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最新专利技术
  • 生物质裂解燃气连续发生炉及其生产工艺
    生物质裂解燃气连续发生炉及其生产工艺_火凰(唐山)生物质供热有限公司_202510129531.9
    本发明公开了一种生物质裂解燃气连续发生炉及其生产工艺，包括燃烧炉和裂解炉，裂解炉包括炉体和加热管，裂解炉设有前炉门和后炉门，裂解炉的炉体包括前炉室和后炉室，前炉室和后炉室之间设有中间炉门，前炉室的炉壁开设有混合气出口，混合气出口与混合器主管...
    2026-05-01
  • 推焦车滑履标高调整装置
    推焦车滑履标高调整装置_江苏沙钢钢铁有限公司_202512033119.X
    本发明属于焦炉生产设备技术领域，公开了推焦车滑履标高调整装置。推焦车滑履标高调整装置包括上滑履、下滑履、六变形块和固定轴，上滑履的底部设有连接板，连接板设有六边形孔，下滑履的顶部设有两个相对的侧板，两个侧板分别设有第一通孔，六边形块设置于六...
    2026-05-01
  • 一种环保型机制炭炭化系统
    一种环保型机制炭炭化系统_江西省金启生物能源有限公司_202610165632.6
    本发明涉及生物质能源转化技术领域，具体地说，涉及一种环保型机制炭炭化系统，其包括外壳，所述外壳的上端外壁开设有入料口，所述外壳的顶部周边位置固定连接有电机，所述外壳的顶部中心位置连通有排热管道，所述外壳的底部固定连接有炭化室，所述外壳的内壁...
    2026-05-01
  • 一种低张力表面活性剂及其应用
    一种低张力表面活性剂及其应用_浙江省化工研究院有限公司_202411352400.9
    本发明公开了一种低张力表面活性剂，所述低张力表面活性剂包含单磷酸酯，所述单磷酸酯含有烷基链取代基的芳香酚类基团；所述单磷酸酯不含与芳香环基团直接相连的甲基、亚甲基、次甲基；所述低张力表面活性剂不含次甲基；所述低张力表面活性剂的亚甲基含量以碳...
    2026-05-01
  • 一种含氟表面活性剂、蚀刻液及应用
    一种含氟表面活性剂、蚀刻液及应用_深圳新宙邦科技股份有限公司_202411327480.2
    本申请提出一种含氟表面活性剂、蚀刻液及应用，其中包括具有式Ⅰ所示结构的化合物：R1‑O‑CF(R2)‑CF(R3)‑O‑CF(R4)‑R5式Ⅰ，其中，所述R1、R2、R3、R4各自独立的选自F部分取代的C1‑4烃基、F全部取代的C1‑4烃基...
    2026-05-01
  • 液晶组合物及液晶显示元器件
    液晶组合物及液晶显示元器件_石家庄诚志永华显示材料有限公司_202511702121.5
    本发明涉及液晶材料技术领域，具体公开一种液晶组合物及液晶显示元器件。本发明的液晶组合物包括主体组合物和可聚合化合物，所述主体组合物包括式Ⅰ所示化合物。本发明的液晶组合物经过UV光照后形成的聚合物网络结构具有优异的恢复力，使液晶分子在撤电后能...
    2026-05-01
  • 液晶组合物及液晶显示元器件
    液晶组合物及液晶显示元器件_石家庄诚志永华显示材料有限公司_202511702047.7
    本发明涉及液晶材料技术领域，具体公开一种液晶组合物及液晶显示元器件。本发明提供的液晶组合物包括式Ⅰ所示负性化合物和介电各向异性大于2的正性化合物，具有合适的折射率各向异性、介电各向异性和较高的透过率，尤其具有优异的低温(‑45℃)存储性能和...
    2026-05-01
  • 一种具有高光学各向异性的液晶组合物
    一种具有高光学各向异性的液晶组合物_晶美晟光电材料(南京)有限公司_202411340003.X
    本发明提供了一种液晶组合物，该液晶组合物具有较高的光学各向异性值，可以降低显示器件盒厚，提升响应速度；此外该液晶组合物还具有较高的介电常数，有利于降低液晶材料的驱动电压，进而达到节能的目的。所述液晶组合物由20％～40％的化合物I1、5％～...
    2026-05-01
  • 一种有机硅重金属土壤修复剂及其制备方法
    一种有机硅重金属土壤修复剂及其制备方法_河北硅谷肥业有限公司_202610096284.1
    本发明涉及土壤修复剂技术领域，提出了一种有机硅重金属土壤修复剂及其制备方法。一种有机硅重金属土壤修复剂，包括以下重量份组分的原料：改性沸石40~60份、木质素磺酸钠3~6份、黄腐酸钾6~10份、壳聚糖衍生物8~15份、有机硅1~2份、硅酸钾...
    2026-05-01
  • 基于竹炭生物炭固载微生物的土壤改良剂及其制备方法
    基于竹炭生物炭固载微生物的土壤改良剂及其制备方法_天适立农生态农业发展(广州)股份有限公司_202512003126.5
    本发明涉及土壤改良剂领域，具体为基于竹炭生物炭固载微生物的土壤改良剂及其制备方法，用于解决现有的土壤改良方法的土壤改性效果有限，但长期过量使用会对土壤进行二次损伤的问题。该制备方法首先对毛竹粉进行处理，然后利用氢氧化钾溶液进行碳化，并煅烧，...
    2026-05-01
  • 一种土壤污染防治处理剂及其在建设用地土壤污染评估修复中的应用
    一种土壤污染防治处理剂及其在建设用地土壤污染评估修复中的应用_内蒙古自治区环境监测总站鄂尔多斯分站_202511940028.8
    本发明公开了一种土壤污染防治处理剂及其在建设用地土壤污染评估修复中的应用，所述处理剂为干重配方，按质量分数包含：生物炭/活性炭：40‑60%；海藻酸钠+羟乙基纤维素等成膜剂：5‑15%；高分子聚合物乳液：5‑30%；螯合剂(EDDS，亚外源...
    2026-05-01
  • 一种盐碱地土壤改良剂及其制备方法
    一种盐碱地土壤改良剂及其制备方法_盐城工学院_202511798629.X
    本发明涉及一种盐碱地土壤改良剂及其制备方法，属于环境治理技术领域。该改良剂由底肥、盐碱调节剂和生物酸复合而成。其中，盐碱调节剂通过以下方法制得：先将牡蛎壳低温煅烧形成多孔粉体，再通过酯化反应合成双丙烯酸酯中间体，继而与硅烷偶联剂反应生成改性...
    2026-05-01
  • 一种兼具肥料特性的土壤重金属钝化剂及其制备工艺和应用
    一种兼具肥料特性的土壤重金属钝化剂及其制备工艺和应用_上海芳甸生物科技有限公司_202511801705.8
    本发明属于材料应用和肥料应用交叉技术领域，公开了一种兼具肥料特性的土壤重金属钝化剂及其制备工艺和应用。该制备工艺包括：使用等当量碱性物质与植物生物质混合均匀，将物料含水量控制在55%～65%，在压实和室温条件下预混反应一定时长；在植物生物质...
    2026-05-01
  • 一种改性磷石膏的土壤调理剂及其制备方法
    一种改性磷石膏的土壤调理剂及其制备方法_宜都兴发化工有限公司_202511779499.5
    本发明提供一种改性磷石膏的土壤调理剂及其制备方法，按质量份数计，土壤调理剂包括磷石膏100份、改性焚烧废弃物2‑10份、硫酸镧铈1‑5份；所述改性焚烧废弃物由稻壳或秸秆与含氮化合物煅烧得到。将磷石膏和改性焚烧废弃物混合搅拌，随后喷洒硫酸镧铈...
    2026-05-01
  • 基于纳米分子筛催化合成三嗪类紫外线吸收剂的工艺
    基于纳米分子筛催化合成三嗪类紫外线吸收剂的工艺_中国科学院福建物质结构研究所_202511976594.4
    本发明公开基于纳米分子筛催化合成三嗪类紫外线吸收剂的工艺，包括准备原料，吸收剂原料包括带有芳香环的前驱体，前驱体包括苯胺、氨基化合物和烯烃，准备沸石和分子筛Y制成纳米分子筛催化剂，对纳米分子筛催化剂进行合成和活化，通过溶胶凝胶法对纳米分子筛...
    2026-05-01
  • 一种电阻率大于1 Ω·cm的硅电极的蚀刻液
    一种电阻率大于1 Ω·cm的硅电极的蚀刻液_湖北兴福电子材料股份有限公司_202511782209.2
    本发明公开了一种电阻率大于1 Ω·cm的硅电极的蚀刻液，属于半导体制造技术领域。所述蚀刻液，包括以下质量分数的组分：硫酸20%~70%、氧化剂1%~20%、氟化物1%~20%、添加剂0.1%~1%和去离子水，去离子水为余量，各组分质量分数之...
    2026-05-01
  • 长蚀刻寿命的缓冲氧化物蚀刻液及应用
    长蚀刻寿命的缓冲氧化物蚀刻液及应用_湖北兴福电子材料股份有限公司_202511782122.5
    本发明涉及蚀刻液技术领域，具体公开了一种长蚀刻寿命的缓冲氧化物蚀刻液及应用，所述蚀刻液含有氢氟酸、氟化铵、添加剂和抑制剂；其中添加剂为氟代脂肪醇；抑制剂为多元醇。本发明的蚀刻液用于半导体制造中氧化硅膜层的清洗和蚀刻。因蚀刻过程放热以及长时间...
    2026-05-01
  • 一种高蚀刻速率的SiGe/Si蚀刻液及其制备方法
    一种高蚀刻速率的SiGe/Si蚀刻液及其制备方法_湖北兴福电子材料股份有限公司_202511782118.9
    本发明描述了一种高蚀刻速率的SiGe/Si蚀刻液及其制备方法。该蚀刻液主要成分包括按照质量分数计的以下组分：0.1‑1％氟离子源；10‑50%氧化剂；0.1‑1％无机酸；5‑10％有机酸；0.1‑1％分散剂；0.1‑1％稳定剂；余量为高纯水...
    2026-05-01
  • 一种蚀刻组合物
    一种蚀刻组合物_宁波安集微电子科技有限公司_202411362165.3
    本发明提供了一种用于晶边的刻蚀液的组合物。所述化学蚀刻组合物包括氧化剂、含氟化合物，缓蚀剂、酸、季铵盐或者溶剂等。采用本发明的组合物，能够有效刻蚀去除晶边不同沉积膜层，同时避免对硅刻蚀，操作窗口较大，在半导体蚀刻工艺中具有良好的应用前景。
    2026-05-01
  • 一种IGZO和IGO的选择性蚀刻液
    一种IGZO和IGO的选择性蚀刻液_湖北兴福电子材料股份有限公司_202511764914.X
    本发明提供了一种IGZO和IGO的选择性蚀刻液，按质量分数计，包括以下组分：柠檬酸含量5‑10%，无机酸含量1‑5%，缓蚀剂A含量0.1‑2%，缓蚀剂B含量0.1‑2%，表面活性剂含量0.1‑0.5%，余量为超纯水。本发明积极进步效果在于：...
    2026-05-01
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