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最新专利技术
  • 半导体器件及制造方法
    半导体器件及制造方法_半导体元件工业有限责任公司_202510050708.6
    本公开提供了半导体器件及形成半导体器件的方法。一种半导体器件包括在第一边缘区域处的第一终止沟槽和在第二边缘区域处的第二终止沟槽。第一有源沟槽从该第一终止沟槽朝向该第二终止沟槽延伸并且终止于第一尖端区域，该第一尖端区域通过终止台面区域与该第二...
    2026-03-19
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社东芝_202411797771.8
    实施方式的半导体装置具备第一电极、第二电极、半导体部、多个场板电极及栅极电极，半导体部具有：第一电极上的第一导电型的第一半导体层；第二导电型的第二半导体层，设于第一半导体层上；以及第二半导体层上的第一导电型的第三半导体层，与第二电极相接，第...
    2026-03-19
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411616060.6
    半导体装置包含第一电极、第二电极、半导体部件、第三电极及第一绝缘部件。半导体部件包含第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的第二半导体区域、第一导电型的第三半导体区域、第二导电型的第四半导体区域及第二导电型的第五半导体区域。第一部分区域在从...
    2026-03-19
  • 半导体装置以及制造方法
    半导体装置以及制造方法_株式会社东芝_202411607240.8
    本发明的实施方式提供通过栅极电极的形状控制防止耐压降低的半导体装置以及制造方法。实施方式的半导体装置具有第一电极、第二电极、及设于第一电极与第二电极之间且与第一电极电连接的第一导电型的第一半导体层。在其之上具有第二导电型的第二半导体层，在第...
    2026-03-19
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社东芝_202411607239.5
    半导体装置及其制造方法。半导体装置具备：第一电极；第二电极，与第一电极沿第一方向分离；多个控制电极，设于第一与第二电极之间，沿与第一方向交叉的第二方向延伸；半导体层，设于第一与第二电极之间，具有与第一电极欧姆接触的第一半导体区域；多个绝缘部...
    2026-03-19
  • 半导体器件
    半导体器件_矽力杰半导体技术(杭州)有限公司_202511716564.X
    本发明提供一种半导体器件，包括：基底；位于所述基底中的掺杂区；埋入式结构，从所述基底的上表面向下延伸，至少包括一接触金属，其中，所述接触金属与所述掺杂区接触，所述接触金属被配置为所述半导体器件的电极端。所述掺杂区被配置为所述半导体器件的漏极...
    2026-03-19
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411735033.0
    实施方式的半导体装置具备碳化硅层、第一电极、多个第二电极、第三电极、导电层、第一导通部件、第二导通部件以及凹部。第一电极设置于碳化硅层的第一主面，多个第二电极设置于碳化硅层的第二主面。第三电极隔着第一绝缘区域与碳化硅层的第二碳化硅区域相对。...
    2026-03-19
  • 包括鳍形图案的半导体装置
    包括鳍形图案的半导体装置_三星电子株式会社_202510738489.0
    提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底；第一有源图案，在基底上在第一方向上延伸；第二有源图案，在基底上在第一方向上延伸，第二有源图案在与第一方向相交的第二方向上与第一有源图案间隔开；多个纳米片，在第一有源图案上在与第一方向和第二方向...
    2026-03-19
  • 一种可改善终端电场的屏蔽栅功率器件
    一种可改善终端电场的屏蔽栅功率器件_无锡美偌科微电子有限公司_202511907315.9
    本发明公开了一种可改善终端电场的屏蔽栅功率器件，涉及功率半导体器件领域，包括有源区以及环绕包围所述有源区的终端区；有源区内包括沿第一方向平行交替设置的多个长元胞沟槽及短元胞沟槽；终端区内包括N个环绕包围有源区的终端沟槽，终端沟槽包括两个与第...
    2026-03-19
  • 碳化硅逻辑器件及其制备方法
    碳化硅逻辑器件及其制备方法_嘉善复旦研究院_202511865131.0
    本申请涉及一种碳化硅逻辑器件及其制备方法。该碳化硅逻辑器件，包括：叠层结构，包括碳化硅衬底以及依次层叠于其上的P型导电层和N型导电层；设于N型导电层中且间隔设置的源极结构和漏极结构；设于N型导电层的上表面的绝缘层，以及设于绝缘层位于源极结构...
    2026-03-19
  • 包括沟槽结构的半导体晶体管器件
    包括沟槽结构的半导体晶体管器件_英飞凌科技奥地利有限公司_202511206486.9
    半导体晶体管器件包括沿竖向方向从宽带隙半导体主体第一表面延伸到宽带隙半导体主体中的栅极沟槽结构，其包括栅极沟槽电介质和栅极沟槽电极。半导体晶体管器件包括邻接栅极沟槽结构第一侧壁的第一导电类型主体区。第一横向方向垂直于第二横向方向。半导体晶体...
    2026-03-19
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202510424185.7
    本发明的实施方式提供导通电阻低且能进行高效率的电力控制的半导体装置。实施方式的半导体装置具有第一电极、第二电极、设于第一电极与所述第二电极之间的第一导电型的第一半导体区域、及沿从第一电极朝向第二电极的第一方向延伸且设于第一半导体区域的上部的...
    2026-03-19
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202510091457.6
    提供能够提高栅极阈值电压的半导体装置。实施方式的半导体装置具有半导体部件、漏极电极、栅极电极、源极电极和绝缘膜。在半导体部件中设有第1槽及第2槽。栅极电极配置于第1槽的内部。源极电极配置于第2槽的内部。绝缘膜设置于第2槽的内侧面。绝缘膜包含...
    2026-03-19
  • 一种晶体管、存储阵列以及电子设备
    一种晶体管、存储阵列以及电子设备_华为技术有限公司_202411259859.4
    本申请实施例提供了一种晶体管、存储阵列以及电子设备，涉及电子器件领域，能够提高存储的安全性以及存储性能。该晶体管包括：衬底，栅极结构。衬底之上设置有沟槽，源极区和漏极区。栅极结构设置于沟槽内。栅极结构中包括介质层，第一填充区，第二填充区以及...
    2026-03-19
  • 一种具有栅极热电子阻挡结构的氮化镓功率器件及其制备方法
    一种具有栅极热电子阻挡结构的氮化镓功率器件及其制备方法_广东工业大学_202610155481.6
    本发明公开了一种具有栅极热电子阻挡结构的氮化镓功率器件，包括自下而上依次设置的衬底层、缓冲层、沟道层以及势垒层；势垒层上方依次设置有第一P型材料层、热电子阻挡结构层、第二P型材料层以及栅极金属；所述势垒层两端分别设置有源极金属和漏极金属。所...
    2026-03-19
  • 一种半导体器件及其制备方法
    一种半导体器件及其制备方法_英诺赛科(苏州)科技股份有限公司_202511899011.2
    本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括：衬底结构；沟道层，沟道层设置于衬底结构的一侧；势垒层，势垒层设置于沟道层远离衬底结构的一侧；应变层，应变层设置于势垒层远离沟道层的一侧；应变层设置有源极沟槽、漏极沟槽以及栅极沟槽；源极...
    2026-03-19
  • 一种半导体器件及制备方法
    一种半导体器件及制备方法_英诺赛科(苏州)科技股份有限公司_202511898744.4
    本发明实施例提供了一种半导体器件及制备方法。半导体器件包括：沟道层设置于衬底结构的一侧；势垒层设置于沟道层远离衬底结构的一侧；应变层设置于势垒层远离沟道层的一侧；应变层设置有源极沟槽、漏极沟槽以及栅极沟槽；源极沟槽、漏极沟槽以及栅极沟槽沿应...
    2026-03-19
  • 基于结构改进的低动态电阻小阈值电压耗尽型GaN器件
    基于结构改进的低动态电阻小阈值电压耗尽型GaN器件_智诚尚芯(安徽)半导体有限公司_202511825444.3
    本发明公开了基于结构改进的低动态电阻小阈值电压耗尽型GaN器件，具体涉及电力电子器件技术领域，该器件包括衬底以及衬底自下向上依次设置的GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层以及p‑GaN层，设置在AlGaN势垒层上的p‑GaN层厚度为...
    2026-03-19
  • 一种半导体器件及应用
    一种半导体器件及应用_厦门市三安集成电路有限公司_202511686919.5
    本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种半导体器件及应用。该半导体器件包括异质结结构、第一金属层或第三金属层和/或第二金属层或第四金属层的设置，第一金属层或第三金属层至少部分与半导体叠层形成肖特基接触，第二金属层或第四金属层的至少部分与半...
    2026-03-19
  • 极化超结场效应晶体管、半导体层叠结构体以及电气设备
    极化超结场效应晶体管、半导体层叠结构体以及电气设备_三垦电气株式会社_202511096857.2
    本发明提供不使用复杂的电路就能够容易地实现常关化的极化超结GaN系场效应晶体管。场效应晶体管具有：未掺杂GaN层；具有开口部的AlxGa1‑xN层；从开口部的侧壁起设置在内部的未掺杂GaN层的一部分之上的未掺杂GaN层；在AlxGa1‑xN...
    2026-03-19
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