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  • 本发明涉及一种用于消除LPCVD加工中硅片舟迹的方法,所属半导体制造技术领域,包括如下操作步骤:第一步:在将硅片放置到硅舟上之前,对硅片表面进行等离子体清洗处理。第二步:在LPCVD工艺过程中,精确控制反应温度、压力和反应气体流量。第三步:...
  • 本发明公开了一种真空夹送牵引辊机构、真空卷绕镀膜设备及其控制方法,真空夹送牵引辊机构包括牵引辊、胶压辊、设置于真空腔室内的压紧机构以及设置于真空腔室内的反向限位机构,压紧机构包括第一伺服电机,用于驱动胶压辊产生压向牵引辊的压紧力;反向限位机...
  • 本发明涉及真空镀膜领域,尤其涉及一种真空镀膜设备,包括全方位旋转置物单元,全方位旋转置物单元设置在真空镀膜设备的工作台上且位于真空腔室内部,全方位旋转置物单元包括转动台、齿轮转盘、齿轮盘、安装支架、传动组件、旋转放置组件、升降组件、限位组件...
  • 本发明属于镀膜玻璃技术领域,具体提供了一种TGV金属化中金属种子层的沉积方法及磁控溅射设备。其旨在解决现有TGV金属化工艺中金属膜与玻璃基板之间的附着力低、通孔内的金属覆盖率和台阶率低以及玻璃表面积累电荷高导致表面放电现象严重的问题。本发明...
  • 本申请公开了一种基于涡流管效应且磁场旋转的阴极装置,包括阴极本体组件、旋转驱动机构和涡流管组件。阴极本体组件包括密封罩以及位于密封罩内的阴极本体,阴极本体的底部设有靶材;旋转驱动机构包括位于密封罩内的磁铁隔套以及用于驱动磁铁隔套转动的伺服电...
  • 本发明公开一种分区式多功能金属双腔真空镀膜工艺及系统,属于材料表面处理技术领域。工艺包括基材预处理、双腔准备、真空检查、第一腔底层沉积、真空转运、第二腔功能层沉积及降温步骤,双腔分别配置对应靶材,支持并行作业与真空无缝转运;系统包含双镀膜腔...
  • 本发明公开了一种空间活动件高温环境用“缓释型”耐磨润滑复合薄膜及其制备方法。所述薄膜底层为采用磁控溅射技术沉积在零件上的Ti层或Cr层,Ti层或Cr层之上为脉冲激光引弧电弧沉积/磁控溅射复合技术沉积的ta‑C/WS22/Ag润滑层,ta‑C...
  • 本申请涉及一种真空镀膜生产线,其包括多个腔室,多个所述处理腔室包括依次连接的进料腔室、加热腔室、进料缓冲腔室、镀膜腔室、出料缓冲腔室、冷却腔室与出料腔室,以使得载有基片的托盘自所述进料腔室进入,并依次经所述加热腔室、所述进料缓冲腔室、所述镀...
  • 本发明公开了一种用于非气密封装的半导体激光器腔面镀膜方法,适用于半导体激光器技术领域。利用该用于非气密封装的半导体激光器腔面镀膜方法得到的膜系结构,其得到的SiN膜层压应力仅为100Mpa, 比现有的SiN膜层应力降低了14倍,耐氢氟酸溶液...
  • 本发明一种薄壁异形金属封严环表面增韧CoMoCrSi涂层利用双层辉光等离子表面冶金技术,以CoMoCrSi合金为靶材,镍基高温合薄壁异形金属封严环为工件,经过三步过程得到。第一步通过控制电流密度调控金属封严环表面微区塑性变形,借助边缘效应实...
  • 本申请公开了一种双脉冲限域离子流沉积装备,涉及原子级制造领域,该装备包括:阴极靶材、脉冲触发电源、磁过滤管道、真空腔室、取束器、离子调节器和沉积靶盘;脉冲触发电源与阴极靶材连接;阴极靶材设置在磁过滤管道的一端;磁过滤管道的另一端与真空腔室连...
  • 本申请涉及薄膜制备技术领域,特别是涉及一种富勒烯薄膜及其制备方法、太阳能电池,制备方法包括以下步骤:提供基底;将富勒烯材料与介质材料混合,制备混合料;真空蒸镀混合料,在基底上形成富勒烯薄膜;其中,介质材料的熔点为2623℃以上,热传导系数为...
  • 本发明的一种复合铝集流体过程方阻控制方法,包括以下步骤:(a)采用真空蒸镀的方法,在真空蒸镀装置内,在基膜的A面形成第一铝金属层;(b)采用第一方阻检测设备,对形成在所述基膜A面的第一铝金属层在线检测方阻;(c)采用真空蒸镀的方法,在真空蒸...
  • 本申请公开了一种提高界面结合的连续SiC纤维增强钛铝基复合材料先驱丝、复合材料及其制备方法,本申请以具有第一晶粒尺寸的TiAl合金为靶材,对SiC纤维进行磁控溅射,在所述SiC纤维表面形成第一涂层;以具有第二晶粒尺寸的TiAl合金为靶材,对...
  • 本发明涉及硬质涂层技术领域,尤其是涉及一种AlCrTaSiN/AlCrN/CrN多层复合涂层及其制备方法和应用,所述AlCrTaSiN/AlCrN/CrN多层复合涂层包括由内至外依次设置在基体表面的CrN涂层、AlCrN涂层和AlCrTaS...
  • 本申请涉及一种碳化硅涂层石墨载盘生产用气相沉积炉,涉及气相沉积炉技术领域,其包括炉体,所述炉体内设置有安装架,所述安装架上设置有自转架,所述自转架上转动设置有夹具,所述夹具的转动轴线水平,所述夹具用于装载石墨载盘,所述自转架上设置有用于驱使...
  • 一种管壁渗金装置及应用其在管壁制备TiN的方法,装置包括:真空炉,连通有进气口和出气口;工件支架,设置在真空炉内,用于供管材工件放置;工件电源,负极通过工件支架与管材工件电性连接,正极与真空炉的炉壁电性连接;靶材,用于提供待渗金属,位于真空...
  • 本发明提供一种适用于高精度图案结构制备的SiNxx掩膜及其制备方法,属于微纳加工技术领域。该掩膜采用超薄结构消除阴影效应,并制备低应力的SiNxx薄膜作为掩膜图案的主体,以保证机械强度,适用于大面积、高密度阵列的图形化制备。
  • 本发明提供了一种高承载高耐磨自润滑复合防护涂层及其制备方法和应用,属于表面工程技术领域。高承载高耐磨自润滑复合防护涂层包括依次层叠的等离子体扩渗层、高熵合金中间结合层、高熵合金碳化物过渡层和高熵合金掺杂非晶碳薄膜。其中,等离子体扩渗层提供承...
  • 本发明涉及热轧辊制备技术领域,且公开了一种预制表面氧化膜热轧辊设备,包括设备底板,所述设备底板的上方和设备底板的内部共同设置有均匀旋转机构,设备底板的上方设置有辊面预处理机构,均匀旋转机构包括固定限位架,固定限位架的底面与设备底板的上表面固...
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