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磁钢结构、转子结构和电机
本申请涉及电机技术领域,公开一种磁钢结构、转子结构和电机。其中,磁钢结构包括第一磁钢段和第二磁钢段。第二磁钢段与第一磁钢段的端部相连接。其中,第一磁钢段和第二磁钢段均为正弦曲线结构。本申请中,通过第一磁钢段和第二磁钢段均为正弦曲线结构,将聚...
微网同期控制方法和微网供电系统
本申请实施例公开了一种微网同期控制方法和微网供电系统,属于电源技术领域。在本申请实施例中,中央控制器可以直接将并网开关两侧的电压的相位差发送至微网中的功率变换器,由功率变换器直接对功率变换器与并网开关之间的电压进行相位补偿,而不是由中央控制...
配电网拓扑辨识方法及装置
本申请公开一种配电网拓扑辨识方法及装置,其中,方法包括:获取配电网的原始量测信息;基于原始量测信息,构建基于支路电流法的混合整数非线性规划的拓扑量测辨识模型;利用目标数据物理融合驱动线性化模型对基于支路电流法的混合整数非线性规划的拓扑量测辨...
一种用于电子器件的压接设备
本发明公开了一种用于电子器件的压接设备,包括:工作台以及设于工作台的第一夹爪、吸附组件、承载台、压接机构、第一转运机构和第二转运机构;吸附组件以可滑动的方式设于工作台;承载台设有定位槽;第一夹爪用于将骨架夹持至定位槽内;吸附组件用于将芯片运...
电子装置以及电性测量方法
提供一种电子装置,包括:壳体;面板,设置于壳体上;电路板,与面板电性连接,其中电路板具有第一接地端和第二接地端,第一接地端与第二接地端于电路板内无电性连接路径,第一接地端透过第一导电介质与壳体电性连接,且第二接地端透过第二导电介质与壳体电性...
公座连接器、母座连接器、电连接器组件和电连接装置
本申请提供了公座连接器、母座连接器、电连接器组件和包括该电连接器组件的板对板式电连接装置。公座连接器可以限定出:沿第一方向延伸的厚度;沿与第一方向垂直的第二方向延伸的宽度;以及沿与第一方向和第二方向均垂直的第三方向延伸的长度,公座连接器可以...
滤波天线及电子设备
本申请提供了一种滤波天线及电子设备,属于天线技术领域。滤波天线包括:第一介质层、第一导体层和馈电层;第一导体层和馈电层分别位于第一介质层的上下两面;第一导体层包括第一缝隙和第二缝隙,第一缝隙位于第一导体层的中部,且第一缝隙为非对称结构,第二...
集流组件及其制备工艺、换热装置、电池及用电设备
本申请适用于电池技术领域,提供了一种集流组件及其制备工艺、换热装置、电池及用电设备,集流组件包括集流件和连接件,集流件为非金属件,连接件为金属件,集流件和所述连接件为一体成型构件,集流件通过连接件连接换热件。旨在降低换热设备的加工难度,并且...
一种电池包电流检测控制系统和包括其的电池包系统
本发明公开了一种电池包电流检测控制系统和包括其的电池包系统,电池包电流检测控制系统包括:电流传感模组和熔断装置;其中,电流传感模组包括:电流采集单元,用于串接于电池包的正极和负极之间,以实时采集电池主回路的电流数据;比较单元,分别与电流采集...
电极组件、电池及用电装置
本申请属于电池技术领域,具体涉及一种电极组件、电池及用电装置。该电极组件包括负极极片、隔离膜及正极极片,负极极片、隔离膜和正极极片一起绕卷绕轴线卷绕形成上述电极组件;其中,正极极片包括沿卷绕方向分别位于集流体上的第一正极膜层和第二正极膜层;...
卷绕设备及卷绕方法
本申请提供一种卷绕设备及卷绕方法,属于电池技术领域。卷绕设备,包括送料机构和卷针,送料机构用于输送极片和隔膜;卷针,用于卷绕送料机构输送的极片和隔膜以形成电极组件,其中,卷针的直径r与卷绕完成后的电极组件的直径R之间的关系满足:
用于燃料电池系统的服务吹扫方法、控制单元及系统
本发明提供了一种个用于燃料电池(FC)系统的服务吹扫方法,其包括:FC系统的燃料电池控制单元(FCCU)接收吹扫启动信号;在接收到吹扫启动信号之后,FCCU获取FC系统的FC电堆的开路电压,并对开路电压的电位状态作出判定;当判定开路电压处于...
燃料电池系统及其阳极子系统和停机吹扫控制方法
本申请涉及燃料电池系统及其阳极子系统和停机吹扫控制方法,特别是提出一种用于燃料电池系统的阳极子系统,其包括:从燃料气体源通向燃料电池系统的电堆的燃料气体供给管路;从阳极侧排放出口通向外部排放装置的排放管路;以及将从排放管路中分离出来的一部分...
正极极片及其制备方法、电池和用电装置
本申请公开了一种正极极片及其制备方法、电池和用电装置,所述正极极片包括集流体和设于所述集流体至少一侧的正极活性物质层,所述正极活性物质层包括正极活性材料和介电材料颗粒,所述介电材料颗粒的体积平均粒径Dv50为200nm‑2000nm。本申请...
一种抑制低温相变Sn基负极材料、制备方法以及钠离子电池
本发明公开了一种抑制低温相变Sn基负极材料、制备方法以及钠离子电池,本发明提供的基于抑制低温β‑Sn相变机制制备Sn
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/rGO复合材料的方法,...
芯片封装结构及其制备方法、电子设备
本申请提供一种芯片封装结构及其制备方法、电子设备,涉及半导体领域,第一均温层可以使第一裸芯片产生的热量在与Z方向垂直的平面所在方向上传导,有效提高第一裸芯片的均温能力,避免因第一裸芯片高温导致频率降低。该芯片封装结构包括包括依次层叠设置的第...
芯片封装结构、电子设备及芯片封装结构的制作方法
本申请提供了一种芯片封装结构、电子设备及芯片封装结构的制作方法。其中,芯片封装结构包括:依次层叠设置的第一载板、第一芯片、第二载板和第二芯片,第一芯片与第一载板电连接,第二芯片通过第二载板与第一载板电连接;芯片封装结构还包括第一导热体,第一...
一种复合结构及其制备方法、封装结构及电子器件
本申请实施例提供了一种复合结构及其制备方法、封装结构及电子器件,涉及半导体技术领域。该复合结构包括金刚石合金层以及第一金属层,金刚石合金层和第一金属层层叠设置,金刚石合金层与第一金属层为一体结构。其中,金刚石合金层用于与半导体器件连接,第一...
SOI硅片混合衬底的形成方法
本发明公开了一种SOI硅片混合衬底的形成方法,去除部分区域的埋藏氧化层和绝缘体上硅,通过在SOI侧壁沉积一层SiOCN来保护绝缘体上硅侧壁,然后进行外延硅生长使硅衬底区生长到与绝缘体上硅区齐平,在SOI侧壁的SiOCN作为保护层能防止外延硅...
承载装置及半导体工艺设备
本发明提供一种承载装置及半导体工艺设备,承载装置包括承载主体和多个密封部件,承载主体用于承载晶圆,承载主体设置有多个第一孔道,第一孔道用于供可升降的支撑部件穿过,多个支撑部件能够上升伸出第一孔道支撑晶圆,或者下降缩回第一孔道内,密封部件包括...
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