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最新专利技术
  • 一种发光二极管
    一种发光二极管_泉州三安半导体科技有限公司_202511704449.0
    本申请提供了一种发光二极管，尤其是高电压驱动发光板二极管，其中相邻发光单元之间形成有连接结构，该连接结构包括填充层以及隔绝层，填充层位于相邻发光单元之间的隔离槽内，隔绝层位于填充层靠近半导体外延叠层的背面的一侧。连接结构作为相邻发光单元之间...
    2026-04-08
  • 一种多波段发光二极管外延结构及其制备方法
    一种多波段发光二极管外延结构及其制备方法_江西耀驰科技有限公司_202512049572.X
    本发明涉及半导体光电器件技术领域，尤其涉及一种多波段发光二极管外延结构，其多量子阱发光层包括沿外延方向依次周期性交替生长的绿光有源区、青光有源区、蓝光有源区；所述绿光有源区包括沿外延方向依次层叠生长的绿光垒层一、绿光InGaN层、绿光垒层二...
    2026-04-08
  • 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
    发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管_江西兆驰集成科技有限公司_202511882908.4
    本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管，涉及半导体光电器件领域。发光二极管外延片依次包括衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和P型GaN层；其中，多量子阱层为周期性结构，每个周期均包括依次层叠...
    2026-04-08
  • Micro-LED外延片及其制备方法
    Micro-LED外延片及其制备方法_江西兆驰集成科技有限公司_202511874702.7
    本发明涉及半导体光电器件领域，具体公开了一种Micro‑LED外延片及其制备方法，Micro‑LED外延片包括衬底，依次层叠于衬底上的缓冲层、第一插入层、第一非掺杂GaN层、第二插入层、N型GaN层、多量子阱层和P型GaN层；所述衬底为平片...
    2026-04-08
  • 发光二极管及其制备方法
    发光二极管及其制备方法_京东方华灿光电(广东)有限公司_202511602616.0
    本公开公开了发光二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管包括依次层叠的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层；所述多量子阱层包括超晶格结构，所述超晶格结构包括多个周期交替层叠的量子阱层、盖帽层和量子垒层，所述量子阱层为InGa...
    2026-04-08
  • 一种氮化物外延片、氮化物外延片的制备方法和Micro-LED
    一种氮化物外延片、氮化物外延片的制备方法和Micro-LED_江苏第三代半导体研究院有限公司_202411324482.6
    本发明提供一种氮化物外延片、氮化物外延片的制备方法和Micro‑LED，该氮化物外延片包括异质衬底、复合柱结构、氮化物缓冲层、n型氮化物层、发光层和p型氮化物层；复合柱结构间隔分布在异质衬底的一侧表面上，复合柱结构包括多个复合Si纳米柱以及...
    2026-04-08
  • LED外延片、LED芯片及LED外延片的制备方法
    LED外延片、LED芯片及LED外延片的制备方法_江西兆驰半导体有限公司_202511924176.0
    本发明提供了一种LED外延片、LED芯片及LED外延片的制备方法，属于发光二极管技术领域，LED外延片包括衬底、外延层，外延层包括依次堆叠设置的n型电子层、n型电子阻挡层、有源层、p型空穴阻挡层、p型空穴层和p型窗口层，p型窗口层包括两个隧...
    2026-04-08
  • 一种提高AlGaN基深紫外发光器件注入效率的极化调制隧穿结构及应用
    一种提高AlGaN基深紫外发光器件注入效率的极化调制隧穿结构及应用_北京大学_202511874758.2
    本发明公开了一种提高AlGaN基深紫外发光器件注入效率的极化调制隧穿结构及应用。本发明提供的极化调制隧穿结构，其沿[0001]方向依次包括如下组成：p型AlxGa1‑xN层、i型AlzGa1‑zN层和n型AlyGa1‑yN层；其中：p型Al...
    2026-04-08
  • 一种LED封装结构、通孔金属化方法、封装方法及封装系统
    一种LED封装结构、通孔金属化方法、封装方法及封装系统_湖北芯映光电有限公司_202511966372.4
    本发明涉及显示器件封装技术领域，具体涉及一种LED封装结构、通孔金属化方法、封装方法及封装系统。封装方法，其包括：在玻璃基板的正面进行铜胶印刷形成铜胶涂层并同步对玻璃基板背面进行真空抽吸，以使铜胶填满通孔形成导电通路；在玻璃基板正、背面制备...
    2026-04-08
  • 一种出光增强型紫外LED及其制备方法
    一种出光增强型紫外LED及其制备方法_北京大学_202511942807.1
    本发明公开了一种出光增强型紫外LED及其制备方法，属于半导体器件领域。本发明通过外延生长及工艺设计，在紫外LED的非出光面制备出功能层/空气型分布式布拉格反射器，能够显著增强非出光面对内部发光的反射，从而大幅降低紫外LED在背面的光学损失；...
    2026-04-08
  • 太阳电池及其制备方法、光伏组件
    太阳电池及其制备方法、光伏组件_通威太阳能(成都)有限公司_202511990139.X
    本申请涉及太阳电池领域，公开一种太阳电池及其制备方法、光伏组件。太阳电池包括：基底，基底包括相背设置的两个表面，以及连接在两个表面之间的侧壁，至少一个表面包括边缘区域以及位于边缘区域内侧的中间区域；钝化减反层，钝化减反层包括相互连接的第一钝...
    2026-04-08
  • 太阳能电池及其制备方法、光伏组件
    太阳能电池及其制备方法、光伏组件_天合光能股份有限公司_202511602756.8
    本申请涉及一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件。太阳能电池包括：半导体基底，包括相对设置的第一面和第二面；钝化结构，设于所述第一面和所述第二面中的至少一者上；所述钝化结构包括沿远离所述半导体基底方向层叠设置的第一钝化层、第一扩散层和第二钝化...
    2026-04-08
  • 背接触太阳能电池、其制备方法、叠层电池和光伏组件
    背接触太阳能电池、其制备方法、叠层电池和光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202610227608.0
    本申请涉及光伏技术领域，提供一种背接触太阳能电池、其制备方法、叠层电池和光伏组件，其中，背接触太阳能电池包括：基底，包括相对设置的第一面和第二面，第二面包括交替排布的第一区域和第二区域，第一区域包括第一绒面和第一平面，且在基底的厚度方向上，...
    2026-04-08
  • 一种电池片、电池片的制备方法、电池串及光伏组件
    一种电池片、电池片的制备方法、电池串及光伏组件_TCL中环新能源科技股份有限公司_202610201883.5
    本发明涉及光伏组件技术领域，尤其涉及一种电池片、电池片的制备方法、电池串及光伏组件。该电池片包括基片，基片的电流收集面上设置有金属电极，金属电极的长度方向平行于X向，处于同一面上的金属电极沿Y向依次排布；每个电流收集面的沿X向的两端上分别形...
    2026-04-08
  • 电池片、电池串、电池串的制备方法及光伏组件
    电池片、电池串、电池串的制备方法及光伏组件_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202511627559.1
    本申请提供电池片、电池串、电池串的制备方法及光伏组件。电池片的第一栅线层包括间隔设置的多个第一互连主栅，背面上设置第二主栅层，第二主栅层设置有多个第二互连主栅和多个电流收集增强主栅，多个第一互连主栅和多个第二互连主栅在电池片的厚度方向上位置...
    2026-04-08
  • 一种光电探测器及其制备方法
    一种光电探测器及其制备方法_武汉邮电科学研究院有限公司_202511887820.1
    本申请涉及一种光电探测器及其制备方法，具体涉及光电探测器技术领域。所述光电探测器包括：衬底、光探测层和驱动电极，所述光探测层设于所述衬底的至少部分表面，且与所述衬底之间形成有Type‑II能带对齐的异质结构；所述驱动电极设于所述光探测层远离...
    2026-04-08
  • 一种电池片的加工方法及电池片
    一种电池片的加工方法及电池片_浙江晶科能源有限公司_202610224205.0
    本申请实施例涉及光伏领域。本申请实施例提供了一种电池片的加工方法及电池片，电池片的加工方法包括在第一区制备第一掺杂区，在第二区制备第二掺杂区，对基底进行钝化，在第一区设置第一连通部，第一连通部贯穿钝化区，在第二区设置第二连通部，第二连通部贯...
    2026-04-08
  • 基于SMT工艺的光伏电池片制造方法及系统
    基于SMT工艺的光伏电池片制造方法及系统_深圳市新赛搏科技有限公司_202512010446.3
    本发明涉及光伏器件制造技术领域，公开了一种基于SMT工艺的光伏电池片制造方法及系统，该方法包括：沿背触式光伏电池片的电极边界进行切割，得到背触电池单元，并在焊盘表面印刷锡膏；采用SMT设备将背触电池单元贴装至焊盘上，并在背触电池单元与PI/...
    2026-04-08
  • 一种通过范德华剥离制备氮化硼-氧化镓薄膜柔性双波段紫外日盲探测器的方法
    一种通过范德华剥离制备氮化硼-氧化镓薄膜柔性双波段紫外日盲探测器的方法_常州工学院_202511998112.5
    本发明公开了一种通过范德华剥离制备氮化硼‑氧化镓薄膜柔性双波段紫外日盲探测器的方法，旨在提升探测器综合性能。该方法包括h‑BN衬底预处理与表面改性、Sn梯度掺杂β‑Ga2O3层制备、异质结界面钝化处理、双步范德华剥离与柔性转移、欧姆接触电极...
    2026-04-08
  • 高并阻高效率的MWT电池制备方法及其电池
    高并阻高效率的MWT电池制备方法及其电池_江苏凌众新能科技有限公司_202511987690.9
    本发明涉及一种高并阻高效率的MWT电池制备方法及其电池，属于光伏电池技术领域；包括以下步骤：提供N型硅片，对其进行去损伤层及制绒处理；对硅片正面进行硼扩散，形成P型发射极及硼硅玻璃层；在硅片背面制备隧穿氧化层和掺杂多晶硅层，并在最外层形成背...
    2026-04-08
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