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  • 本发明提供一种电子装置,包含基板、第一电路层、第一半导体管芯、第二电路层以及多个第一导电组件。第一电路层设置于基板上且包含多个第一接触垫。第一半导体管芯设置于第一电路层上。第二电路层与第一半导体管芯电性连接且包含多个第二接触垫。第一导电组件...
  • 本发明涉及半导体封装技术领域,公开了高密度重布线层及其制备方法、半导体封装结构。高密度重布线层包括至少一层的重布线单元,重布线单元包括多条金属导线和互连件以及介质层;互连件与金属导线在垂直方向上错位设置,互连件一端与金属导线相连接且另一端适...
  • 本申请实施例提供了一种芯片载板及其制备方法和封装结构,以解决现有技术中芯片载板可靠性较差的问题。芯片载板中衬底基板包括沿厚度方向相对设置的第一表面和第二表面,衬底基板开设有至少一个通孔;第一缓冲层包括一体连接的第一缓冲部和第二缓冲部,第一缓...
  • 一种半导体装置包括芯片载体、被布置在所述芯片载体的安装表面上方的第一功率芯片、被布置在所述第一功率芯片的背离所述芯片载体的顶表面上方的层压板、以及被配置为驱动所述第一功率芯片并且被布置在所述层压板的背离所述芯片载体的顶表面上方的第一逻辑芯片...
  • 本公开涉及半导体封装件和封装基板。半导体封装件包括:封装基板,其包括主体层和设置在主体层上的第一绝缘层;安装在封装基板上的第一半导体芯片和第二半导体芯片;以及填充封装基板与第一半导体芯片和第二半导体芯片之间的空间的成型层,成型层围绕第一半导...
  • 本发明提供一种基板结构,包括第一基材、第二基材、第一导电膏以及第一接合层。第一基材包括第一核心层以及第一导电件。第二基材包括第二核心层以及第二导电件。第一接合层将第一导电膏限定于第一导电件与第二导电件之间,使得第一导电膏分别与第一导电件与第...
  • 电源电路封装包含一个设置在半导体基板第一侧的图案化导电层。图案化导电层被配置为电耦合至设置在基板上的第一晶粒、设置在基板上的散热器以及嵌入在基板中的第二晶粒。图案化导电层的端子、过孔和焊盘构成了封装的不同导电网络。通过将散热器设置在最繁忙的...
  • 本申请提供的一种2.5D中介层封装结构和封装方法,涉及半导体封装技术领域。该2.5D中介层封装结构包括中介层、导电柱、绝缘层、第一介质层、第二介质层、第一金属层和焊球。中介层具有相对设置的第一表面和第二表面;导电柱设于中介层内,导电柱的一端...
  • 本发明提供了一种陶瓷基板结构及其集成封装结构,属于封装技术领域。包括基板板体、大芯片和小芯片,基板板体的上表面设置有第一凹槽和多个焊盘,下表面设置有第二凹槽,第一凹槽连通第二凹槽的槽底面,第二凹槽内设置有多个金属导线,金属导线通过通孔技术与...
  • 一种封装结构,封装结构包括:至少1层重布线层;导电插塞层,导电插塞层与重布线层电连接;金属凹槽,金属凹槽位于导电插塞层内,或者金属凹槽由导电插塞层和其中1层重布线层围合构成;位于金属凹槽内的预处理芯片;至少1个主芯片,主芯片分别与预处理芯片...
  • 一种封装结构,包括:基底,其内具有若干导电插塞;位于基底内的填充层,其材料的热膨胀系数大于基底的材料热膨胀系数;位于基底上的顶层重布线层和底层重布线层;与顶层重布线层键合连接的芯片结构。通过在基底内部引入更大热膨胀系数的填充层,在省略传统封...
  • 一种封装结构,包括:第一重布线层;第二重布线层,第二重布线层与第一重布线层堆叠排布,且第二重布线层和第二重布线层电连接;第一芯片,第一芯片与第一重布线层电连接;第二芯片,第二芯片与第二重布线层电连接;桥接芯片,桥接芯片嵌入在第一重布线层内,...
  • 本发明涉及半导体技术领域,公开了一种半导体封装结构及其制备方法,包括:封装基板;第一芯片,正装设置于封装基板上方;第一芯片包括位于中间位置的本体部和侧部的边缘部;本体部凸起于边缘部;边缘部的上表面设置有引脚;第一芯片内部设置有重布线层,引脚...
  • 本发明涉及芯片封装技术领域,公开了芯片模组封装结构及其制备方法。制备方法包括:形成包括相对的第一侧和第二侧的芯片模组,第一侧具有多个功能芯片;将芯片模组以第二侧朝向基板固定设置在基板的第一表面上;形成包覆芯片模组的周侧以及基板的第一表面和周...
  • 本发明涉及半导体技术领域,公开了一种半导体封装结构及其制备方法,包括:硅晶圆,具有相对的上表面和下表面;设置于硅晶圆中的至少一个第一安装槽和至少一个第二安装槽;安装槽位于硅晶圆的上表面一侧;嵌入第一安装槽内的互连硅桥;位于互连硅桥上方的第一...
  • 本发明涉及一种基于混合键合与应力缓冲层的三维异质集成界面结构,属于半导体封装技术领域。该界面结构从上至下依次包括铜‑铜键合层、聚合物微凸点阵列、碳纳米管垂直互连束、粘结界面层、应力自适应缓冲层、拓扑优化电源网格和基板,在拓扑优化电源网格中设...
  • 本发明公开了一种全无引线双面散热功率模块及其封装集成方法。本发明首先采用低温烧结技术实现芯片与基板的高强度、低热阻互联;其次运用精密桥接技术完成芯片间的电气互连;最后引入高集成度的FPC作为信号控制端,从而实现彻底的无引线封装。无引线的结构...
  • 本发明提供一种封装结构。所述封装结构包含第一载体、第二载体及第一组件。所述第一载体包含安置于所述第一载体的第一表面处的第一衬垫及第二衬垫。所述第二载体安置于所述第一载体上方。所述第一组件将所述第一载体连接至所述第二载体,且包含连接至所述第一...
  • 本申请涉及半导体技术领域,具体涉及一种封装结构及封装组件,包括引线框架、芯片以及包裹所述引线框架与所述芯片的封装体;所述芯片设置在所述引线框架的中心基岛上,所述封装体背离所述芯片一侧设有内凹部;所述内凹部的底面为第一平面,所述第一平面在垂直...
  • 本发明公开了一种功率半导体器件、功率模块及功率单元,解决了传统功率模块寄生电感大、对地分布电容大、功率密度低的问题,具体包括金属框架、其阳极连接在金属框架上的芯片、并排设置在金属框架一侧的栅极引脚和阴极引脚、连接在芯片的阴极和阴极引脚之间的...
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