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最新专利技术
  • 半导体装置的制造方法及半导体装置
    半导体装置的制造方法及半导体装置_株式会社东芝_202510027853.2
    提供提高了品质的半导体装置的制造方法及半导体装置。实施方式的半导体装置的制造方法具有槽部形成工序、第一粘贴工序、磨削工序、第一灰化工序和金属膜成膜工序。槽部形成工序是在基材上从形成有元件区域的器件面一侧形成多个槽部的工序。第一粘贴工序是经由...
    2026-04-07
  • 一种控制扩展电阻测试样品研磨面宽度的装置及方法
    一种控制扩展电阻测试样品研磨面宽度的装置及方法_中环领先半导体科技股份有限公司_202511713759.9
    本发明提供一种控制扩展电阻测试样品研磨面宽度的装置及方法，所述装置包括激光检测组件、支撑件和第一驱动装置，所述激光检测组件用于向测试样品发射激光线，所述激光线的长度方向沿所述研磨面的宽度方向设置，所述支撑件设置在所述激光检测组件的下方，与所...
    2026-04-07
  • 一种半导体结构的处理方法
    一种半导体结构的处理方法_荣芯半导体(淮安)有限公司_202511810735.5
    本申请提供一种半导体结构的处理方法，该处理方法包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括衬底和形成在所述衬底上的初始氧化层；将所述半导体结构置于处理腔室，在所述处理腔室中建立超临界环境，以在所述处理腔室内形成超临界二氧化碳流体；向所述处理腔室...
    2026-04-07
  • 一种光学调制器芯片加工用刻蚀设备
    一种光学调制器芯片加工用刻蚀设备_青县瑞繁机械配件有限公司_202511988349.5
    本申请公开了一种光学调制器芯片加工用刻蚀设备，属于刻蚀装置技术领域，该设备包括工作台，工作台内部装配有刻蚀机，工作台侧面固定连接有支撑台，支撑台顶端装配有输送装置，工作台内部开设有清洗仓和收集仓，刻蚀机的底端装配有烘干机，工作台的顶端装配有...
    2026-04-07
  • 刻蚀方法
    刻蚀方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511583232.9
    本公开提供了一种刻蚀方法，属于半导体技术领域。该刻蚀方法包括：提供一基底结构，所述基底结构包括衬底以及沉积在所述衬底上的介质层；在所述介质层上形成图形化的光刻胶掩模；对所述光刻胶掩模进行硬化处理；在处理后的所述光刻胶掩模的掩盖下，对所述介质...
    2026-04-07
  • 一种SOI晶圆的钝化层刻蚀方法
    一种SOI晶圆的钝化层刻蚀方法_无锡芯卓湖光半导体有限公司_202411302806.6
    本发明涉及一种SOI晶圆的钝化层刻蚀方法，SOI晶圆包括依次层叠的金属层、第一钝化层、第二钝化层、光刻胶层；SOI晶圆的钝化层刻蚀方法包括：刻蚀光刻胶层，形成图形化光刻胶；将图形化光刻胶作为掩膜，采用第一刻蚀气体对第二钝化层进行第一刻蚀工艺...
    2026-04-07
  • 一种用于半导体器件加工的离子注入扩散工艺
    一种用于半导体器件加工的离子注入扩散工艺_核芯光电科技(山东)有限公司_202511886396.9
    本发明属于半导体制作技术领域，尤其公开了一种用于半导体器件加工的离子注入扩散工艺，该用于半导体器件加工的离子注入扩散工艺包括转盘，底部设置有驱动结构，驱动结构底部设置有安装座，用于驱动转盘转动；安装块，设置在驱动结构外侧，用于防护驱动结构安...
    2026-04-07
  • 一种半导体外延生长方法及外延结构
    一种半导体外延生长方法及外延结构_物元半导体技术(青岛)有限公司_202511877878.8
    本申请属于半导体制造技术领域，提供一种半导体外延生长方法及外延结构，方法包括以下步骤：提供衬底；将第一元素注入衬底中；对注入第一元素的衬底进行退火；于退火后的衬底上形成成核层；于成核层上依次形成缓冲层和器件层；其中，第一元素的注入能量不超过...
    2026-04-07
  • 一种半导体结构的制作方法
    一种半导体结构的制作方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202411311510.0
    本发明提供一种半导体结构的制作方法，包括以下步骤：提供一硅衬底，对硅衬底进行预清洁；采用低压化学气相沉积法形成高温氧化硅层于硅衬底上；形成热氧化层于硅衬底与高温氧化硅层的界面处，其中，在形成热氧化层的过程中使用了氢气，利用H与HTO薄膜中的...
    2026-04-07
  • 一种在栅极中形成N型功函数层的方法
    一种在栅极中形成N型功函数层的方法_成都新紫光半导体科技有限公司_202411303156.7
    本公开涉及一种在栅极中形成N型功函数层的方法，该方法在形成N型功函数层时，先采用偏压较低的第一物理气相沉积使N型功函数层材料原子在半导体衬底的栅极内形成N型功函数层，然后采用偏压较高的第二物理气相沉积使N型功函数层材料原子以更快的速度轰击在...
    2026-04-07
  • 单晶硅堆叠形成及接合到互补金属氧化物半导体晶片
    单晶硅堆叠形成及接合到互补金属氧化物半导体晶片_美光科技公司_202511940909.X
    提供用于单晶硅堆叠形成及接合到互补金属氧化物半导体CMOS晶片以用于形成竖直三维3D存储器的系统、方法和设备。一种用于形成用于存储器单元的形成的竖直堆叠层的阵列的实例方法包含：提供硅衬底；将单晶硅锗层形成到所述衬底的表面上；外延地生长所述硅...
    2026-04-07
  • 一种自整流生物忆阻器及其制备方法
    一种自整流生物忆阻器及其制备方法_东华大学_202610196093.2
    本发明属于半导体技术领域，公开了一种自整流生物忆阻器及其制备方法，自整流生物忆阻器包括顺序复合的底电极层、忆阻功能层和顶电极层；底电极层为PEDOT : PSS(聚(3, 4‑乙烯二氧噻吩)‑聚苯乙烯磺酸)膜，忆阻功能层为SP(丝蛋白)@A...
    2026-04-07
  • 一种基于氧化铌纳米片的阈值型忆阻器件及其制备方法
    一种基于氧化铌纳米片的阈值型忆阻器件及其制备方法_东北师范大学_202512002244.4
    本发明公开了一种基于氧化铌纳米片的阈值型忆阻器件及其制备方法，属于微电子材料与器件技术领域，本发明开发了一种兼容规模化生产的新型低成本制备工艺，以替代高能耗的物理沉积方法，并通过全工艺链的参数优化，实现氧空位浓度与 Nb 价态的精准调控，推...
    2026-04-07
  • 一种具有可逆氧库调控的新型阻变存储器
    一种具有可逆氧库调控的新型阻变存储器_电子科技大学长三角研究院(衢州)_202511971309.X
    本发明涉及阻变存储器领域，提供一种具有可逆氧库调控的新型阻变存储器。所述器件从下至上依次包括金属碳化物氧捕获层、导电氧化物调控层、掺杂改性SnO2阻变功能层及顶电极层。金属碳化物氧捕获层对氧离子具有高亲和性，用于捕获与缓释氧离子；导电氧化物...
    2026-04-07
  • 一种用于相变材料晶化的激光调制方法及系统
    一种用于相变材料晶化的激光调制方法及系统_中山大学_202511691960.1
    本申请涉及激光加工技术领域，涉及一种用于相变材料晶化的激光调制方法及系统。激光调制方法采用“直流偏置+主脉冲”的时序设计，直流偏置激光提供一个稳定的预热温度让相变材料靠近晶化的临界状态，再通过主脉冲激光诱导硫系相变材料完成晶化，经直流激光的...
    2026-04-07
  • 磁致伸缩复合材料及其制备方法和装置
    磁致伸缩复合材料及其制备方法和装置_内蒙古师范大学_202511898950.5
    本发明公开了一种磁致伸缩复合材料及其制备方法和装置。该磁致伸缩复合材料包括磁性颗粒和基体部；所述磁性颗粒为Fe2P型铁磁体；所述基体部选自聚氨酯、聚醚醚酮、环氧树脂和硅树脂中的一种或多种；基于磁性颗粒的重量，基体部的含量为11～50wt％。...
    2026-04-07
  • 压电柔性传感器、制备方法及电子装置
    压电柔性传感器、制备方法及电子装置_芯驱(成都)科技有限公司_202511979254.7
    本发明公开了一种压电柔性传感器、制备方法及电子装置，属于微机电系统领域，包括：金属基底，在金属基底上依次生长有下电极、压电薄膜和上电极；在压电薄膜受到压力产生形变时，在压力的作用下，金属基底和上电极两面产生电荷，电荷通过电荷放大电路放大得到...
    2026-04-07
  • 一种粒子填充型柔性压电复合材料及其制备方法和应用
    一种粒子填充型柔性压电复合材料及其制备方法和应用_宁波风隐科技有限公司_202511999789.0
    本发明属于柔性压电材料技术领域，具体公开了一种粒子填充型柔性压电复合材料及其制备方法和应用。该复合材料由40～90%质量分数的压电粒子与柔性高分子基体复合而成，压电粒子均匀分散在柔性高分子基体中，其制备方法包括压电粒子干燥或改性预处理、超声...
    2026-04-07
  • 用于高温压力传感器的多层复合陶瓷金属封装方法
    用于高温压力传感器的多层复合陶瓷金属封装方法_上海映矽传感技术有限公司_202511875507.6
    本发明涉及集成电路制造技术领域，公开了一种用于高温压力传感器的多层复合陶瓷金属封装方法，包括：在烧结炉温进入金属化功能层的最大收缩速率温区时，执行气氛化学势钉扎操作；通过调节工艺气体的湿氢比将露点提升至钉扎设定值，使氧分压处于氧化‑还原反应...
    2026-04-07
  • 一种微流道热电器件封装的密封结构及其制备方法
    一种微流道热电器件封装的密封结构及其制备方法_湖北赛格瑞新能源科技有限公司_202512029931.5
    本发明公开了一种微流道热电器件封装的密封结构及其制备方法，包括基板，用于承载热电材料层；盖板，对应设置于所述基板的上方，用于形成封闭的容纳腔室。本发明中密封环的梯度弹性或复合结构可自适应补偿CTE失配，温度循环100次后，密封结构无开裂；中...
    2026-04-07
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