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最新专利技术
  • 一种具有多尺度析出相的引线框架用异形铜带及其制备工艺
    一种具有多尺度析出相的引线框架用异形铜带及其制备工艺_泰州麒润电子有限公司_202511691641.0
    本发明涉及引线框架生产技术领域，具体涉及一种具有多尺度析出相的引线框架用异形铜带及其制备工艺，其中铜带包括具有异形截面的铜基合金主体，铜基合金主体上同时存在成梯度分布的纳米级、亚微米级和微米级三级析出相，纳米级分布于晶内盒位错区、亚微米级和...
    2026-03-03
  • 封装结构及其形成方法
    封装结构及其形成方法_江苏长电科技股份有限公司_202511652155.8
    本发明涉及一种封装结构及其形成方法。所述封装结构包括：引线框架，包括多个间隔排布的管脚，所述管脚包括导电支撑部和导电引出部，所述导电支撑部包括相对设置的顶面和底面，所述导电引出部电连接于所述导电支撑部的底面，所述导电引出部至少包括底部焊接层...
    2026-03-03
  • 半导体模块装置
    半导体模块装置_英飞凌科技股份有限公司_202511115764.X
    公开了一种半导体模块装置，包括：第一衬底，包括电介质绝缘层和布置在电介质绝缘层的表面上的第一金属化层，其中，第一金属化层包括第一部分、第二部分、第三部分和第四部分；两个或更多个可控半导体元件，每个可控半导体元件包括第一接触焊盘、第二接触焊盘...
    2026-03-03
  • 用于增强热操作的模制功率半导体封装
    用于增强热操作的模制功率半导体封装_英飞凌科技奥地利有限公司_202511115762.0
    本公开内容涉及用于增强热操作的模制功率半导体封装。一种半导体装置包括：管芯载体；第一半导体管芯，至少包括第一负载电极和第二负载电极，其中，第一半导体管芯安装在管芯载体上，其中，第一负载电极电连接至管芯载体；第一组外部连接件，电和热地连接至管...
    2026-03-03
  • 利用集成绝缘层用于集成电路绝缘的引线框架封装
    利用集成绝缘层用于集成电路绝缘的引线框架封装_意法半导体国际公司_202511095340.1
    本公开涉及利用集成绝缘层用于集成电路绝缘的引线框架封装。提供了示例引线框架封装、制造引线框架封装的方法以及包括引线框架封装的电气系统，其利用集成绝缘层将引线框架封装内的集成电路与一个或多个电气组件电绝缘。示例引线框架封装包括集成电路基板和集...
    2026-03-03
  • 一种半导体封装结构及封装方法
    一种半导体封装结构及封装方法_华天科技(江苏)有限公司_202511760012.9
    本发明公开一种半导体封装方法，包括以下步骤：制备带有第一层再布线层的晶圆或芯片；将晶圆或芯片，或晶圆或芯片及支撑材料贴装到载板上，塑封，去除载板，将第一层再布线层暴露出来；在第一层再布线层上制作第二层再布线层，电镀金属线路层及支撑框架；按需...
    2026-03-03
  • 多层堆叠芯片封装方法及封装结构
    多层堆叠芯片封装方法及封装结构_南通通富微电子有限公司_202511699656.1
    本公开实施例提供一种多层堆叠芯片封装方法及封装结构，该方法包括：提供临时载板并在其上形成多个导电柱；将多个芯片的背面固定于临时载板；形成包裹芯片和导电柱的第一塑封层，并露出芯片的正面和导电柱的表面；在第一塑封层的第一表面形成分别与导电柱以及...
    2026-03-03
  • TGV大方板电镀后的处理方法及TGV大方板电镀设备
    TGV大方板电镀后的处理方法及TGV大方板电镀设备_芯栋微(上海)半导体技术有限公司_202610048743.9
    本发明公开了一种TGV大方板电镀后的处理方法及TGV大方板电镀设备，所述TGV大方板电镀后的处理方法包括以下步骤：S10、获取TGV电镀后的待处理基板；S20、将电镀后的所述待处理基板按照预设切割方式切割成多个独立的晶圆；S30、将切割后的...
    2026-03-03
  • 载板结构的制备方法、载板结构及移动终端
    载板结构的制备方法、载板结构及移动终端_苏州国显创新科技有限公司_202511727368.2
    本申请实施例提供一种载板结构的制备方法、载板结构及移动终端，载板结构用于连接集成电路和印制电路板，本申请实施例中，通过先在第一临时衬底上制备第一布线层，然后在第一布线层上制备基板，可以降低第一布线层的制备难度，减少第一布线层的制备过程中损坏...
    2026-03-03
  • 一种中介层通孔的绝缘层及其制备方法
    一种中介层通孔的绝缘层及其制备方法_哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)_202511701776.0
    本发明提供一种中介层通孔的绝缘层及其制备方法，属于半导体封装技术领域，旨在提高金属在中介层的附着性能，所述制备方法包括：提供基材；其中，所述基材包括中介层，所述中介层包括多个通孔；将所述基材置于第一反应腔内，并在第一预设温度下向所述第一反应...
    2026-03-03
  • 一种玻璃中介层通孔电极的制备方法、玻璃中介层通孔电极
    一种玻璃中介层通孔电极的制备方法、玻璃中介层通孔电极_哈尔滨工业大学(深圳)(哈尔滨工业大学深圳科技创新研究院)_202511701615.1
    本申请提供一种玻璃中介层通孔电极的制备方法、玻璃中介层通孔电极，涉及半导体加工技术领域，包括：提供玻璃基板；在玻璃基板上形成至少一个通孔，通孔的深宽比大于10 : 1；基于远端等离子化学气相沉积工艺，在第一温度下，在通孔内形成阻障层，阻障层...
    2026-03-03
  • 一种提升玻璃通孔良率的方法
    一种提升玻璃通孔良率的方法_江苏福拉特半导体设备有限公司_202511683155.4
    本发明公开了一种提升玻璃通孔良率的方法，该方法通过三维点云数据获取激光诱导改性区的内部形貌，精确计算改性深度；采用改进的卷积神经网络模型融合激光工艺参数与材料属性，预测每个改性区的刻蚀速率及标准差；基于同一套三维检测数据，分别驱动返工补偿决...
    2026-03-03
  • 一种面向AI高频高速电子基材的离子束复合调控方法
    一种面向AI高频高速电子基材的离子束复合调控方法_北京市科学技术研究院_202511678858.8
    本发明公开了一种面向AI高频高速电子基材的离子束复合调控方法，涉及半导体制造和电子封装技术领域。包括以下步骤：(1)基材表面离子注入改性；(2)磁过滤阴极真空弧沉积粘合与晶种层；(3)高功率脉冲磁控溅射沉积超低轮廓初始导体层；(4)脉冲电镀...
    2026-03-03
  • 一种双层TSV转接板封装结构及其制备方法
    一种双层TSV转接板封装结构及其制备方法_成都航天博目电子科技有限公司_202511676779.3
    本发明公开了一种双层TSV转接板封装结构及其制备方法，所述方法包括：在第一硅片上刻蚀出TSV孔；在TSV孔内制备Cu种子层；在TSV孔内自下而上电镀Cu，将TSV孔进行实心填充，形成TSV铜柱；降低第一硅片的厚度，并露出部分TSV铜柱；在键...
    2026-03-03
  • 一种鳍式垂直interposer扇出型封装结构及方法
    一种鳍式垂直interposer扇出型封装结构及方法_北京紫亦芯集成电路有限公司_202511634712.3
    本发明提出一种鳍式垂直interposer扇出型封装方法，属于半导体封装技术领域，涵盖鳍式垂直结构制备、玻璃基板处理及导电层构建、鳍式垂直结构安装与倒装芯片键合、封装及顶层结构设置等步骤；通过旋涂形成PI层，利用铜电镀或PVD制作铜布线层及...
    2026-03-03
  • 一种封装基板结构及其制作方法
    一种封装基板结构及其制作方法_上海美维科技有限公司_202411085448.8
    本发明提供一种封装基板结构及其制作方法，包括以下步骤：提供一基板，形成贯穿所述基板的通孔，形成覆盖所述基板下表面及自所述基板下表面的所述通孔开口向上预设距离处的内壁的种子金属层；于所述种子金属层下表面形成一导电胶层，所述导电胶层封堵所述通孔...
    2026-03-03
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411104902.X
    一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：第一介质层位于基底上且覆盖第一电极层；第一电容叠层位于第一电容区和第二电容区的第一介质层上，且第一电容叠层包括第二电极层和位于第二电极层上的第三电极层、以及位于第二电极层和第三电极层之间的第二介质...
    2026-03-03
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411104879.4
    一种半导体结构及其形成方法，结构包括：基底；第一介电层，位于基底上；介质缓冲层，位于第一介电层上，介质缓冲层的抗击穿强度大于第一介电层的抗击穿强度；多层电极层，自下而上依次堆叠设置于介质缓冲层上；介质层，在纵向上位于相邻电极层之间；第二介电...
    2026-03-03
  • 一种双重相变芯片散热装置
    一种双重相变芯片散热装置_上海应用技术大学_202511927369.1
    本发明涉及一种双重相变芯片散热装置，包括由上至下依次布置的盖板、相变底板和芯片底板，其中，盖板上连接安装有冷却液接头，用于实现冷却液的流入和流出，芯片底板上安装有芯片核心，芯片核心与相变底板紧密贴合；相变底板容纳于盖板的内部，相变底板内设有...
    2026-03-03
  • 基于分区设计的高热流密度Chiplet均热板结构
    基于分区设计的高热流密度Chiplet均热板结构_清华大学_202511515563.9
    本发明涉及高热流电子器件冷却领域，公开了一种基于分区设计的高热流密度Chiplet均热板结构。其中，金属外壳包括上金属外壳和下金属外壳，上金属外壳和下金属外壳连接并形成有密闭空间；上金属外壳的上表面与液冷板相连，下金属外壳的下表面与电子元件...
    2026-03-03
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