位于下电极层膜的表面的阻变层膜、以及阻变层膜表面的上电极层膜；图形化刻蚀上电极层膜、阻变层膜以及下电极层膜，直至暴露出衬底表面为止，在衬底的表面形成下电极层以及...
    2025-08-09
  • 薄膜及其制备方法、光电器件、显示装置
    薄膜及其制备方法、光电器件、显示装置_TCL科技集团股份有限公司_202311811543.7
    本申请公开了一种薄膜及其制备方法、光电器件、显示装置，涉及显示技术领域。薄膜包括第一子膜；第一子膜的材料包括N型半导体材料；所述第一子膜的材料还包括掺杂剂；和/或，薄膜还包括与第一子膜层叠设置的第二子膜，第二子膜的材料包括修饰剂；其中，掺杂...
    2025-08-09
  • 薄膜及其制备方法、光电器件、显示装置
    薄膜及其制备方法、光电器件、显示装置_TCL科技集团股份有限公司_202311811526.3
    本申请公开了一种薄膜及其制备方法、光电器件、显示装置，涉及显示技术领域。薄膜包括第一子膜；第一子膜的材料包括N型半导体材料；第一子膜的材料还包括掺杂剂；和/或，薄膜还包括与第一子膜层叠设置的第二子膜，第二子膜的材料包括修饰剂；其中，掺杂剂和...
    2025-08-09
  • 有机电致发光器件
    有机电致发光器件_北京夏禾科技有限公司_202311809549.0
    公开了有机电致发光器件。所述有机电致发光器件包括：阳极，阴极，以及设置在阳极和阴极之间的第一有机层和第二有机层；其中所述第一有机层包含由式1‑1或式1‑2表示的第一化合物，所述第二有机层包含由式2表示的第二化合物；所述第一化合物与所述第二化...
    2025-08-09
  • 钙钛矿太阳能电池的界面调控方法和反式钙钛矿太阳能电池及其制备方法
    钙钛矿太阳能电池的界面调控方法和反式钙钛矿太阳能电池及其制备方法_中国石油天然气集团有限公司_202311802019.3
    本发明提供了钙钛矿太阳能电池的界面调控方法和反式钙钛矿太阳能电池及其制备方法。该界面调控方法包括：在空穴传输层与透明导电薄膜玻璃层之间设置第一金属氧化物纳米颗粒层；在空穴传输层与钙钛矿吸光层之间设置第二金属氧化物纳米颗粒层。该反式钙钛矿太阳...
    2025-08-09
  • 显示面板及其制备方法、显示装置
    显示面板及其制备方法、显示装置_OPPO广东移动通信有限公司_202311816447.1
    本申请涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。该显示面板包括：衬底基板、驱动电路层、像素定义层、多个发光器件、多个光电感应器件和第一遮光层。驱动电路层位于在衬底基板的一侧，像素定义层位于驱动电路层的一侧，像素定义层开设有多个像素开口和多个感...
    2025-08-09
  • 发光装置
    发光装置_群创光电股份有限公司_202311805011.2
    本揭示提供一种发光装置，包括基板、绝缘层、第一发光单元以及第一遮光层。绝缘层设置在基板上且包括第一开口。第一发光单元设置在第一开口中。第一遮光层设置在绝缘层上。在剖面图中，第一遮光层包括第一遮光部以及邻近第一遮光部的第二遮光部，第一遮光部的...
    2025-08-09
  • 显示面板和显示装置
    显示面板和显示装置_合肥维信诺科技有限公司_202311829697.9
    本公开提供了一种显示面板和显示装置，该显示面板包括显示区，显示区包括第一区域和第二区域。显示面板还包括基板以及位于基板上的显示功能层、隔离结构、遮挡结构和多个光识别单元。显示功能层包括位于显示区中的发光单元，光识别单元位于第二区域中，隔离结...
    2025-08-09
  • 显示屏及其制备方法、头戴显示设备
    显示屏及其制备方法、头戴显示设备_歌尔科技有限公司_202311818986.9
    本发明公开了一种显示屏及其制备方法、头戴显示设备，显示屏包括：基板；像素定义层，形成于基板一侧，其限定了像素区，像素定义层包括沿着远离基板的方向依次层叠的第一像素定义层、第二像素定义层和第三像素定义层，第二像素定义层具有导电性；发光单元，形...
    2025-08-09
  • 显示屏及其制备方法、头戴显示设备
    显示屏及其制备方法、头戴显示设备_歌尔科技有限公司_202311818895.5
    本发明公开了一种显示屏及其制备方法、头戴显示设备，显示屏包括：基板；像素定义层，形成于基板一侧，其限定了像素区；阳极，形成于像素区；发光层，形成于像素区且形成于阳极远离基板的一侧；第一阴极，形成于像素区且形成于发光层远离基板的一侧；第二阴极...
    2025-08-09
  • 阵列基板、显示面板及显示装置
    阵列基板、显示面板及显示装置_上海和辉光电股份有限公司_202311812437.0
    本发明提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置。所述阵列基板包括多个像素驱动电路，所述像素驱动电路包括第一晶体管和驱动晶体管；所述阵列基板包括：衬底；半导体层，位于所述衬底的一侧，所述半导体层包括所述第一晶体管的第一有源层图案和所述驱动晶体管...
    2025-08-09
  • 阵列基板、显示面板及显示装置
    阵列基板、显示面板及显示装置_上海和辉光电股份有限公司_202311812406.5
    本发明提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置。所述阵列基板包括多个像素驱动电路，所述像素驱动电路包括第一晶体管和驱动晶体管；所述阵列基板包括：衬底；半导体层，位于所述衬底的一侧，所述半导体层包括第一有源层图案；第一金属层，位于所述半导体层远...
    2025-08-09
  • 显示面板及其制备方法、显示装置
    显示面板及其制备方法、显示装置_合肥维信诺科技有限公司_202311829667.8
    本公开提供了一种显示面板及其制备方法、显示装置，该显示面板包括基底以及位于基底上的显示功能层、隔离结构、触控结构和透光屏蔽层。显示功能层包括多个发光器件；隔离结构界定多个透光开口和多个隔离开口，隔离开口限位发光器件，隔离结构包括支撑部和冠部...
    2025-08-09
  • 一种透明OLED及其制备方法和应用
    一种透明OLED及其制备方法和应用_上海和辉光电股份有限公司_202311813189.1
    本发明提供一种透明OLED及其制备方法和应用。所述透明OLED包括依次设置的阳极、有机膜层、图案化含氟化合物层和图案化阴极。本发明通过图案化含氟化合物层的设计，实现了仅使用一种FMM在有机膜层一侧设置含氟化合物层，即可使用Common Ma...
    2025-08-09
  • 一种全小分子有机光伏电池和智能门锁
    一种全小分子有机光伏电池和智能门锁_浙江清华柔性电子技术研究院_202311811549.4
    本发明公开了一种全小分子有机光伏电池和智能门锁，所述全小分子有机光伏电池包括阳极、阳极修饰层、活性层、阴极修饰层和阴极，活性层为B1：BTA3或BTR：ITCC，使用氯苯对活性层进行蒸汽退火处理。智能门锁包括：显示屏；微处理器，微处理器与显...
    2025-08-09
  • LED、光通信装置和光通信系统
    LED、光通信装置和光通信系统_华为技术有限公司_202311818917.8
    本申请提供了一种LED，应用于LED领域或光通信领域。LED包括P型半导体层、有源层和N型半导体层。有源层位于P型半导体层和N型半导体层之间。有源层包括M个垒层和M－1个阱层。垒层和阱层交替分布。M为大于1的整数。M个垒层中的每个垒层为P型...
    2025-08-09
  • 垂直二极管及其制备方法、芯片及电子设备
    垂直二极管及其制备方法、芯片及电子设备_华为技术有限公司_202311828164.9
    本申请提供一种垂直二极管及其制备方法、芯片及电子设备，涉及半导体技术领域，旨在提升器件的性能。垂直二极管的制备方法包括：在第一衬底上形成表面具有多个凹坑的缓冲层，在缓冲层的具有多个凹坑的表面形成恢复层，使得恢复层内形成多个随机分布的孔，恢复...
    2025-08-09
  • 一种集成电路芯片的制备方法
    一种集成电路芯片的制备方法_苏州能讯高能半导体有限公司_202311812591.8
    本发明公开了一种集成电路芯片的制备方法，集成电路芯片包括第一器件区和第二器件区；制备方法包括：形成半导体衬底；在半导体衬底的一侧形成第一介质层；第一介质层包括位于第一器件区的第一介质分部和位于第二器件区的第二介质分部；至少对第一介质层进行第...
    2025-08-09
  • 横向扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法
    横向扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法_无锡华润上华科技有限公司_202311813086.5
    本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法，所述横向扩散金属氧化物半导体场效应管包括：衬底，具有第二导电类型；缓冲区，位于所述衬底中且具有第一导电类型；埋藏区，位于所述缓冲区上，所述埋藏区具有第一导电类型，所述缓冲区的掺杂浓...
    2025-08-09
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