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最新专利技术
  • 用于羽绒加工的羽绒清洗装置及方法
    用于羽绒加工的羽绒清洗装置及方法_台前县宏宇羽绒制品有限公司_202511830666.4
    本发明公开了一种羽绒加工用清洗装置及方法。装置包括清洗桶、第一搅拌单元和第二搅拌单元。两个搅拌单元上均设置有可竖直伸缩的伸缩杆结构，每个伸缩杆结构上设有多根搅拌杆。驱动机构通过连接盘驱动全部伸缩杆结构同步伸缩，使搅拌杆在伸长时分散搅拌，在收...
    2026-05-10
  • 甲基转移酶突变文库构建与筛选方法及其在生物合成中的应用
    甲基转移酶突变文库构建与筛选方法及其在生物合成中的应用_北京化工大学_202411359506.1
    本发明提供了一种甲基转移酶突变文库构建与筛选方法及其在生物合成中的应用。3, 4‑二羟基苯甲醇(3, 4‑DHBA)是利用微生物进行植物天然产物香草醇生物合成的直接前体。通过分子对接分析，比较待设计的酶与咖啡酸、3, 4‑DHBA在催化口袋...
    2026-05-10
  • 增强FIX和FIXa活性的纳米抗体
    增强FIX和FIXa活性的纳米抗体_上海循曜生物科技有限公司_202511390956.1
    本发明涉及增强FIX和FIXa活性的结合分子。具体提供一种FIX和/或FIXa纳米抗体或其突变文库，所述结合分子包含抗FIX和/或FIXa单域抗体(VHH)，所述单域抗体的互补决定区CDR包含CDR1、CDR2和CDR3。本发明的纳米抗体能...
    2026-05-10
  • 芯片、形成测序文库簇的方法及测序方法
    芯片、形成测序文库簇的方法及测序方法_深圳市真迈生物科技有限公司_202511634574.9
    本申请提出了一种测序芯片及测序方法，该芯片包括：基底；以及固定于基底表面的引物组，引物组包括：第一引物，其具有第一可切割位点，第一可切割位点为使第一引物在第一切割条件下被切割的位点；第二引物，其具有第二可切割位点，第二可切割位点为使第二引物...
    2026-05-10
  • 一种碲化镉晶体退火装置
    一种碲化镉晶体退火装置_福莱特光能有限公司_202511975609.5
    本发明公开了一种碲化镉晶体退火装置，属于晶体热处理设备技术领域，包括用于提供稳定安装空间的基座，所述基座的顶部安装有用于提供碲化镉晶体退火空间的退火炉，所述退火炉的内部转动设置有两个用于提供支撑的转动盘，两个所述转动盘的内部均设置有用于提供...
    2026-05-10
  • 一种有机无机杂化硫氰酸钙非线性光学晶体材料及其制备方法和应用
    一种有机无机杂化硫氰酸钙非线性光学晶体材料及其制备方法和应用_四川大学_202512021958.X
    本发明公开了一种有机无机杂化硫氰酸钙非线性光学晶体材料及其制备方法和应用，属于光学晶体材料技术领域。该非线性光学晶体材料的化学式为Ca(SCN)(L‑C5H8NO4)，属于正交晶系，空间群为P212121，晶胞参数a=5.0910(4) Å...
    2026-05-10
  • 宏观尺寸非对称结构的过渡金属硫化物单晶及其制备方法和应用
    宏观尺寸非对称结构的过渡金属硫化物单晶及其制备方法和应用_浙江大学_202512019817.4
    本发明公开一种宏观尺寸非对称结构的过渡金属硫化物单晶及其制备方法和应用，制备方法包括：提供宏观尺寸的单层过渡金属硫化物作为前驱体；将承载前驱体的基底以非水平取向置于反应腔室中，使前驱体的表面与反应腔室内反应物流的主导传输方向呈非零夹角；向反...
    2026-05-10
  • 一种激光用低位错密度的晶体生长方法
    一种激光用低位错密度的晶体生长方法_大庆溢泰半导体材料有限公司_202511922605.0
    本发明公开了一种激光用低位错密度的晶体生长方法，涉及激光晶体制备技术领域，将铟和磷加热保温后，加入功能助剂，继续升温并保温，冷却，转移至直拉炉内加热保温后，降温引晶，同时提拉生长，最后进行退火得到。本发明使用的功能助剂通过促进熔体成分均匀混...
    2026-05-10
  • 基于AI校准多温区的磷化铟单晶生长动态热场控制方法
    基于AI校准多温区的磷化铟单晶生长动态热场控制方法_中砥半导体技术(江苏)有限公司_202511908546.1
    本发明公开了基于AI校准多温区的磷化铟单晶生长动态热场控制方法，涉及半导体材料制备与人工智能控制技术领域；本发明通过构建多温区热场数字孪生模型，采集磷化铟单晶生长炉内的多通道温度数据、加热功率数据及晶体生长图像数据，并进行炉内热场分布的实时...
    2026-05-10
  • 用于晶体生长的搅拌结构以及液相生长装置
    用于晶体生长的搅拌结构以及液相生长装置_北京天科合达半导体股份有限公司_202512057758.X
    一种用于晶体生长的搅拌结构以及液相生长装置，其中用于晶体生长的搅拌结构包括：坩埚盖；搅拌杆，搅拌杆设置于坩埚盖朝向坩埚的一侧并且搅拌杆与坩埚盖相连接；第一旋转电机，第一旋转电机设置于坩埚盖的另一侧，第一旋转电机适于驱动坩埚盖绕预设的转轴转动...
    2026-05-10
  • 一种碳化硅单晶的制备装置及制备方法
    一种碳化硅单晶的制备装置及制备方法_北京天科合达半导体股份有限公司_202512056198.6
    本申请提供一种碳化硅单晶的制备装置及制备方法，该制备装置包括坩埚和位于坩埚上方的籽晶托；坩埚包括由下至上分布的原料区、升华区和生长区，原料区用于放置碳化硅原料；籽晶托位于生长区的上方，籽晶托用于粘接籽晶，籽晶位于籽晶托和生长区之间；在籽晶托...
    2026-05-10
  • 一种BaMnO2掺杂铌酸钾钠基单晶及其制备方法
    一种BaMnO2掺杂铌酸钾钠基单晶及其制备方法_桂林电子科技大学_202610033001.9
    本发明属于无铅压电晶体材料技术领域，具体涉及一种BaMnO2掺杂铌酸钾钠基单晶，其化学通式为：(1‑x)[(1‑y)(K0.5Na0.5Nb)O3‑yBiFeO3]‑xBaMnO2。本发明还公开了BaMnO2掺杂铌酸钾钠基单晶的制备方法，具...
    2026-05-10
  • 系列环丙二酸硼酸酯钠盐非线性光学晶体及制备方法和用途
    系列环丙二酸硼酸酯钠盐非线性光学晶体及制备方法和用途_中国科学院新疆理化技术研究所_202511997134.X
    本发明涉及系列环丙二酸硼酸酯钠盐非线性光学晶体及制备方法和用途，该晶体的分子式分别为NaC3H2O4BFCH3，NaC3H2O4BFCF3，分子量分别为169.88, 223.86，属于单斜晶系，空间群Cc，晶胞参数NaC3H2O4BFCH...
    2026-05-10
  • 一种铵法制备单晶磷酸铁的方法
    一种铵法制备单晶磷酸铁的方法_贵州川恒化工股份有限公司_202610234658.1
    本发明属于化工工艺领域，尤其涉及一种铵法制备单晶磷酸铁的方法，包括以下步骤：a)将磷酸一铵溶液加入到硫酸亚铁溶液中，然后用硫酸调节体系pH值至1.75~2，得到混合料浆；步骤a)中，所述磷酸一铵溶液中的P与硫酸亚铁溶液中的Fe的摩尔比为(1...
    2026-05-10
  • 一种M-O-B-C二维材料及其制备方法
    一种M-O-B-C二维材料及其制备方法_松山湖材料实验室_202411343964.6
    本发明涉及二维材料技术领域，尤其涉及一种M‑O‑B‑C二维材料及其制备方法。所述M‑O‑B‑C二维材料的组成元素包括M、O、B和C，所述M‑O‑B‑C二维材料的晶体结构由包括M‑O层和B‑C层交替堆垛构成，所述交替堆垛的周期数为1‑10，所...
    2026-05-10
  • 一种直拉单晶硅的制备方法
    一种直拉单晶硅的制备方法_四川高景太阳能科技有限公司_202610072494.7
    本发明属于直拉单晶硅技术领域，公开了一种直拉单晶硅的制备方法。该制备方法如下：在36寸热场中填装多晶硅料，升温使多晶硅料完全熔化，得到熔硅；将晶种浸入熔硅中开始引晶；引晶结束后，开始放肩，使得晶体的直径逐步增大；当晶体直径放大至目标直径的9...
    2026-05-10
  • 一种单片机、电机检测方法、装置及系统
    一种单片机、电机检测方法、装置及系统_西安芯晖设备技术有限公司_202512012548.9
    本公开提供了一种单片机、电机检测方法、装置及系统，属于单晶炉的电机控制技术领域，该单片机，包括：闭环控制反馈接口，用于接收安装于单晶炉提拉电机的输出轴的外置旋转编码器的外部反馈数据；真值标定接口，用于接收连接于单晶炉晶体提拉机构负载端的位移...
    2026-05-10
  • 用于提高晶体头部氧浓度均一性的单晶硅制造方法
    用于提高晶体头部氧浓度均一性的单晶硅制造方法_上海超硅半导体股份有限公司_202511950105.8
    本发明涉及一种用于提高晶体头部氧浓度均一性的单晶硅制造方法。所述用于提高晶体头部氧浓度均一性的单晶硅制造方法包括如下步骤：于炉体内一容纳有硅熔体的石英坩埚中生长单晶硅晶棒；于放肩阶段增大传输至所述炉体内的氩气的流量至第一流量；在所述单晶硅晶...
    2026-05-10
  • MPCVD单晶金刚石及其批量生长方法
    MPCVD单晶金刚石及其批量生长方法_国机金刚石(河南)有限公司_202511957016.6
    本发明提供了一种MPCVD单晶金刚石及其批量生长方法，旨在解决多籽晶同时生长时温度不均、边缘多晶无序生长导致晶体质量下降和生长一致性差的问题。所述批量生长方法首先利用激光对籽晶边缘进行整形切割，使其侧面形成连续变化的非固定晶面取向的曲面，抑...
    2026-05-10
  • 一种基于MPCVD的嵌套式多晶金刚石复合膜制备方法
    一种基于MPCVD的嵌套式多晶金刚石复合膜制备方法_超硬材料产业技术研究院_202610124177.5
    本发明属于化学气相沉积金刚石膜制造技术领域，具体涉及一种基于MPCVD的嵌套式多晶金刚石复合膜制备方法。本发明所述方法包括分步梯度生长、嵌套式集成工艺等步骤。本发明通过微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)分步生长微米级高硬度层与纳米级功能...
    2026-05-10
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