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  • 本发明提出了一种用于半导体单晶炉的排气装置,具体涉及半导体加工设备。用于半导体单晶炉的排气装置,包括单晶炉炉体,所述单晶炉炉体的顶部固定连接有连接管,所述连接管上固定连接有同轴设置的尺寸相同的第一排气管和第二排气管,所述第一排气管和第二排气...
  • 本发明公开了一种多晶硅直接连续制备单晶硅棒的系统及方法,属于半导体及光伏材料制备技术领域。所述系统包括依次连通的还原炉、液态硅输送单元和单晶炉,并通过压力控制保证气氛隔离。方法包括:在还原炉内利用耐高温金属电极进行多晶硅的化学气相沉积;随后...
  • 本申请提供一种热控涂层结构、水冷套、单晶炉及制备方法,所述热控涂层结构用于设置在套筒结构的水冷套的外周面和/或内周面;该热控涂层结构包括多个沿所述水冷套的轴向方向依次排列且相接的区域涂层;在本申请中,通过将用于水冷套的热控涂层结构划分形成多...
  • 本发明属于半导体晶体生长技术领域,具体涉及一种液相法生长碳化硅单晶的装置及方法。所述装置包括石墨坩埚、石墨隔板和石墨籽晶托。石墨坩埚底部设有带挡板的石墨片;石墨隔板设于籽晶下方,其上的贯穿口、嵌槽、开槽石墨块及下石墨挡板与石墨籽晶托的竖直柱...
  • 本发明公开了一种Mist‑CVD协同辅助的钙钛矿单晶表面钝化方法,涉及钙钛矿单晶制备及表面处理技术领域,该方法首先采用熔体法制备铅基卤化物钙钛矿单晶晶锭,经切割抛光得到单晶衬底;随后,配置由PbA2和CsB中至少一种组成的钙钛矿前驱体溶液,...
  • 本发明公开钨酸碲铷化合物、钨酸碲铷非线性光学晶体及其制备方法和应用。本发明采用助熔剂法制备钨酸碲铷非线性光学晶体,所述钨酸碲铷非线性光学晶体的化学式为Rb2TeW3O12,为非中心对称结构,属于三方晶系,空间群为P31c,单胞参数为α=β=...
  • 本发明涉及DKDP晶体生长技术领域,具体是一种DKDP晶体生长方法及装置,包括如下步骤:S1、将原料加入到重水里,形成饱和溶液,然后加入相变微胶囊,混合均匀,得到生长溶液;S2、将籽晶放入到步骤S1中得到的生长溶液中,将生长溶液加热至40‑...
  • 本发明公开了一种单晶超导材料生长反应装置以及厘米级BKBO晶体的制备方法,该生长反应装置包括:反应釜本体,反应釜本体的中部具有容纳腔,反应釜本体的外部套设有坩埚;釜盖,盖合在反应釜本体的顶部,釜盖具有与容纳腔连通的进气孔和排气孔;搅拌杆,沿...
  • 本发明提供了一种基于双自由度耦合振动的抛光装置及其使用方法,包括第一方向振动组件和第二方向振动组件,第二方向振动组件设置在第一方向振动组件上,第一方向振动组件在第一方向上振动,第二方向振动组件在第二方向上振动,第一方向与第二方向垂直;第二方...
  • 本发明公开了一种电化学抛光碳化硅晶圆的工艺方法,碳化硅晶圆至少具有电阻率存在差异的第一、第二区域,工艺方法包括以下步骤:于碳化硅晶圆表面输送电解液;于碳化硅晶圆表面施压机械抛光;碳化硅晶圆、抛光台和抛光头形成通电回路;向通电回路施加第一电流...
  • 本发明涉及一种钴铬合金金相试样的抛光液及抛光方法,属于钴铬合金表面处理技术领域技术领域;其中,本发明提供的抛光液为低浓度的中性或近中性的无机盐的水溶液,所述抛光液的抛光温度为85℃以上,抛光时间为600~1000s,抛光电压为300~360...
  • 本发明提供一种用于生箔机的铜箔厚度在线控制方法及系统,方法包括:预先对所述阳极板进行分区,获得至少两个阳极子模块;控制厚度检测装置检测所述铜箔对应于所述阳极板上各个阳极子模块的实时厚度值;采集阳极子模块的实时电流以及阴极钛辊的当前车速;根据...
  • 本发明涉及半导体先进封装技术领域,具体为一种TGV电镀空洞自愈的脉冲电流闭环控制方法,包括:在电镀填孔过程中,通过双电极传感器阵列并行采集多频阻抗谱与阴极电位波动信号,结合镀液微压与电导率数据,构建孔内流体‑电场耦合状态矩阵。基于此矩阵,一...
  • 本发明涉及电镀生产技术领域,尤其涉及一种电镀生产线快速换料方法,包括以下步骤,步骤一、物料信息确认,确认更换下一款物料的产品型号,核对生产物料的信息,拿到生产流程卡与物料模具信息对照表,找到相应的模具编号;步骤二、停机准备,准备好与上一款产...
  • 本发明提供基于扇形阳极圆心角调控的定域性电沉积区域形状控制方法,属于电化学制造领域。所述方法采用扇形阳极圆心角为θ的阳极进行电沉积,通过改变θ来主动调控阴极板上金属沉积区域的有效圆心角β。核心在于,本发明构建了沉积区域的有效圆心角β与扇形阳...
  • 在具备多个镀覆模块的镀覆装置中,要求通过使用适当的镀覆模块进行镀覆处理来形成高质量的镀膜。本发明提供一种镀覆装置的控制方法,是具备多个镀覆模块的镀覆装置的控制方法,其中,包括如下步骤:取得针对由上述多个镀覆模块镀覆处理后的多个基板的镀膜厚度...
  • 本发明涉及滚镀生产领域,公开了一种滚镀工件均匀镀层控制装置及自适应翻滚工艺,包括槽体,所述槽体外部两侧均固定有轨道,所述轨道上方通过滑轮滑动有机架,所述机架顶部设有卷扬机,所述卷扬机通过绳索固定有连接架,所述连接架的内侧通过转轴连接有滚筒,...
  • 本申请提供了一种新型电路板沉铜斜插板篮放置架,包括用于支撑PCB板的支撑架和固定架,所述固定架设置于所述支撑架上,所述支撑架上设置有第一插槽,所述固定架上设置有第二插槽,所述第一插槽与所述第二插槽交错设置,所述第一插槽与所述第二插槽分别与P...
  • 本公开涉及钛合金构件加工技术领域,具体涉及用于在构件内壁制备镍镀层的镀镍系统、装置及方法;装置包括第一导电结构、第二导电固定结构、绝缘结构、绝缘接入结构、电极棒;第一导电结构上设置有第一通孔;绝缘接入结构的一端穿过第一通孔后,置于第一导电结...
  • 本发明涉及镀膜机技术领域,尤其涉及一种五金装饰镀膜机仿金铜炉体用导电结构,包括转动插接在镀膜机炉体内的转架和固定在镀膜机壳体上的炉体中轴封帽,所述转架的顶部外壁上转动插接有若干个等距圆周分布的挂具杆,所述转架的外壁上设置有若干个与挂具杆电性...
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