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最新专利技术
  • 一种具有均匀导热结构的半导体工艺加热器
    一种具有均匀导热结构的半导体工艺加热器_漠润(无锡)新材料有限公司_202511805547.3
    本发明涉及半导体制造设备技术领域，具体是一种具有均匀导热结构的半导体工艺加热器，包括设备机架、半导体基板、设备主机和基座模块。设备主机上设置有均匀加热器，其位于半导体基板下方并包含多个串联的加热单元，各单元设有单元基座和加热传感器。设备机架...
    2026-03-15
  • 电子束量测设备的校准方法及相关产品
    电子束量测设备的校准方法及相关产品_东方晶源微电子科技(北京)股份有限公司_202511794009.9
    本发明提供了一种电子束量测设备的校准方法及相关产品。校准方法包括获取电子束量测设备以预设视场在初始位置对晶圆采集的初始扫描图像；控制晶圆沿预设方向移动预设距离，并在保持预设视场不变的情况下，获取对晶圆采集的平移扫描图像；确定出各定位标记在初...
    2026-03-15
  • 高温半导体工艺气体供应装置、方法及半导体工艺系统
    高温半导体工艺气体供应装置、方法及半导体工艺系统_上海良薇机电工程有限公司_202511792272.4
    本发明涉及一种高温半导体工艺气体供应装置、方法及半导体工艺系统，高温半导体工艺气体供应装置包括鼓泡单元、液态源输送单元、第一载气输送单元、混合气体输送单元、第一排气单元、第一加热单元、第二加热单元、第一重量监测单元。其优点在于，将第一加热单...
    2026-03-15
  • 多路输出的半导体工艺气体供应装置、方法及半导体工艺系统
    多路输出的半导体工艺气体供应装置、方法及半导体工艺系统_上海良薇机电工程有限公司_202511792249.5
    本发明涉及一种多路输出的半导体工艺气体供应装置、方法及半导体工艺系统，半导体工艺气体供应装置包括鼓泡单元、液态源输送单元、载气输送单元和冷凝单元。其优点在于，采用高温鼓泡工序与低温冷凝工序的组合，实现了混合气体的浓度可调，实现更加稳定的混合...
    2026-03-15
  • 一种半导体清洗设备
    一种半导体清洗设备_上海矽进微电子有限公司_202511743900.X
    本发明属于半导体清洗技术领域，具体的是一种半导体清洗设备，包括清洗箱，清洗箱一侧壁中部通过电机的输出端固定安装有中心转杆，中心转杆上固定安装有转动盘，转动盘的外延环向布设有支撑板，支撑板上通过摆动部安装有放置框，放置框上通过控制部滑动安装有...
    2026-03-15
  • 一种适用于提升半导体芯片封装品质的脱泡固化装置
    一种适用于提升半导体芯片封装品质的脱泡固化装置_河南中科清能科技有限公司_202511719488.8
    本发明公开了一种适用于提升半导体芯片封装品质的脱泡固化装置，属于芯片封装的技术领域，其包括顶部箱体和底部座体，所述顶部箱体呈透明设置，所述顶部箱体内设置有用于对工件进行放置的放置座，所述放置座包括承载座和加热基座，所述承载座设置于加热基座顶...
    2026-03-15
  • 晶圆检测系统及其检测方法、多模态检测平台和存储介质
    晶圆检测系统及其检测方法、多模态检测平台和存储介质_上海中科飞测半导体科技有限公司_202511641832.6
    本申请提供一种晶圆检测系统及其检测方法、多模态检测平台和存储介质，该晶圆检测系统包括承载传输装置、特性检测装置和设置于检测工位附近的偏移检测装置，其中偏移检测装置采用至少三组对射式光学单元从不同角度捕捉晶圆边缘图像，并结合处理模块的算法分析...
    2026-03-15
  • 具有泄漏侦测的液态化学品供应系统及相关方法
    具有泄漏侦测的液态化学品供应系统及相关方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511611634.5
    本发明提供一种与液态化学品供应系统相关的方法。该方法包括：接收储存槽，其中保持液态化学品；将入口喷嘴附加到储存槽，入口喷嘴包括：其中界定第一开口，第一开口与储存槽内部流体连通；其中界定第二开口，第二开口与储存槽内部气体连通；其中界定第三开口...
    2026-03-15
  • 一种晶圆加工温控系统
    一种晶圆加工温控系统_杭州先导热电科技有限公司_202511589511.6
    本发明公开了一种晶圆加工温控系统，涉及晶圆加工领域，旨在解决现有的晶片加工温控方案无法保证半导体晶圆加工设备的温控要求以及水质要求的问题，包括水生产处理区域以及与水生产处理区域连接的晶圆加工区域，晶圆加工区域包括晶圆加工设备以及与晶圆加工设...
    2026-03-15
  • 一种硅片清洗设备
    一种硅片清洗设备_浙江艾科半导体设备有限公司_202511505478.4
    本发明涉及半导体加工技术领域，具体公开了一种硅片清洗设备，包括：清洗槽；设置在清洗槽内的载台；与载台相连接的驱动部，所述驱动部用以带动载台做出竖直以及水平方向的往复直线运动；设置在载台上的支撑板，所述支撑板与载台之间为弹性连接，所述支撑板与...
    2026-03-15
  • 流体系统、包括其的半导体处理系统以及流量控制方法
    流体系统、包括其的半导体处理系统以及流量控制方法_ASMIP私人控股有限公司_202511183450.3
    一种流体系统包括导管、联接到导管的浓度传感器以及处理器。处理器设置成与浓度传感器通信并且响应于记录在存储器上的指令以接收浓度控制选择，进一步接收指示夹带在由导管输送的流体中的流体‑载体中的流体成分的浓度的信号，并且确定流体成分的浓度。当浓度...
    2026-03-15
  • 衬底处理系统
    衬底处理系统_株式会社斯库林集团_202511132020.9
    本发明涉及一种衬底处理系统(10)，具备：衬底处理装置(1)，对衬底供给处理液；供给部(200)，将处理液引导到衬底处理装置(1)；及热回收部(40)，从自衬底处理装置(1)排出的排液回收热量。供给部(200)具备：调温部(20)，使处理液...
    2026-03-15
  • 修复设备
    修复设备_合肥京东方星宇科技有限公司_202411163416.5
    本公开提供一种修复设备。本公开提供的修复设备包括：元件取放模块、控制模块、第一载台和第二载台。第一载台承载第一基板，第二载台承载第二基板。第一基板具有至少一个第一电子元件，第二基板具有至少一个第二电子元件。元件取放模块包括：位于第一基板与第...
    2026-03-15
  • 一种处理液供给装置
    一种处理液供给装置_盛美半导体设备(上海)股份有限公司_202411128720.6
    本发明涉及半导体器件制造领域，具体为一种处理液供给装置，装置包括出液管路、控制模块、至少两个回吸单元以及至少两条进液管路，进液管路的一端与各自对应的回吸单元连接，进液管路的另一端与出液管路的一端连接，出液管路的另一端用于喷淋处理液，进液管路...
    2026-03-15
  • 一种检测装置
    一种检测装置_江苏鲁汶仪器股份有限公司_202411114531.3
    本发明公开了一种检测装置，包括：传感器模块，包括图像传感器和距离传感器，用于检测晶圆外周与承载台上的聚焦环的间距及晶圆的边缘位置与距离传感器的间距；处理器模块，与传感器模块通信连接以调节各个传感器的开闭，并接收各个传感器的检测数据以判断晶圆...
    2026-03-15
  • 半导体产线料盒的侦测装置及其方法
    半导体产线料盒的侦测装置及其方法_铧友益科技股份有限公司_202411111079.5
    一种半导体产线料盒的侦测装置，包含适用于供料盒放置的定位单元、与所述定位单元间隔设置的照光单元，及与所述照光单元间隔设置的处理单元。所述照光单元包括支架，及至少一个设置于所述支架并适用于朝向所述料盒发出结构光的激光光源。所述处理单元包括用于...
    2026-03-15
  • 一种晶圆的清洗控制方法、设备、晶圆及计算机存储介质
    一种晶圆的清洗控制方法、设备、晶圆及计算机存储介质_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511742590.X
    本公开提供了一种晶圆的清洗控制方法、设备、晶圆及计算机存储介质，方法包括将所述晶圆放置在一清洗槽内的清洗液中进行清洗，且所述清洗液在始于所述清洗槽的流体路径中循环；检测所述流体路径中处于过滤节点上游的所述清洗液中的颗粒数量；根据所述颗粒数量...
    2026-03-15
  • 一种半导体加工用半导体晶圆片分片设备
    一种半导体加工用半导体晶圆片分片设备_苏州频普半导体科技有限公司_202511690593.3
    本发明涉及晶圆片分片的领域，公开了一种半导体加工用半导体晶圆片分片设备，包括固定框，所述固定框下内壁中间连接多根支杆，所述支杆顶端安装清洗框，所述清洗框内设置升降托料结构，所述固定框上内壁设置切分结构，所述固定框下内壁右侧设置移动限位结构；...
    2026-03-15
  • 一种半导体工艺方法及半导体结构
    一种半导体工艺方法及半导体结构_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202411148039.8
    本发明提供一种半导体工艺方法及半导体结构，方法包括：半导体结构背面切割道上设置深度小于切割道的切割槽；设置背金层覆盖封装单元及切割槽显露表面；切割槽内填充不低于背金层的隔离保护层；设置隔离保护层的位置切割半导体结构得到分离的封装单元，隔离保...
    2026-03-15
  • 基于共焦干涉测距的飞秒激光隐切深度高精度控制系统
    基于共焦干涉测距的飞秒激光隐切深度高精度控制系统_深圳市极梓光学科技有限公司_202511836000.X
    本发明属于半导体材料加工技术领域，具体涉及基于共焦干涉测距的飞秒激光隐切深度高精度控制系统，包括以下步骤：S1：对SiC晶锭进行清洗与固定调平；S2：设定飞秒激光的脉冲宽度、重复频率、功率、扫描速度及扫描间距，并将激光焦点精确定位在晶锭内部...
    2026-03-15
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